Министерство образования Республики Беларусь

Учреждение образования
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

Факультет компьютерного проектирования

Кафедра электронной техники и технологии

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА

по дисциплине
«Материаловедение»

Выполнил: студент гр. 990241

_________________ Борисенок С.М.

Проверил: доцент каф. ЭТТ

_________________ Шахлевич Г.М.

Минск 2021
 СОДЕРЖАНИЕ

1. Химическая связь и строение вещества. Их влияние на свойства

материалов……………………………………………………………………………
……… 3

2. Материалы для металлорежущего и измерительного инструмента

(углеродистые, легированные и быстрорежущие стали, твердые сплавы и др.)
………… 10

3. Механизмы рассеяния носителей заряда в проводниковых материалах и

влияние рассеяния на их электрофизические
свойства…………………………………… 14

4. Какие термопары позволяют измерять температуру в диапазоне -200 – +1700

ос?............................................................................................................................... 20

Список использованных источников…………………………………………….. 23

2
 1.ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ И СТРОЕНИЕ ВЕЩЕСТВА. ИХ ВЛИЯНИЕ
НА СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ.

Как показывает Периодическая система элементов, известно немногим

более сотни элементов, число же химических соединений превышает в
настоящее время пять миллионов и непрерывно увеличивается.
Значительная часть веществ, интересующих науку и практику,
представляет собой продукты взаимодействия отдельных атомов с
образованием молекул, молекулярных ионов и радикалов, а также твердых и
жидких веществ. Помимо этого, взаимодействовать друг с другом могут не
только отдельные атомы, но и сформировавшиеся многоатомные частицы –
молекулы, молекулярные ионы и радикалы.
Взаимодействие атомно-молекулярных объектов, которое приводит к
образованию более или менее устойчивой их совокупности, характеризуемой
определенной молекулярной и надмолекулярной структурой и способностью к
самостоятельному существованию, называется химической связью [1].
Образуя химические связи, атомы могут соединяться как в частицы, в
которых соотношение и количество одинаковых и различных атомов строго
задано (молекулы, радикалы, многоатомные ионы), так и в многоатомные
агломераты, в которых задано только соотношение атомов различных
элементов, а их количество может быть каким угодно (атомные кристаллы,
полимеры).
Молекула – электронейтральная совокупность атомов, связанных между
собой химическими связями. Количество электронов в молекуле чётное. (Далее
будут приведены и другие определения этого понятия, которые будут отражать
и иные особенности молекул).
Радикал - электронейтральная совокупность атомов, связанных между
собой химическими связями. В радикалах есть атомы, у которых на внешнем
подуровне есть один или несколько электронов, занимающих отдельные
орбитали и не участвующих в образовании химических связей. Как правило,
общее количество электронов в радикале нечётное.
Ион – положительно или отрицательно заряженная совокупность атомов,
связанных между собой химическими связями.

3
 Если соединение образовано атомами одного химического элемента, его
называют простым веществом, если различными атомами – сложным
веществом [2].
Основное (энергетическое) условие образования химической связи
состоит в том, что при образовании соединения между атомами энергия
системы должна понижаться по сравнению с энергией составляющих это
соединение атомов. При образовании стабильного химического соединения
энергия соединения частиц должна прийти к своему минимуму. Мерой
прочности связи является именно энергия химической связи.
Энергией химической связи называют ту минимальную энергию, которая
необходима для разрушения связи и удаления атомов на бесконечное
расстояние друг от друга.
Обычно энергия связи выражается в кДж/моль, для различных типов
связи значения ее составляют от единиц до тысячи и более кДж/моль (в
молекуле азота – примерно 946 кДж/моль).
Следующей важной характеристикой является длина химической связи, то
есть расстояние между центрами взаимодействующих атомов. К настоящему
времени разработаны физические методы определения длины связи в молекуле
и установлено, что во всех химических соединениях длина химической связи
всегда меньше суммы орбитальных радиусов составляющих молекулу атомов:
rAB < rA + rB .
В частности, длина связи в молекуле водорода составляет 0,76 Ǻ, в то
время как расстояние до максимума плотности вероятности для
изолированного атома водорода составляет 0,53 Ǻ. Очевидно, что в молекуле
имеет место глубокое взаимное проникновение, или перекрывание
электронных орбиталей.
Более того, связь образуется именно в направлении наибольшего
перекрывания атомных орбиталей. Поскольку орбитали p-, d- и f- типов
ориентированы в пространстве под определенными углами друг к другу, то
связь, по принципу наибольшего перекрывания, тоже образуются по
определенным направлениям и под определенными углами одна к другой, так
называемыми валентными углами.
Этим фактом обусловлена пространственная конфигурация молекул:
линейная, уголковая, тетраэдрическая и др.

