Вы находитесь на странице: 1из 29

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ

РЕСПУБЛИКАНСКИЙ ИНСТИТУТ
ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

УТВЕРЖДЕНО
Министерством образования
Республики Беларусь
20.12.2011 г.

ИСПЫТАНИЯ И КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА


МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ
ТИПОВАЯ УЧЕБНАЯ ПРОГРАММА
для реализации образовательной программы
среднего специального образования
по специальности 2-41 01 31 «Микроэлектроника»

Минск
2011

1
Рекомендовано к изданию экспертным советом
Республиканского института профессионального образования

Автор О.А. Достанко, старший преподаватель УО «Минский


государственный высший радиотехнический колледж».

Р е ц е н з е н т ы : С.В. Гранько, доцент кафедры микро- и наноэлектроники


УО «Белорусский государственный университет информа-
тики и радиоэлектроники», кандидат технических наук;
Т.Ф. Деревянко, преподаватель УО «Минский государ-
ственный политехнический колледж».

Ответственный за выпуск И.Ф. Гурская, методист отдела УО «Республи-


канский институт профессионального образования».

Типовая учебная программа обсуждена и одобрена на заседании бюро РМО


педагогических работников учреждений, обеспечивающих получение среднего
специального образования, по образованию в области радиоэлектроники и вы-
числительной техники.

Учебное издание

Редактор Л.Э. Татьянок


Технический редактор Е.С. Павлова
Корректор Т.И. Луневич

Подписано в печать 30.12.11. Формат 60×84/16.


Гарнитура «Таймс». Бумага офсетная.
Усл. печ. л. 2,57. Уч.-изд. л. 2,04. Тираж 15 экз. Заказ 346. Код 116/11.
Республиканский институт профессионального образования.
ЛИ № 02330/0549497 от 16.06.09.
Ул. К. Либкнехта, 32, 220004, г. Минск. Тел. 226-41-00.
Отпечатано на ризографе Республиканского института профессионального
образования. Ул. Матусевича, 24, 220104, г. Минск. Тел. 201-45-76.

© Республиканский институт
профессионального образования, 2011

2
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
Типовая учебная программа учебной дисциплины «Испытания и кон-
троль качества микроэлектронных устройств» (далее – программа) преду-
сматривает формирование знаний о методах испытаний (механических,
климатических, на соответствие конструктивно-техническим требованиям,
на надежность), а также навыков определения качества микроэлектронных
устройств посредством неразрушающих методов контроля (оптических,
электрических, радиационных, тепловых, электронной микроскопии).
Успешное усвоение учебного материала базируется на знаниях мате-
матики (теория вероятностей, элементы математической статистики); фи-
зики твердого тела и элементов активных микросхем (контактные явления
в полупроводниках, p-n переход, в контактах металл−полупроводник, яв-
ления на поверхности полупроводника и в приповерхностном слое); мате-
риаловедения (зависимость свойств материалов от внешних воздействую-
щих факторов); технологии производства микроэлектронных устройств
(технологические процессы изготовления гибридных и полупроводнико-
вых структур); стандартизации и сертификации; информационных техно-
логий (пользование ПК).
В результате изучения учебной дисциплины учащиеся должны
знать на уровне представления:
международные и национальные организации метрологии и стандарти-
зации;
роль стандартизации в обеспечении качества продукции;
показатели качества микроэлектронных устройств;
устройство контрольно-измерительных систем и комплексов, испыта-
тельного оборудования;
основные направления автоматизации контроля и испытаний;
современное состояние и перспективы развития измерительной тех-
ники;
производственные дефекты и связанные с ними виды отказов микро-
электронных устройств;
порядок анализа брака для выявления дефектов на производстве;
знать на уровне понимания:
механизмы возникновения отказов микроэлектронных устройств (эф-
фект Киркендалла, горячих носителей, инверсия типа проводимости, кор-
розия, образование интерметаллических соединений в контактах алюми-
ний−золото и т. д.);
влияние механических, климатических и других внешних факторов на
возникновение дефектов микроэлектронных устройств;
методы неразрушающего контроля и испытаний;
структурные схемы, принцип действия конкретного типа контрольно-
измерительного и испытательного оборудования;