Типы связей (взаимодействия) между структурными единицами вещества

материала:
- Ковалентная связь:

4
 - Ковалентная неполярная (алмаз (С))
- Ковалентная полярная (карбид кремния (SiC))
- Ионная связь (хлорид натрия (NaCl))
- Металлическая связь (медь, железо, металлические сплавы)
- Водородная связь (лед (Н2О))
- Ван-дер-Ваальсова связь (Сухой лед (CO2))

Ковалентная связь
Ковалентная связь – это химическая связь, возникающая при образовании
общих электронных пар между двумя атомами в результате объединения
валентных электронов реагирующих атомов. Такой механизм образования
ковалентной связи предложил Г. Льюис (1916 г.). При этом каждый из двух
атомов, вступающих в химическую связь, предоставляет в общее пользование
одинаковое количество валентных электронов. Образовавшиеся электронные
пары принадлежат одновременно обоим атомам. В итоге на внешних
электронных уровнях каждого из взаимодействующих атомов возникает
устойчивая восьми электронная оболочка (октет), то есть формируется
электронная конфигурация ближайшего инертного газа. Например, точками
показаны электроны, расположенные на внешнем электронном слое атома
хлора:

Их семь (3s2 3p5), один из них (3р) – неспаренный. Формулы, в которых

изображаются все электроны внешних электронных слоев атомов в виде точек,
называют электронными формулами. Каждый атом хлора, обобществляя с
другим атомом связывающую пару электронов, дополняет свой внешний
электронный слой до восьми электронов и приобретает устойчивую
электронную конфигурацию ближайшего инертного газа – аргона:
1s22s22p63s23p6 [3].
Ковалентная неполярная связь образуется между атомами одинаковых
элементов – неметаллов. Ковалентная неполярная связь образуется, если
вещество простое, например, O2, H2, N2.
Ковалентная полярная связь образуется между атомами разных элементов
–неметаллов. Ковалентная полярная связь образуется, если вещество сложное,
например, SO3, H2O, НСl, NH3.

5
 Ионная связь
Вопреки названию и распространенному представлению, ионная связь
только в отдельных случаях (например, в процессе кристаллизации из
растворов), определяется притяжением противоположно заряженных ионов. В
общем же случае, ионная связь обусловлена взаимодействием именно
нейтральных атомов, обладающих различной электроотрицательностью.
Электроотрицательность есть количественная характеристика
способности атома притягивать к себе электрон, т.е. смещать от соседнего
атома в свою сторону плотность вероятности обнаружения электрона. В
настоящее время принята шкала электроотрицательностей элементов,
разработанная Л. Полингом. При сближении атомов, вступающих в химическую
связь, происходит перераспределение электронной плотности в пользу более
электроотрицательного атома, так что этот последний принимает некоторый
избыточный отрицательный заряд –δе, оставляя на другом атоме избыточный
положительный заряд +δе.
Доля смещаемого электронного заряда δ всегда меньше единицы, эта
величина получила название степени ионности связи. Таким образом,
степенью ионности химической связи называется доля электронного заряда,
сохраняющаяся на атоме после смещения электронной плотности к более
электроотрицательному атому. Степень ионности δ связана с разностью
относительных электроотрицательностей атомов (ΔЭО) следующей
эмпирической формулой:
δ = 0,160 (ΔЭО) + 0,035 (ΔЭО)2.
Пользуясь таблицей относительных электроотрицательностей, легко
подсчитать по этой формуле, что степень ионности связи в молекуле Na – Cl
составляет всего около 0,52.
Наибольшая разность электроотрицательностей имеет место в молекуле
Cs – F, что дает максимально достижимую степень ионности – 0,89. Это
означает, что ни в каком из ионных соединений электрон в целом не переходит
к более электроотрицательному атому [1].

Металлическая связь
Металлическая связь – связь между положительными ионами в кристалле
металла, которую осуществляют обобществленные валентные электроны
(«электронный газ»). Атомы металлов отличаются от атомов других элементов
тем, что сравнительно слабо удерживают свои внешние электроны. Поэтому в
кристаллической решетке металла эти электроны покидают свои атомы,
превращая их в положительно заряженные ионы. «Обобществленные»

6
электроны передвигаются в кристалле между катионами и удерживают их
вместе. Межатомные расстояния в металлах больше, чем в их соединениях с
ковалентной связью. Такая связь существует не только в твердых кристаллах
металлов, н и в расплавах, и в аморфном состоянии. Она называется
металлической. В узлах кристаллической решетки металла находятся
положительно заряженные ионы (катионы). В промежутках между ними
располагаются свободные электроны. Они образуют своеобразный подвижный
«электронный газ», так как не закреплены за отдельными катионами.
Металлическая связь не имеет направленности и является ненасыщенной.
Особенности металлической связи обусловливают целый ряд специфических
свойств металлов. К ним относятся: высокая электро- и теплопроводность,
пластичность, своеобразный металлический блеск, отражательная способность,
восстановительная активность и т. п.
Исследования показали, что в чистом виде металлическая связь
характерна лишь для щелочных и щелочноземельных металлов. Для других
металлов, и особенно переходных, часть валентных электронов локализована,
то есть осуществляет ковалентные связи между соседними атомами [3].

Водородная связь
Атом водорода может образовывать связь между двумя
электроотрицательными атомами (F, О, N, реже Сl и S). Известны случаи, когда
эту связь образует водородный атом, связанный с атомом углерода в
соединениях типа НСХ3, где X — электроотрицательный атом или группа
(например, в HCN, фторуглеводородах.
Водородная связь образуется между электроотрицательными атомами, из
которых хотя бы один имеет свободную электронную пару, например:

Она менее прочная (Есвязи≈ 11–30 кДж/моль), чем ковалентная связь,

разрывается уже при нагревании.
В принципе образования водородной связи лежит электростатическое
взаимодействие диполей и донорно-акцепторное взаимодействие положительно

7
поляризованного атома водорода одной молекулы и не поделенной
электронной пары электроотрицательного атома другой молекулы.
Водородная связь проявляется тем сильнее, чем больше
электроотрицательность атома-партнера и чем меньше его размеры.
Следовательно, она характерна, прежде всего, для соединений водорода с
фтором, кислородом и азотом.
Свойство водородной связи – направленность, что свидетельствует о ее
сходстве с ковалентной связью.
Водородная связь распространена и играет важную роль в процессах
кристаллизации, растворения, сольватации (гидратации), электролитической
диссоциации и пр. Она определяет ажурную структуру, рыхлость и не большую
плотность льда. Объясняет аномалию поведения фтористоводородной кислоты
(HF), которая, в отличие от ее аналогов НСl, НВr, НI, является слабой кислотой
(Кк = 7,2·10–4).