1
уметь:
пользоваться стандартами, применять их в практической деятельности
для обеспечения качества изделий;
технически правильно выбирать метод контроля и испытания и соот-
ветствующую аппаратуру;
выполнять контроль и статистическую обработку результатов кон-
троля, прогнозировать выход годных изделий, выявлять причины брака по
причинно-следственной диаграмме;
составлять алгоритм методов испытаний;
контролировать внешний вид полупроводниковых пластин в процессе
производства микроэлектронных устройств;
оценивать качество приборов по вольтамперным характеристикам их
p-n переходов;
планировать ускоренное испытание на долговечность;
оценивать надежность полупроводниковых ИМС, ГИС и микросборок
предварительно (по статистическим данным) и окончательно (по результа-
там испытаний на безотказность).
Для контроля знаний предусмотрено проведение одной обязательной
контрольной работы, тематика и содержание которой разрабатываются
преподавателем и рассматриваются предметной (цикловой) комиссией.
В программе сформулированы цели изучения каждой темы на основе
характеристики деятельности обучаемого и уровней усвоения содержания
изучаемого материала, прогнозируются конкретные результаты достиже-
ния этих целей.
В программе приведен примерный перечень оснащения кабинета обо-
рудованием, техническими средствами обучения, необходимыми для обес-
печения образовательного процесса.
В программе приведены примерные критерии оценки результатов
учебной деятельности учащихся по учебной дисциплине, разработанные на
основе десятибалльной шкалы и показателей оценки результатов учебной
деятельности обучающихся в учреждениях среднего специального образо-
вания (постановление Министерства образования Республики Беларусь от
29.03.2004 № 17).
Приведенный в программе тематический план является примерным.
Предметная (цикловая) комиссия учреждения образования может вносить
обоснованные изменения в распределение учебных часов по разделам и
темам в пределах общего бюджета времени, отведенного на изучение
учебной дисциплины. Все изменения должны быть утверждены заместите-
лем руководителя учреждения образования по учебной работе.

2
ПРИМЕРНЫЙ ТЕМАТИЧЕСКИЙ ПЛАН
Количество
учебных часов
В том числе
Раздел, тема
Все- на лабора- на практиче-
го торные рабо- ские занятия
ты
Введение 1
Раздел 1. Основные показатели качества и надеж-
ности 13 4
1.1. Стандартизация и качество 5 2
1.2. Составляющие надежности и ее показатели 3
1.3. Законы надежности 1
1.4. Расчет надежности ГИС и микросборок на
этапе проектирования 3 2
1.5. Ориентировочный расчет надежности полу-
проводниковых ИМС 1
Раздел 2. Дефекты МЭУ и отказы, связанные с 10 2
ними
2.1. Классификация отказов 2
2.2. Дефекты окисных слоев кремния в полупро-
водниковых ИМС 4 2
2.3. Механизмы отказов МДП-структур 2
2.4. Дефекты и отказы токопроводящих систем,
тонкопленочных резисторов и конденсаторов 2
Раздел 3. Методы неразрушающего контроля 28 4 2
МЭУ
3.1. Виды операционного контроля 1
3.2. Оптические методы неразрушающего кон- 7 2
троля 6 2
3.3. Электрические методы неразрушающего 2
контроля 2
3.4. Тепловые методы неразрушающего контроля 3
3.5. Радиационные методы неразрушающего кон- 1
троля 5 2
3.6. Методы электронной микроскопии 1
3.7. Контроль качества по тест-структурам
3.8. Статистическая обработка результатов кон-
троля
3.9. Анализ брака
Раздел 4. Испытания МЭУ 44 6 2
4.1. Классификация воздействий и воздействующих
факторов 2
4.2. Классификация испытаний 2
4.3. Программа и методика испытаний 2
4.4. Выборочный метод испытаний 2
4.5. Механические испытания 10 2
4.6. Климатические испытания 10 2

3
4.7. Испытания на соответствие конструктивно-
техническим требованиям 4
Обязательная контрольная работа 1
4.8. Испытания на надежность 7 2 2
4.9. Электротермотренировка 2
4.10. Контрольные испытания готовой продукции 2
Итого 96 12 8

4
СОДЕРЖАНИЕ ПРОГРАММЫ
Цель изучения темы Содержание темы Результат
ВВЕДЕНИЕ
Дать представление о целях и Цели и задачи изучения учебной дисциплины, Высказывает общее суждение о
задачах учебной дисциплины, ее ее предмет. Понятия «качество», «контроль каче- целях, задачах учебной дисципли-
предмете. Сформировать понятие ства» и «испытание». Организация контроля ка- ны, ее предмете. Раскрывает поня-
о качестве, контроле качества, чества в производстве МЭУ. тия «качество», «контроль каче-
испытании. Сформировать пред- ства» и «испытание». Высказывает
ставление об организации и ме- общее суждение об организации и
тодах контроля качества и испы- методах контроля качества и испы-
таний в производстве МЭУ. таний в производстве МЭУ.
РАЗДЕЛ 1. ОСНОВНЫЕ ПОКАЗАТЕЛИ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ
Т е м а 1 . 1 . Стандартизация и качество
Сформировать знания о тех- Технические нормативные правовые акты, уста- Описывает технические норма-
нических нормативных правовых навливающие показатели качества. Технические тивные правовые акты, устанавли-
актах, регламентирующих пока- условия, стандарты: межгосударственные, госу- вающие показатели качества, ха-
затели качества. дарственные, международные. Показатели каче- рактеризует показатели качества.
ства: показатели назначения, надежности, эконом-
ного использования энергии, технологичности,
объемно-весовые, патентно-правовые, стандарти-
зации и унификации, стойкости к внешним воз-
действующим факторам.
Практические занятия № 1
Сформировать умение прогно- Оценка выхода годных изделий. Оценивает выход годных изде-
зировать и анализировать выход лий, строит причинно-следствен-
годных изделий, строить причин- ную диаграмму, анализирует тех-
но-следственную диаграмму для нологические операции по выходу
анализа брака на отдельной тех- годных изделий.