Ван-дер-Ваальсова связь
Межмолекулярное взаимодействие имеет электростатическую природу.
Предположение о его существовании было впервые использовано Я. Д. Ван-
дер-Ваальсом в 1873 году для объяснения свойств реальных газов и жидкостей.
В наиболее широком смысле под ним можно понимать такие взаимодействия
между любыми частицами (молекулами, атомами, ионами), при которых не
происходит образования химических, то есть ионных, ковалентных или
металлических связей. Эти взаимодействия существенно слабее ковалентных и
не приводят к существенной перестройке электронного строения
взаимодействующих частиц.
На больших расстояниях Ван-дер-Ваальсово взаимодействие имеет
характер притяжения и возникает между любыми молекулами как полярными,
так и неполярными. На малых расстояниях оно компенсируется отталкиванием
электронных оболочек. Можно выделить следующие основные типы
взаимодействий, называемых Ван-дер-Ваальсовыми.

1. Ориентационное (диполь – диполь) взаимодействие между полярными

молекулами, т. е. молекулами с постоянными дипольными моментами.
Потенциал взаимодействия (U) жестко ориентированных диполей
является анизотропным, т. е. зависит от ориентации постоянного
диполя. Он пропорционален квадратам дипольных моментов (p1 и p2) и
обратно пропорционален температуре (T) и шестой степени
расстояния между диполями (r):

8
 p21 p22
U
Tr 6

2. Индукционное (постоянный диполь—наведенный диполь)

взаимодействие между полярной и неполярной молекулами, при
котором постоянный дипольный момент первой взаимодействует с
моментом, индуцированным его полем во второй. В этом случае
потенциал обратно пропорционален шестой степени расстояния и
прямо пропорционален поляризуемости неполярной молекулы (a) и
квадрату постоянного дипольного момента:
a p2
U
r6
3. Дисперсионное (наведенный диполь—наведенный диполь)
взаимодействие, представляющее собой взаимодействие моментов,
возникающих, в классической модели, в результате мгновенных
флуктуаций заряда. Его потенциал также обратно пропорционален
шестой степени расстояния и растет с ростом поляризуемости частиц:
a2
U
r6

Среди перечисленных наиболее сильными, как правило, являются

дисперсионные взаимодействия. Для небольших молекул энергия Ван-дер-
Ваальсовых взаимодействий может составлять порядка 1–30 кДж/моль. Ван-
дер-Ваальсово взаимодействие имеет место не только между молекулами, но и
между нанообъектами, например углеродными нанотрубками. Несмотря на
слабость этого взаимодействия, оно обеспечивает устойчивость молекулярных
кристаллов, связь молекул с поверхностями (адсорбцию) и играет важную роль
в процессах синтеза и самосборки молекулярных наноструктур [4].

9
 2. МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ МЕТАЛЛОРЕЖУЩЕГО И ИЗМЕРИТЕЛЬНОГО
ИНСТРУМЕНТА (УГЛЕРОДИСТЫЕ, ЛЕГИРОВАННЫЕ И
БЫСТРОРЕЖУЩИЕ СТАЛИ, ТВЕРДЫЕ СПЛАВЫ И ДР.).

Классификация инструментальных материалов

1 Инструментальные стали:
1.1 углеродистые (преимущественно пониженной прокаливаемости);
1.2 легированные (повышенной прокаливаемости);
1.3 быстрорежущие;
1.4 карбидостали
2. Твердые сплавы:
2.1 Вольфрамокобальтовые сплавы ВК
2.2 Титановольфрамокобальтовые сплавы ТК
2.3 Титанотанталовольфрамовокобальтовые ТТК
2.4. Безвольфрамовые твердые сплавы БВТС
3. Минералокерамика.
4. Абразивные материалы.
5. Алмазы и сверхтвердые материалы.

По твердости инструментальные стали подразделяют:

- стали высокой твердости 58-65 HRC , но пониженной вязкости; 0,7 % > C;
KCU = 1 кгм/см2 (стали У10, Р18)
- стали повышенной вязкости, но пониженной твердости
40-55 HRC 0,7 % <C; KCU = 2-8 кгм/см2 (5ХНМ)

По теплостойкости стали классифицируют на три группы:

1. Не теплостойкие, сохраняющие высокую твердость
более 60 HRC при нагреве не выше 190 – 225 ℃ и используемые для резания
мягких материалов с небольшой скоростью и для холодного деформирования.
2. Полутеплостойкие, в основном штамповые, рабочая кромка которых
выдерживает нагрев до 400-500 ℃. Содержащие более 0,6-0,7 % С и 4 -18 % Сr.
Они имеют легированный цементит и карбид хрома Ме23 С6 , Ме 7С3.
3. Теплостойкие, сохраняющие твердость и другие свойства при нагреве
до температур 550-600 ℃ и выше. Высоколегированные стали, содержащие Сr,
W, V, Mo, Сo, ледебуритного класса, получившие название быстрорежущие.
По применению:
1. Стали для режущего инструмента;
2. Штамповочный пневмоинструмент;
3. Стали измерительного инструмента.

10
Наиболее распространенная из этих групп – быстрорежущая сталь, из которой
изготавливается около 60 % инструмента, из твердых сплавов – около 30 %, из
остальных групп материалов – только около 10 % лезвийного инструмента.
Стали для измерительного инструмента должны обладать высокой
твердостью, износостойкостью, небольшим коэффициентом теплового
расширения и сохранять постоянство размеров и формы в течение длительного
срока службы. Обычно применяют высокоуглеродистые хромистые стали X
(1,0–1,1% С и 1,3–1,6% Сr), ХГ (1,3–1,5% С, 0,45–0,7% Мn, 1,3–1,6% Сr), ХВГ,
9ХС. Измерительный инструмент из стали X и ХГ проходит закалку с возможно
более низкой температуры, обычно 840–850° С.
В закаленной высокоуглеродистой стали при нормальной комнатной
температуре в течение длительного времени самопроизвольно протекает
процесс старения. Старение вызывает небольшое изменение объема в линейных
размерах изделия, недопустимое для измерительных инструментов высоких
классов точности.
Для предупреждения старения измерительные инструменты продолжительное
время (12–60 ч) подвергают отпуску при температуре 120–140°С. Твердость
после указанной обработки составляет HRC 62–64. Иногда после закалки
производят обработку холодом при температуре -50-80°С для более полного
превращения остаточного аустенита.
Измерительные скобы, шайбы, линейки и другие плоские и длинные
инструменты изготовляют из листовой стали марок 15, 15Х, 20Х, 12ХН3А и для
получения рабочей поверхности с высокой твердостью и износостойкостью
подвергают цементации (стали 15, 20) и закалке; поверхностной закалке ТВЧ –
стали 50, 55; для крупного инструмента сложной формы применяют
азотируемую сталь 35ХМЮА.

Углеродистые инструментальные стали

Углеродистые стали (ГОСТ 1435) поставляют после отжига на зернистый

перлит с гарантией на химический состав и твердость. Их производят
качественными У7, У8, У9,…, У13 и высококачественными У7А, У8А, У9А,…,
У13А. Буква «У» в марке показывает, что сталь углеродистая, а цифра – среднее
содержание углерода в десятых долях процента. Благодаря невысокой
твердости в состоянии поставки углеродистые стали хорошо обрабатываются
резанием и деформируются, что позволяет применять накатку, насечку и другие
высокопроизводительные методы изготовления инструмента.
Из-за низкой прокаливаемости (10–12 мм) углеродистые стали пригодны для
мелкого инструмента или для инструмента сечением до 25 мм с незакаленной
сердцевиной, в которой режущая часть приходится на поверхностный слой

11
(метчики, развертки, напильники и т.п.). Несквозная закалка уменьшает
деформации инструмента и повышает за счет вязкой сердцевины его
устойчивость к ударам и вибрациям. В сечениях более 25 мм закаленный слой
получается тонким и продавливается во время работы.
Стали У7…У9 подвергают полной, а стали У10…У13 – неполной закалке.
Инструмент сечением более 15 мм охлаждают в воде или водных растворах
солей и щелочей. Инструменты меньшего сечения для уменьшения деформаций
и опасности растрескивания закаливают в масле или расплавах солей при 160–
200° С.
Стали У7, У8, У9, обеспечивающие более высокую вязкость, применяют для
инструментов, подвергающихся ударам: деревообделочного, слесарного,
кузнечного, а также матриц и др. После закалки их отпускают при 275–350°С.
Заэвтектоидные стали У10, У11, У12 используют после низкого отпуска (150–
180°С) со структурой мартенсита и включениями карбидов, обеспечивающих
повышенную износостойкость. Их применяют для инструментов с высокой
твердостью на рабочих гранях (HRC 62–64): режущего (напильники, пилы,
метчики, сверла, резцы и т.п.), измерительного (калибры простой формы и
невысоких классов точности) и небольших штампов холодной высадки и
вытяжки, работающих при невысоких нагрузках.
Сталь У13 применяют для инструментов, требующих наиболее высокой
твердости: шаберов, гравировального инструмента.
Высококачественные стали имеют то же назначение, что и качественные, но из-
за несколько лучшей вязкости их чаще используют для инструментов с более
тонкой режущей кромкой.
Недостатки углеродистых инструментальных сталей: чувствительность к
перегреву и отсутствие теплостойкости. Наиболее склонны к перегреву из-за
отсутствия избыточных карбидов стали У8 и У9, что существенно ограничивает
их применение.
Инструмент из углеродистых сталей отпускается и теряет твердость при
нагреве свыше 200°С. В связи с этим он пригоден для обработки сравнительно
мягких материалов и при небольших скоростях резания или деформирования.

Влияние легирующих элементов на свойства инструментальных сталей

Легирующие элементы в небольшом количестве (до 5%) вводят для
увеличения закаливаемости, прокаливаемости, уменьшения деформаций и
опасности растрескивания инструмента, так как позволяют проводить закалку в
масле или горячих средах. Хром – постоянный элемент низколегированных
сталей. Для улучшения свойств в них дополнительно вводят марганец,
кремний, вольфрам, никель.