5
6
Цель изучения темы Содержание темы Результат
нологической операции с низким
выходом годных изделий.
Т е м а 1 . 2 . Составляющие надежности и ее показатели
Дать понятие о надежности, ее Понятие о надежности. Составляющие надеж- Формулирует понятие о надеж-
составляющих (безотказности, дол- ности: безотказность, долговечность, сохраняе- ности и ее составляющих, описы-
говечности, сохраняемости, ре- мость, ремонтопригодность. Количественные по- вает показатели надежности и их
монтопригодности) и показате- казатели и их стандартные величины: вероятность стандартные величины, объясняет
лях надежности. Сформировать безотказной работы, вероятность отказа, интен- зависимость интенсивности отка-
знания о зависимости интенсив- сивность отказа, средняя наработка до отказа, зов от времени эксплуатации и ее
ности отказов от времени экс- наработка, гамма-процентная наработка, срок характерные участки.
плуатации, о стандартных пока- службы, гамма-процентный ресурс, гамма-
зателях надежности. процентный срок сохраняемости. Зависимость
интенсивности отказов от времени эксплуатации.
Т е м а 1 . 3 . Законы надежности
Дать представление о законах Законы распределения дискретных случайных Называет законы распределения
распределения случайных вели- величин (биноминальный закон и закон Пуассо- дискретных и непрерывных слу-
чин. Сформировать знания об на). Законы распределения непрерывных случай- чайных величин. Описывает поря-
определении показателей надеж- ных величин (нормальный закон распределения – док определения показателей
ности при экспоненциальном рас- закон Гаусса, экспоненциальный и закон Вейбул- надежности при экспоненциаль-
пределении. ла). Показатели надежности при экспоненциаль- ном распределении случайных ве-
ном распределении случайных величин. личин.
Т е м а 1 . 4 . Расчет надежности ГИС и микросборок на этапе проектирования
Дать представление о стати- Статистический метод оценки надежности. Высказывают общее суждение о
стическом методе оценки надеж- Структурная модель надежности. Компоненты статистическом методе оценки
ности. ненадежности. Среднестатистические значения надежности.
Дать понятие о структурной интенсивности отказов компонентов ненадежно- Описывает структурную модель
модели надежности, компонен- сти. Поправочные коэффициенты для учета усло- надежности, компоненты ненадеж-
тах ненадежности, об определе- вий эксплуатации, отличных от нормальных. Ис- ности, определяет среднестатисти-
Цель изучения темы Содержание темы Результат
нии поправочных коэффициен- ходные данные. Порядок расчета показателей ческие значения интенсивности отка-
тов, среднестатистических значе- надежности: интенсивности отказов ГИС, вероят- зов и поправочные коэффициенты
ний интенсивности отказов ком- ности безотказной работы и средней наработки до с учетом условий эксплуатации.
понентов надежности. отказа. Объясняет порядок расчета ин-
Сформировать знания о расче- тенсивности отказов ГИС, вероят-
те интенсивности отказов ГИС, ности безотказной работы и сред-
вероятности безотказной работы ней наработки до отказа.
и средней наработки до отказа.
Практические занятия № 2
Сформировать умение анали- Исследование надежности ГИС и микросборок Анализирует надежность ГИС и
зировать надежность ГИС и мик- статистическим методом. микросборок статистическим ме-
росборок статистическим методом. тодом.
Т е м а 1 . 5 . Ориентировочный расчет надежности полупроводниковых ИМС
Дать представление об ориен- Исходные данные. Компоненты ненадежности, Высказывает общее суждение
тировочном методе оценки надеж- справочные данные для них: среднестатистиче- об ориентировочном методе оцен-
ности полупроводниковых ИМС. ские значения интенсивности отказов для нор- ки надежности полупроводнико-
Дать понятие о порядке расчета мальных условий эксплуатации и поправочные вых ИМС. Описывает порядок
показателей надежности. коэффициенты с учетом условий эксплуатации, расчета показателей надежности.
отличных от нормальных. Порядок расчета.
РАЗДЕЛ 2. ДЕФЕКТЫ МЭУ И ОТКАЗЫ, СВЯЗАННЫЕ С НИМИ
Т е м а 2 . 1 . Классификация отказов
Дать понятие о видах отказов, Понятие отказа, его причины и механизмы на Раскрывает понятие отказа, его
их причинах и механизмах на примерах технологических дефектов МЭУ. виды, причины и механизмы на
примерах технологических де- Внезапные, постепенные, самоустраняющиеся примере технологических дефек-
фектов МЭУ. (сбой и перемежающиеся) отказы. Конструкцион- тов МЭУ.
ные, производственные и эксплуатационные отка-
зы. Зависимые и независимые отказы.