12
 Марганец (1–2%) добавляют для обеспечения минимального изменения
размеров при закалке.
Кремний (1–1,5%) вводят для повышения сопротивления отпуску и
образования легко отделяющейся окалины.
Вольфрам (1–5%) – повышения износостойкости.
Никель (до 1,5%) добавляют в штамповые стали для увеличения вязкости.
Для обеспечения теплостойкости вводят хром, вольфрам или молибден в
большом количестве с тем, чтобы связать углерод в специальные
труднокоагулируемые при отпуске карбиды. Более существенно повышает
теплостойкость вольфрам или его химический аналог молибден, образующие в
присутствии, хрома стойкие к коагуляции карбиды типа M6C. Выделение
специальных карбидов повышает твердость после отпуска при 500–600°С.
Особенно эффективно вторичная твердость и теплостойкость повышаются при
введении нескольких сильных карбидообразователей, например, вольфрама и
ванадия.
Для обеспечения высокой износостойкости используют легированные
стали со значительным количеством избыточных карбидов – заэвтектоидные и
ледебуритные. Благодаря избыточным карбидам эти стали сохраняют мелкое
зерно и, как следствие, повышенную прочность и вязкость в широком
интервале закалочных температур (до 1000–1300°С). Вместе с этим большое
количество избыточных карбидов ухудшает обрабатываемость давлением и
резанием, создает карбидную неоднородность. Скопления карбидов, карбидная
сетка и полосчатость усиливают хрупкость, вызывают преждевременное
выкрашивание рабочих кромок. Для равномерного распределения карбидов
такие стали требуют всесторонней и тщательной ковки заготовок.

13
3. МЕХАНИЗМЫ РАССЕЯНИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПРОВОДНИКОВЫХ
МАТЕРИАЛАХ И ВЛИЯНИЕ РАССЕЯНИЯ НА ИХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ
СВОЙСТВА.

Рассеяние носителей заряда в кристаллических твёрдых телах - процесс

взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной
периодичности кристалла, сопровождающийся переходом электрона из
состояния с импульсом p в состояние с импульсом p’.
Рассеяние называется упругим, если энергии электрона в начальном и
конечном состояниях равны:
ε ( p )=ε ( p ' )
Или неупругим, если:
ε ( p ) ≠ ε ( p ')

Источником упругого рассеяния являются статические дефекты -

примесные атомы, дислокации, границы кристаллических зёрен и т. п.
Основным источником неупругого рассеяния являются колебания
кристаллической решётки. Рассеяние электрона на колебаниях решётки
описывается в терминах испускания и поглощения фононов движущимся
электроном. В некоторых случаях существенно неупругое рассеяние на других
квазичастицах - магнонах, плазмонах. Особое положение занимает рассеяние
носителей заряда друг на друге (межэлектронное рассеяние).
Рассеяние носителей заряда является причиной того, что любое
неравновесное по энергии или импульсу распределение электронов, созданное
внешним возмущением (электрическое поле, свет), с течением времени
релаксирует к равновесному фермиевскому распределению f T (ε),
соответствующему температуре кристалла Т. В процессе релаксации упругое
рассеяние "размешивает" распределение равномерно в пределах каждой
изоэнергетической поверхности ε ( p )=const , а неупругое - устанавливает
равновесное распределение f T (ε) между изоэнергетическими поверхностями с
разными ε . Время, необходимое для достижения равномерного распределения
на изоэнергетической поверхности, называется временем релаксации импульса
τ p (ε) или транспортным временем релаксации. Время, необходимое для
установления равновесного распределения в области энергий порядка ε ,
называется временем релаксации энергии τ ε (ε). Если τ ε ≫ τ p рассеяние
называется квазиупругим. В этом случае установление равновесия идёт в 2
этапа: сначала быстро (за время τ p) неравновесное распределение
выравнивается на каждой изоэнергетической поверхности и превращается в
неравновесное распределение по энергиям, которое затем медленно (за время τ ε
) релаксирует к равновесному распределению f T (ε).

14
Возмущением, ответственным за рассеяние носителей заряда, является разность
между истинным потенциалом V(r, t), действующим на электрон в реальном
кристалле, и периодическим потенциалом V0(r, t), действующим в идеальном
кристалле с неподвижными атомами (r - пространственная координата
электрона). Возмущение dV = V - V0 определяет вероятность рассеяния W p → p ' .
В вырожденных полупроводниках и металлах следует учитывать принцип
Паули, так что фактическая вероятность перехода равна W p → p ' [1−f ( p' ) ]. Кроме
того, при большой плотности носителей рассеяние ослабляется экранированием
возмущения из-за перераспределения носителей в пространстве.

Рассеяние на фононах
Вероятность рассеяния электрона при испускании или поглощении фонона с
импульсом q и энергией h ω p (без учёта принципа Паули) определяется
выражением:
2π 1 1
W ±p q→ p ' = ∨M ±q ¿ 2 δ (ε p−ε p ± h ωq )(N q + ± ) (1)
' '
h p→p
2 2
Здесь верхние и нижние знаки соответствуют испусканию и поглощению
фонона; числа фононов с импульсом q определяются распределением Планка:
N q =¿ (2)
Матричный элемент М перехода p : p' содержит закон сохранения
квазиимпульса: p− p' ± q=b (b - произвольный вектор обратной решётки).
Переходы, для которых b = 0, называются нормальными; если b≠0, говорят о
переходах с перебросом. Дельта-функция d отражает закон сохранения энергии.
Вероятность рассеяния с испусканием фонона W +q пропорциональна Nq + 1. Два
слагаемых, соответствующие Nq и 1, дают вероятности индуцированного и
спонтанного рассеяний. Вероятность рассеяния с поглощением фонона W −q
пропорциональна Nq, поэтому поглощение фонона всегда является
индуцированным.
Рассеяние электрона на фононах в большой степени определяется
законами сохранения энергии и импульса, а также принципом Паули. Поэтому
картина рассеяния различна для акустических и оптических фононов, имеющих
разные законы дисперсииε (p), и зависит от степени вырождения электронного
газа. Кинематика позволяет установить, какие фононы дают основной вклад в
рассеяние, какова степень упругости рассеяния, а также является ли оно
индуцированным или спонтанным.