7
8
Цель изучения темы Содержание темы Результат
Тема 2.2. Дефекты окисных слоев кремния в полупроводниковых ИМС
Познакомить с дефектами окис- Роль окисных слоев кремния в полупроводни- Различает дефекты окисных
ных слоев кремния в полупро- ковых ИМС. Дефекты SiO2: во время роста, из-за слоев кремния, называет причины
водниковых ИМС, причинами их дефектов фоторезистивной маски. Дефекты диф- их появления, механизм и вид свя-
появления, механизмом и видом фузии, металлизации из-за дефектов в окисле; от- занного с ними отказа.
связанного с ними отказа. казы, связанные с этими дефектами. Механизм
образования инверсионных слоев в активных
структурах из-за накопления зарядов в SiO2 и на
поверхности.
Лабораторная работа № 1
Научить измерять толщину Контроль качества оксида кремния. Измеряет толщину окисного слоя
оксида кремния цветовым мето- кремния цветовым методом по кли-
дом по клину травления, опреде- ну травления, определяет плот-
лять плотность, пористость, заряд ность, пористость и заряд оксида
окисного слоя кремния. кремния.
Т е м а 2 . 3 . Механизмы отказов МДП-структур
Сформировать представление Механизмы отказов МДП-структур: статиче- Высказывает общее суждение о
о механизмах отказов МДП- ское электричество, эффект «горячих» носителей, механизмах отказов МДП-структур.
структур. «мягкая» ошибка, эффект защелкивания и др.
Т е м а 2 . 4 . Дефекты и отказы токопроводящих систем, тонкопленочных резисторов и конденсаторов
Сформировать знания о де- Технологические дефекты тонкопленочных Описывает дефекты и виды от-
фектах и отказах тонкопленоч- проводников (плохая адгезия, неравномерность казов тонкопленочных проводни-
ных проводников и контактов. толщины, поры, царапины, сужение и др.), кон- ков и контактов.
Дать понятие о деградацион- тактов кремний−алюминий (растворение кремния Описывает деградационные про-
ных процессах. в алюминии, клин окисного слоя, неравномер- цессы.
Познакомить с внезапными и ность запыления контактного окна и др.) и кон- Различает внезапные и посте-
постепенными отказами из-за кон- тактов алюминиевая контактная площадка– пенные отказы тонкопленочных
Цель изучения темы Содержание темы Результат
струкционных и технологических золотой микропровод. резисторов и тонкопленочных кон-
дефектов тонкопленочных рези- Деградационные процессы: электромиграция, денсаторов из-за конструкцион-
сторов и конденсаторов. коррозия, окисление металлизации, образование ных и технологических дефектов.
интерметаллических соединений (пурпурная «чу-
ма»), эффект Киркендалла.
Внезапные и постепенные отказы тонкопле-
ночных резисторов и конденсаторов из-за кон-
струкционных и технологических дефектов.
РАЗДЕЛ 3. МЕТОДЫ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ МЭУ
Т е м а 3 . 1 . Виды операционного контроля
Дать понятие о видах опера- Виды операционного контроля и методы не- Описывает виды операционного
ционного контроля и методах не- разрушающего контроля в зависимости от физи- контроля и методы неразрушаю-
разрушающего контроля в зави- ческих явлений. щего контроля в зависимости от
симости от физических явлений. физических явлений.
Т е м а 3 . 2 . Оптические методы неразрушающего контроля
Сформировать знания о мето- Понятие оптического метода неразрушающего Описывает оптические методы
дах оптического неразрушающе- контроля. Группы методов оптического контроля. неразрушающего контроля, их груп-
го контроля, об их отдельных Контроль внешнего вида: визуальный контроль пы, возможности человеческого гла-
группах; о возможностях челове- (возможности человеческого глаза) и визуально- за, структурную схему оптического
ческого глаза для визуального оптический контроль (структура оптического микроскопа, его элементы.
контроля; о структуре оптиче- микроскопа). Основные оптические элементы и Объясняет методы контроля гео-
ского микроскопа и его элемен- устройства (источники света, линзы, зеркала, метрических размеров топологии,
тов для визуально-оптического призмы, фильтры, диафрагмы и др.). Построение структуру фотометрического мик-
контроля; о построении изобра- изображения, создаваемого объективом. роскопа, принцип его действия.
жения в линзах (объективе). Контроль геометрических размеров (фотомет- Описывает методы контроля тол-
Сформировать знания о мето- рический, спектральный, телевизионный и др.). щины слоев, пленок; объясняет
дах контроля геометрических Структура и принцип действия фотометрического устройство и принцип действия

9
10
Цель изучения темы Содержание темы Результат
размеров; о структуре и принци- микроскопа. Преобразователи оптического излу- микроинтерферометра и эллипсо-
пе действия фотометрического чения. Контроль толщины слоев, пленок (интер- метра.
микроскопа; о методах контроля ференционный, поляризационный и др.). Устрой- Высказывает общее суждение о
толщины слоев, пленок; об ство и принцип действия микроинтерферометра и системе технического зрения и ис-
устройстве и принципе действия эллипсометра. пользовании ЭВМ в средствах оп-
микроинтерферометра, эллипсо- Системы технического зрения и ЭВМ. тического контроля.
метра.
Сформировать представление
о системе технического зрения и
об использовании ЭВМ в сред-
ствах оптического контроля.
Лабораторная работа № 2
Научить пользоваться оптиче- Контроль внешнего вида кристаллов ИМС на Демонстрирует умение пользо-
ским микроскопом, проводить кремниевой подложке. ваться оптическим микроскопом,
контроль внешнего вида кристал- проводить контроль внешнего ви-
лов ИМС на кремниевой подлож- да кристаллов ИМС на кремние-
ке, выявлять дефекты поверхно- вой подложке, выявлять дефекты
сти и делать выводы о причине их поверхности, делать вывод о при-
появления, о возможном виде и чине, виде и механизме отказа
механизме отказа. контролируемого объекта.
Т е м а 3 . 3 . Электрические методы неразрушающего контроля
Сформировать знания о мето- Контроль удельного электрического сопротив- Описывает методы и способы
дах и способах электрического ления полупроводниковых пластин для формиро- электрического неразрушающего
неразрушающего контроля, его вания партий пластин (4-зондовый метод). Кон- контроля, объясняет их назначе-
назначении в производстве МЭУ; троль поверхностного сопротивления диффузион- ние в производстве МЭУ и прин-
о принципе автоматизации мето- ных и ионноимплантированных слоев (6-зондовый цип автоматизации методов пара-
дов параметрического и функци- метод контроля). Анализ ВАХ и m-характеристик метрического и функционального
онального контроля. для контроля качества p-n переходов. Отклонение контроля.
характеристик от идеальных из-за дефектов
Цель изучения темы Содержание темы Результат
структуры и поверхности.
Контроль ВАХ для контроля качества МДП-
структур и контроля типа проводимости полупро-
водниковой пластины.
Контроль статистических и динамических па-
раметров. Метод амперметра-вольтметра и ос-
циллографический метод.
Контроль функционирования. Принцип авто-
матизации параметрического и функционального
контроля на установках типа ИИС (информаци-
онно-измерительная система).
Лабораторная работа № 3
Сформировать умение сни- Контроль качества p-n переходов. Снимает ВАХ p-n перехода на
мать ВАХ p-n перехода на по- постоянном токе с помощью лабо-
стоянном токе с помощью лабо- раторного макета характериографа
раторного макета характериогра- и наблюдает ее на осциллографе,
фа и наблюдать ВАХ на осцил- выявляет причины отклонения ВАХ
лографе. Научить выявлять при- от идеальной.
чины отклонения ВАХ от иде-
альной.
Т е м а 3 . 4 . Тепловые методы неразрушающего контроля
Сформировать знания о кон- Контактные способы теплового контроля. Тер- Описывает способы теплового
тактных и бесконтактных спосо- мометрические характеристики. Электрические неразрушающего контроля, тер-
бах теплового неразрушающего (термосопротивление, термопары) и неэлектриче- мометрические характеристики, уст-
контроля; о термометрических ские термодатчики. ройство и принцип действия неко-
характеристиках, о термодатчи- Жидкокристаллическая термография. Бескон- торых средств контроля (яркостно-
ках; об устройстве и принципе тактные способы теплового контроля. Закон Сте- го пирометра, тепловизора и др.).
действия яркостного пирометра, фана–Больцмана. Устройство и принцип действия
тепловизора и других средств яркостного пирометра, тепловизора и других
контроля. средств контроля.