15
 Рассеяние на акустических фононах в полупроводниках.
Т. к. скорость электрона v имеет порядок скорости звука s только при
очень малой его энергии, то в реальных условиях v ≫ s . Это означает, что
возмущение, создаваемое акустическим фононом, почти статично, а рассеяние
электронов всегда квазиупруго. Из кинематики следует, что основной вклад в
рассеяние вносят фононы с импульсом q ≈ p, поэтому направленный импульс
электрона теряется всего за несколько столкновений. Для релаксации энергии
требуется много столкновений, т. е. τ ε ≫ τ p.
Является ли рассеяние индуцированным или спонтанным, зависит от
соотношения между энергией фонона hsp и тепловой энергией Т. Эти величины
сравниваются, когда энергия электрона равна έ =T 2 / ms 2. Если ε ≫ έ то
характерны N q ≪1; доминирует спонтанное испускание фононов (динамическое
трение), и "движение" электрона по оси энергии ε есть систематический
дрейф вниз. При ε ≪ έ доминируют индуцированные переходы, т. к. N q ≫1. При
этом испускание происходит ненамного чаще, чем поглощение, и "движение"
электрона по оси энергий превращается в диффузию.
Рассеяние на акустических фононах в металлах и вырожденных
полупроводниках.
Вследствие закона сохранения импульса наиболее вероятно
взаимодействие с фононами, импульс которых q ≈ p F (где p F - импульс
Ферми).Но испусканию таких фононов (с энергией h ω q ≈ hs p F ) может
препятствовать принцип Паули, если превышение энергии электрона ε над
энергией Фермиε F много меньше hs p F, а поглощение может ослабляться из-за
малого числа таких фононов, если T ≪ hs p F. Поэтому характер рассеяния сильно
зависит от T и превышения энергии электрона над энергией Ферми. При
T ≫ hs p F почти для всех электронов ε −ε F ≫ hs pF (указанные ограничения
несущественны) и рассеяние (с испусканием и поглощением) идёт на фононах с
q ≈ p F и энергией h ω q ≫ hs p F . Для релаксации импульса требуется несколько
столкновений, а для релаксации энергии - много (квазиупругое рассеяние). При
T ≪ hs p F. поглощение фононов с энергией h ω q ≈ hs p F маловероятно, но если
ε −ε F ≫ hs pF , то принцип Паули не запрещает испускание таких фононов (в
основном спонтанное). Рассеяние, как и при высоких температурах,
квазиупруго. Если же ε −ε F ≪ hs pF , то принцип Паули разрешает только
испускание фононов с q ≪ pF . Такое рассеяние является малоугловым, и
выравнивание распределения электронов на поверхности Ферми происходит
диффузионно. Для полной релаксации импульса требуется много
столкновений, релаксация же энергии происходит за несколько столкновений
(неупругое рассеяние).

16
 Рассеяние на оптических фононах.
При рассеянии в металлах существенны оптические фононы во всей зоне
Бриллюэна, в основном коротковолновые с q ≅ b0, где b0 - размер Бриллюэна
зоны. В полупроводниках в рассеянии участвуют только оптические ДВ-
фононы с q ≪ b0. Частоту этих фононов ω 0 можно считать не зависящей от q.
Рассеяние на оптических фононах квазиупруго только при ε ≫ h ω0 , т. е. только
при очень высоких энергиях электронов. В области энергий ε ≪ h ω0
проявляются неупругий и пороговый характеры рассеяния. Это существенно
при низких температурах Т ≪ h ω0 , когда ниже порога ( ε < h ω0) рассеяние слабое
и возможно только за счёт маловероятного поглощения фонона,
−hω
пропорционального N 0=exp ⁡( T )≪ 1, а выше порога (ε > h ω0) рассеяние сильное
- оно происходит при спонтанном испускании фонона.

Деформационное и поляризационное рассеяния.

Выражение (1) входит матричный элемент М возмущения dV на
Болховских функциях, обычно dV и y неизвестны, поэтому М можно найти
только численными расчётами. Однако если рассеяние происходит на ДВ-
фононах, эту трудность можно обойти. Для этого следует усреднить dV по
объёму с размерами, большими постоянной решётки а0 и меньшими длины волны
фонона l = 2p/q. В результате усреднения появляется электрическое макрополе
еf. Для dV, созданного акустическим фононом, f(r, t) (r - координата точки, в
окрестности которой произведено усреднение) представляет собой
электрическое поле, сопровождающее волну деформации (пьезополе). В случае
оптического фонона f(r, t) - поле, возникающее из-за относительного смещения
разноимённо заряженных подрешёток. Рассеяние, обусловленное
электрическим макрополем, называется поляризационным. Матричные
элементы М́ для рассеяния, обусловленного макрополем, можно вычислять,
представляя волновые функции электрона в виде плоских волн.
Другим источником рассеяния является микрополе δ ~ V =δV −eφ выпавшее
при усреднении. В области усреднения, где еf почти постоянно, dV - почти
периодическая функция r. В этой области электрон движется в периодическом
~
поле V 0 +δ V и его закон дисперсии ε ' (p)отличается от закона дисперсии ε (p) в
идеальной решётке. В другой области усреднения будут другие δ ~ V ' и другие
ε ' (p). Т. к. частоты фононов меньше электронных, то закон дисперсииε (p)
"следит" за колебаниями решётки, Таким образом, в кристалле, в котором
возбуждены ДВ-фононы, закон дисперсии медленно меняется в пространстве и
времени; он описывается функциейε (p ; r , t), характерные масштабы изменения