11
12
Цель изучения темы Содержание темы Результат
Тема 3 . 5 . Радиационные методы неразрушающего контроля
Ознакомить со структурой и Структура и принцип действия рентгенотеле- Высказывает общее суждение о
принципом действия рентгеноте- визионного микроскопа (МТР). Способы реги- структуре, принципе действия рент-
левизионного микроскопа, рент- страции теневого изображения. Рентгеновидико- генотелевизионного микроскопа,
геновидикона, дифрактометра. ны. Достоинства и недостатки МТР. Дифракто- рентгеновидикона, дифрактометра.
Сформировать знания о спо- метры. Описывает способы регистра-
собах регистрации теневого изоб- ции теневого изображения.
ражения.
Т е м а 3 . 6 . Методы электронной микроскопии
Сформировать знания о мето- Просвечивающая электронная микроскопия. Описывает методы электронной
дах электронной микроскопии, Принцип действия просвечивающего электронно- микроскопии, структуру и прин-
структуре и принципе действия го микроскопа (ПЭМ). Работа ПЭМ в режиме ди- цип действия ПЭМ и РЭМ, их до-
ПЭМ и РЭМ, об их достоинствах фракции. Электронограммы. Возможности и не- стоинства и недостатки, способы
и недостатках; о способах опре- достатки ПЭМ. определения состава контролируе-
деления состава контролируемо- Растровая электронная микроскопия. Структу- мого объекта с помощью Оже-
го объекта (Оже-спектрометрия, ра РЭМ, достоинства, недостатки. Способы опре- спектрометрии, растрового рент-
растровый рентгеновский микро- деления состава контролируемого объекта: Оже- геновского микроанализа.
анализ). спектрометрия, растровый рентгеновский микро-
анализ.
Т е м а 3 . 7 . Контроль качества по тест-структурам
Дать понятие о тест-струк- Понятие тест-структуры, тестового кристалла. Раскрывает понятие «тест-струк-
турах, их видах, о прогнозирова- Виды тестовых структур: элементы физической тура», объясняет назначение раз-
нии выхода годных кристаллов структуры и элементы функциональной структу- личных видов тест-структур, опре-
МЭУ по тест-структурам. ры. Прогнозирование выхода годных кристаллов деляет выход годных кристаллов
по тест-структурам. МЭУ по тест-структурам.
Т е м а 3 . 8 . Статистическая обработка результатов контроля
Сформировать знания о стати- Ранжированный статистический ряд. Опреде- Излагает характеристики стати-
стическом ряде, его характери- ление его характеристик (мода, медиана, среднее стического ряда, объясняет виды гра-
Цель изучения темы Содержание темы Результат
стиках и графическом представ- выборочное, дисперсия, среднее квадратичное от- фического представления статисти-
лении, о правиле «трех сигм». клонение, размах). Графическое представление ческого ряда, правило «трех сигм».
статистических рядов (полигон частот, гистограмма
распределения, контрольные карты), нормальный
закон распределения. Правило «трех сигм».
Практические занятия № 3
Сформировать умение выстра- Статистическая обработка результатов контроля. Выстраивает ранжированный ста-
ивать ранжированный статисти- тистический ряд для данной вы-
ческий ряд, определять его ха- борки контрольных результатов,
рактеристики и графически пред- определяет его характеристики,
ставлять ряд в виде полигона ча- изображает распределение в виде
стот, гистограммы распределе- полигона абсолютных частот и ги-
ния, контрольной карты с учетом стограммы, сравнивает гисто-
правила «трех сигм», сравнивать грамму с нормальным законом
гистограмму с нормальным за- распределения, представляет дан-
коном распределения и делать ные выборки на контрольной кар-
вывод о качестве технологиче- те с учетом правила «трех сигм» и
ской операции. делает вывод о качестве техноло-
гической операции.
Т е м а 3 . 9 . Анализ брака
Дать представление об этапах Первичный анализ брака без вскрытия корпуса Различает этапы анализа брака,
анализа брака и используемых и вторичный анализ брака после вскрытия корпу- называет методы неразрушающего
при этом методах неразрушаю- са. Использование методов неразрушающего кон- контроля для анализа брака, вы-
щего контроля, о системе управ- троля. Система управления качеством продукции сказывает общее суждение о си-
ления качеством продукции в ор- в организации. стеме управления качеством про-
ганизации. дукции в организации.