17
которой такие же, как у f(r, t). Двигаясь в среде с переменным законом
дисперсии, электрон рассеивается (как свет в мутной среде), даже если
макрополе отсутствует. Такое рассеяние называется деформационным.
Матричные элементы ~ M деформационного рассеяния тоже можно
вычислять, заменяя блоховские функции на плоские волны, если в качестве
возмущения брать не δ ~V , а т. н. деформационный потенциал w(r, t). В
полупроводнике с невырожденной зоной w(r, t) имеет смысл сдвига дна или
потолка зоны в точке r в момент t, т. е. w ( r , t )=ε ( p ; r ,t )−ε ( p0 ), где р0
соответствует экстремуму зоны (или центру долины; в многодолинном
полупроводнике деформационный потенциал различен для электронов разных
долин). В металле w(r, t)- сдвиг поверхности Ферми, так что w зависит
дополнительно от положения p на поверхности Ферми.
Матричные элементы в случае поляризационного Ḿ и деформационного
~
M рассеяний, вычисленные через еf и w, всегда сдвинуты по фазе на p/2. Это
означает, что поляризационное и деформационное рассеяния, обусловленные
одной и той же фононной модой, не интерферируют. Поэтому говорят о
четырёх механизмах рассеяния: DA, DO, PA, PO, где первая буква указывает на
характер рассеяния (деформационный или поляризационный), вторая - на ветвь
фононов (акустическая или оптическая).
Рассеяние на примесных атомах.
При рассеянии на примесных атомах возмущение dV обусловлено
электрическим полем (если примесь заряжена) и деформацией решётки в
окрестности примеси. Иногда нужно учитывать обменные силы и магнитный
момент примеси. В случае заряженных примесей (примесных ионов) в
полупроводниках вклад в dV от деформации решётки несущественен. Т. к. в
полупроводнике p ≪b 0 , то изменение импульса электрона при упругом
рассеянии мало, а это значит, что рассеяние на больших расстояниях (r ≫ a0)
определяется сглаженным потенциалом dV(r). Такой потенциал не зависит от
микроструктуры примеси и имеет кулоновский вид:
Z e2
δV =
εr

где Ze - заряд иона. Поэтому время релаксации импульса τ p можно

вычислить, пользуясь формулой Резерфорда для сечения рассеяния заряженных
частиц. Согласно этой формуле, дифференциальное сечение рассеяния
электрона под углом ϑ в телесном угле dW:
1 2 4 ϑ Ze2
dσ ϑ d Ω= R cosec
( )
4 2()
d Ω , R=
4 πεm v 2
, (3)

18
 где v - скорость электрона. Для вычисления τ p необходимо усреднить s по
всем ϑ. При интегрировании (3) по ϑ получают расходящийся интеграл, т. е.
бесконечно большое сечение рассеяния. В действительности сечение рассеяния,
т. к. кулоновский характер поля dV на больших расстояниях от примеси
искажается полем других примесных ионов и экранирующим полем
электронов. Если учитывать первый фактор и "обрезать" кулоновский
потенциал на 1/2 расстояния между примесными центрами, равного N-1/3 (N -
концентрация примесей), то это приводит к формуле:
1
=4 π Φ Ze2 (ε Б h) N p−3 (4)
τp

m e4
Здесь ε Б= - боровская энергия.
2hε

Формула (4) носит название формулы Конуэлл - Вайскопфа.

Рассеяние на нейтральных примесях в полупроводниках обусловлено
кулоновскими и обменными силами, действующими между рассеивающимся
электроном и атомом примеси. Используя аналогию с рассеянием на атоме
водорода, обычно пользуются т. н. формулой Эргинсоя:
1 εБ
τp
=C
( )
h N a 3Б
,ε ≤ εБ

h2 ε
Где a Б= −боровский радиус ,С=20.
m e2

В металлах возмущение dV сильно зависит от сочетания атомов примеси и

матрицы, поэтому общие формулы для τ з получить не удаётся. Обычно сечение
рассеяния σ ≈ a 20 однако оно сильно возрастает при резонансном рассеянии
электронов на примесных атомах с незаполненными d- и f- оболочками, когда
на примеси существуют виртуальные уровни энергии (Кондо эффект).

19
 4. КАКИЕ ТЕРМОПАРЫ ПОЗВОЛЯЮТ ИЗМЕРЯТЬ ТЕМПЕРАТУРУ В
ДИАПАЗОНЕ -200 – +1700 ОС?

Согласно СТБ ГОСТ Р 8.585-2004 “Система обеспечения единства

измерений Республики Беларусь. Термопары. Номинальные статические
характеристики преобразования” потребуется использовать несколько типов
термопар, поскольку ни один тип не позволяет измерять температуру в таком
широком диапазоне.
Для измерения низких температур заданного диапазона можно
использовать термопары типов:
L (хромель / копелевые):
В диапазоне от -200℃ до -100℃ - с классом точности 3 и пределом
допускаемых отклонений 1,54 + 0,01|t| ℃
В диапазоне от -100℃ до 100℃ - с классом точности 3 и пределом
допускаемых отклонений 2,5℃
Термопарой типа L можно измерять температуры вплоть до 800℃ с
классом точности 2 и пределом допускаемых отклонений 0,7 + 0,005 t ℃ .
E (Никель – хром / медь-никелевые (хромель-константановые)):
В диапазоне от -200℃ до -167℃ - с классом точности 3 и пределом
допускаемых отклонений 0,015 |t| ℃
В диапазоне от -167℃ до 40℃ - с классом точности 3 и пределом
допускаемых отклонений 2,5℃
Термопарой типа E можно измерять температуры вплоть до 800℃ с
классом точности 1 и пределом допускаемых отклонений 0,004 t ℃ .
K (Никель – хром / никель-алюминиевые), N (Никель − хром −
кремний / никель-кремниевые (нихросилнисиловые)):
В диапазоне от -250℃ до -167℃ - с классом точности 3 и пределом
допускаемых отклонений 0,015 |t| ℃
В диапазоне от -167℃ до 40℃ - с классом точности 3 и пределом
допускаемых отклонений 2,5℃
Термопарой типа E можно измерять температуры вплоть до 1300℃ с
классом точности 1 и пределом допускаемых отклонений 0,004 t ℃ .

20
 Для измерения высоких температур заданного диапазона можно
использовать термопары типов:
A-1, А-2, А-3 (Вольфрам − рений / вольфрамрениевые):
В диапазоне от 1000℃ до 2500℃ - с классом точности 3 и пределом
допускаемых отклонений 0,007 |t| ℃
В диапазоне от 1000℃ до 2500℃ - с классом точности 2 и пределом
допускаемых отклонений 0,05|t| ℃ .
(Где t − значение измеряемой температуры, ℃)
Далее приведена таблица основных характеристик термопар.
Примечания:
t − значение измеряемой температуры, ℃;
Пределы допускаемых отклонений ТЭДС термопар ∆Е
рассчитывают по формуле:
∆E=∆t*dE/dt ,
где ∆t − предел опускаемого отклонения ТЭДС термопары от НСХ
преобразования, ℃;

dE/dt − чувствительность термопары, рассчитанная для измеренного

значения температуры, мВ∙℃-1

21
 Обозначение Пределы допускаемых отклонений
Обозначение Класс
промышленного Диапазон измерений, ℃ ТЭДС от НСХ ± ∆t,
типа термопары допуска
термопреобразователя ℃
2 От 0 до 600 1,5
Св. 600 до 0,0025 t
ТПП 1600
S, R 1 От 0 до 1100 1,0
СВ. 1100 до 1,0 + 0,003 (t − 1100)
1600
От 600 до 800 4,0
ТПР В 3 Св. 800 до 0,005 t
1800
2 От 600 до 1800 0,0025t
От − 200 до − 100 1,54 + 0,01|t|
L 3
ТХК Св. − 100 до + 100 2,5
От − 40 до + 360 2,5
2
Св. 360 до 800 0,7 + 0,005 t
От − 200 до – 167 0,015 |t|
3
Св. − 167 до + 40 2,5
От − 40 до + 333 2,5
ТХКн Е 2
Св. 333 до 900 0,0075 t
От − 40 до + 375 1,5
1
Св. 375 до 800 0,004 t
От − 250 до − 167 0,015 |t|
3
Св. − 167 до + 40 2,5
От − 40 до + 333 2,5
ТХА,ТНН K, N 2
Св. 333 до 1300 0,0075 t
От − 40 до + 375 1,5
1
Св. 375 до 1300 0,004 t
От − 200 до – 66 0,015 |t|
3
Св. − 66 до + 40 1,0
От − 40 до + 135 1,0
ТМК Т 2
Св. 135 до 400 0,0075 t
От − 40 до + 125 0,5
1
Св. 125 до 350 0,004 t
От 0 до 333 2,5
J 2 Св. 333 до 0,0075 t
ТЖК
900
От − 40 до + 375 1,5
1
Св. 375 до 750 0,004 t
ТМК M − От − 200 до 0 1,3+0,001|t|
Св. 0 до 100 1,0
A-1, 3 От 1000 до 2500 0,007t
ТВР А-2,
2 От 1000 до 2500 0,005t
А-3

22
 СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

[1] Новиков А.Ф., Строение вещества (Электронные оболочки атомов.

Химическая связь. Конденсированное состояние вещества). Учебное пособие. –
СПб: СПбНИУ ИТМО, 2013 – 92 с.
[2] Сулейманов Е.В. Химическое материаловедение (Часть I). Учебно-
методический материал по программе повышения квалификации
«Современные методы исследования новых материалов электроники и
оптоэлектроники для информационно-телекоммуникационных систем».
Нижний Новгород, 2006, 129 с.
[3] Химия: учебно-методический комплекс С. М. Арабей, И. Б. Бутылина,
С. И. Полушкина. – Минск: БГАТУ, 2014. – 340 с
[4] Стид Дж. В., Этвуд Дж.Л. Супрамолекулярная химия. Т. 1. — М.:
Академкнига, 2007. — 480 с.
[5] «Основы материаловедения». И.И. Сидорин, Г.Ф. Косолапов, В.И.
Макарова и др. Под ред. И.И. Сидорина. – М.: Машиностроение. – 1976, 436 с.
[6] «Материаловедение». Ю.М. Лахтин, В.П. Леонтьева. – М.:
Машиностроение. – 1972, 510 с.
[7] Конуэлл Э., Кинетические свойства полупроводников в сильных
электрических полях, пер. с англ., М., 1970; Вир Г. Л., Пикус Р. Е.
[8] Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, М., 1972;
Wiley J. D., Mobility of holes in III-V Compounds, в кн.: Semiconductors and
semimetals, v. 10, N. Y., 1975, p. 91; Гантмахер В. Ф., Лев и неон И. Б.,
Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках, М., 1984. И. Б.
Левинсон.

23