13
14
Цель изучения темы Содержание темы Результат
РАЗДЕЛ 4. ИСПЫТАНИЯ МЭУ
Т е м а 4 . 1 . Классификация воздействий и воздействующих факторов
Дать понятие о воздействии и Внешние и внутренние воздействия. Объектив- Описывает воздействующие фак-
воздействующих факторах, ви- ные (прямые и косвенные) и субъективные воз- торы, их виды и методы защиты
дах и методах защиты МЭУ от действующие факторы. Климатические (темпера- МЭУ от вредных воздействий.
вредных воздействий. тура, влажность, атмосферное давление), механи-
ческие (вибрации, удары, линейные ускорения,
акустический шум), биологические (плесневые
грибки) и другие воздействующие факторы. Ме-
тоды защиты МЭУ от вредных воздействий.
Т е м а 4 . 2 . Классификация испытаний
Сформировать знания о клас- Классификация испытаний по назначению (ис- Излагает классификацию испы-
сификации испытаний. следовательские, сравнительные, определитель- таний.
ные, контрольные); по месту проведения (лабора-
торные, стендовые, полигонные, натурные); по
виду воздействия (механические, климатические,
электрические, радиационные); по результату
воздействия (разрушающие и неразрушающие, на
устойчивость, на прочность); по продолжительно-
сти (ускоренные, нормальные, сокращенные). Ис-
пытания готовой продукции (квалификационные,
периодические, приемосдаточные, типовые) и др.
Т е м а 4 . 3 . Программа и методика испытаний
Познакомить с основными раз- Содержание основных разделов программы ис- Высказывает общее суждение
делами программы испытаний. пытаний. Выбор уровня воздействия, метода ис- об основных разделах программы
пытания. Подготовка изделий к испытаниям. испытаний и их содержании.
Проверка испытуемого изделия до, во время и по-
сле испытаний. Регистрация результатов испытаний.
Цель изучения темы Содержание темы Результат
Т е м а 4 . 4 . Выборочный метод испытаний
Сформировать знания о вы- Классификация выборок. Выборочные характе- Излагает классификацию выбо-
борках, их характеристиках, об ристики (доверительные границы, достоверность). рок, выборочные характеристики;
оперативной характеристике. Дать Приемочные и браковочные числа. Оперативная оперативную характеристику; опре-
понятие о риске изготовителя и характеристика. Риск изготовителя и риск заказ- деляет риск изготовителя и риск
риске заказчика. чика. заказчика.
Т е м а 4 . 5 . Механические испытания
Сформировать представление Механические воздействующие факторы, отка- Высказывает общее суждение о
о механических воздействиях, зы МЭУ, связанные с упругими и пластическими воздействии механических факто-
дефектах и отказах, связанных с деформациями. Стандартные уровни механиче- ров. Называет стандартные уровни,
этими воздействиями. Сформи- ских воздействий. Дефекты, выявляемые механи- дефекты и отказы МЭУ, связанные
ровать знания о методах механи- ческими воздействиями. Методы механических с этими воздействиями. Излагает
ческих испытаний. испытаний. методы механических испытаний.
Сформировать понятие о воз- Испытания на воздействие вибрации детерми- Описывает синусоидальную и
действиях синусоидальной и слу- нированной (синусоидальной) и случайной. Об- случайную вибрацию, роль резо-
чайной вибрации; роли обнару- наружение резонансных частот пьезоэлектриче- нансных частот, методы испыта-
жения резонансных частот; ме- ским методом. Методы испытаний на вибро- ний на виброустойчивость и виб-
тодах испытаний на виброустой- устойчивость и вибропрочность. Устройства для ропрочность, испытательное обо-
чивость и вибропрочность; об испытаний. рудование.
испытательном оборудовании Испытания на воздействие ударной нагрузки. Объясняет воздействие ударной
Сформировать знания о меха- Механизм воздействия удара. Ударный импульс. нагрузки, описывает параметры уда-
низме воздействия ударной Пиковое ударное ускорение и его длитель- ра, испытания на ударную устой-
нагрузки, параметрах удара и их ность. чивость и ударную прочность на
определении во время испытаний Ударная устойчивость и ударная прочность. механических ударных стендах.
на ударную устойчивость и удар- Механические ударные стенды одиночных Высказывает общее суждение
ную прочность на механических ударов копрового типа и многократных ударов об испытаниях на воздействие ли-
ударных стендах. кулачного типа. Определение параметров ударно- нейного ускорения, акустического
Сформировать представление го импульса в процессе испытаний. шума, о методах испытания на
об испытаниях на воздействие Испытания на воздействие линейного ускоре- прочность выводов МЭУ.

15
16
Цель изучения темы Содержание темы Результат
линейного ускорения, акустиче- ния на центрифуге. Испытания на воздействие
ского шума и методах испытания акустического шума в реверберационных акусти-
на прочность внутренних и внеш- ческих камерах. Испытания на прочность внут-
них выводов МЭУ. ренних и внешних выводов МЭУ, на изгиб, на
растяжение выводов корпусов, на сдвиг кристалла.
Лабораторная работа № 4
Научить применять знание кон- Организация испытаний ИМС на вибропроч- Характеризует конструкцию и
струкции и принципа действия ность и виброустойчивость обосновывает принцип действия
вибрационной электродинамиче- вибрационной электродинамиче-
ской установки, конкретных стан- ской установки; для конкретного
дартных методов и параметров метода и параметров испытаний
испытаний ИМС в зависимости составляет алгоритм проведения
от степени жесткости для состав- испытания по заданному варианту.
ления алгоритма проведения ис-
пытания по заданному варианту.
Т е м а 4 . 6 . Климатические испытания
Сформировать понятие о кли- Воздействие климатических факторов. Стан- Излагает климатические воздей-
матических воздействиях, стан- дартные нормы климатических воздействий для ствия, их стандартные нормы для
дартных нормах для ИМС, основ- ИМС. Климатические испытания: составные и ИМС, основные методы климатиче-
ных методах и общей методоло- комбинированные. Основные методы климатиче- ских испытаний, общую методоло-
гии климатических испытаний. ских испытаний. Общая методология климатиче- гию климатических испытаний.
Сформировать понятие о ме- ских испытаний. Описывает методы испытаний на
тодах испытаний на воздействие Испытание на воздействие повышенной рабо- воздействие температуры, испыта-
повышенной, пониженной темпе- чей температуры среды нетепловыделяющих и тельное оборудование, объясняет
ратуры среды и ее изменения, об тепловыделяющих изделий, под электрической принцип измерения температуры.
испытательном оборудовании и нагрузкой в испытательной камере и вне ее. Ис- Описывает методы испытания
принципе измерения температуры. пытание на воздействие пониженной рабочей на воздействие повышенной влаж-
Сформировать знания о мето- температуры среды. Испытание на воздействие ности, устройство и принцип дей-
Цель изучения темы Содержание темы Результат
дах испытаний на воздействие изменения температуры среды: быстрое (метод ствия камеры влаги, методы изме-
повышенной влажности в камере двух камер) и резкое (метод двух жидкостных рения влажности. Излагает методы
влаги, об устройстве, принципе ванн). Испытательное оборудование. Принцип испытания на воздействие атмо-
действия камеры влаги, методах измерения температуры. сферного давления в барокамере.
измерения влажности; об испы- Испытание на воздействие повышенной влаж- Описывает методы и испыта-
таниях в барокамере на воздей- ности под электрической нагрузкой (постоянный тельное оборудование для специаль-
ствие атмосферного повышенно- и циклический режимы) и без электрической ных испытаний, проводимых один
го и пониженного давления. нагрузки по постоянному режиму. Камера влаги, раз при освоении производства.
Сформировать знания о мето- устройство и принцип действия. Методы измере-
дах специальных испытаний, про- ния влажности. Испытание на воздействие пони-
водимых один раз при освоении женного и повышенного атмосферного давления в
производства, об испытательном барокамере.
оборудовании. Специальные испытания, проводимые один раз
при освоении производства. Испытания на воз-
действие инея и росы, статической пыли, плесне-
вых грибов, соляного тумана, определение точки
росы и паров воды внутри корпуса ИМС. Испыта-
тельное оборудование.
Лабораторная работа № 5
Сформировать умение прово- Испытание МЭУ на воздействие повышенной Испытывает МЭУ на воздей-
дить испытания МЭУ на воздей- температуры среды. ствие повышенной температуры
ствие повышенной температуры среды в камере тепла и анализиру-
среды в камере тепла и анализи- ет полученные результаты.
ровать результаты испытаний.
Т е м а 4 . 7 . Испытания на соответствие конструктивно-техническим требованиям
Сформировать знания о мето- Методы проверки герметичности МЭУ: масс- Описывает методы проверки гер-
дах проверки герметичности МЭУ. спектрометрический, путем погружения в жид- метичности.
Дать представление о методах кость с повышенной температурой и с понижен- Высказывает общее суждение о

17
18
Цель изучения темы Содержание темы Результат
проверки способности к пайке и ным давлением, электроннозахватного течеиска- методах проверки способности к
термостойкости при пайке, ис- теля, диффузионно-магниторазрядный, радиоак- пайке и термостойкости при пай-
пытаний на пожарную безопас- тивный, проникающего красителя. ке, испытаний на пожарную без-
ность, о правилах проверки мас- Испытания на способность к пайке с примене- опасность. Называет правила про-
сы, прочности упаковки и каче- нием паяльной ванны, паяльника и капельной уста- верки массы, прочности упаковки
ства маркировки. новки с учетом предварительного ускорения ста- и качества маркировки.
рения в водяном паре; проверка теплостойкости
при пайке. Испытания на пожарную безопасность
(на воздействие пламени и аварийных электриче-
ских перегрузок). Проверка массы, прочности упа-
ковки, качества маркировки.
Обязательная контрольная работа
Т е м а 4 . 8 . Испытания на надежность
Дать представление о плани- Планирование испытаний на надежность. Пла- Высказывает общее суждение о
ровании испытаний на надеж- ны контроля. Одноступенчатый и двухступенча- планировании испытаний на
ность и методах их контроля. тый контроль. Испытание на безотказность. Рас- надежность и методах их кон-
Сформировать знания о мето- чет показателей безотказности. троля.
дах испытаний на безотказность, Испытание на долговечность, на гамма-про- Описывает метод испытания на
долговечность, сохраняемость, о центный ресурс, на сохраняемость. Расчет показа- безотказность и определяет пока-
способах определения их показа- телей долговечности и сохраняемости. затели безотказности по результа-
телей по результатам испытаний. Ускоренные испытания на надежность. Закон там испытаний.
Дать общее представление об Аррениуса. Факторы ускорения. Излагает методы испытаний на
ускоренных испытаниях на долговечность и сохраняемость,
надежность. способы определения показателей.
Высказывает общее суждение об
ускоренных испытаниях на надеж-
ность.
Лабораторная работа № 6
Научить применять знание ме- Испытание микросхем на безотказность. Производить проверку микро-
Цель изучения темы Содержание темы Результат
тода испытания микросхем на схемы на безотказность, рассчи-
безотказность, оценивать их тывает показатели надежности мик-
надежность по результатам ис- росхем по результатам этих испы-
пытаний, строить лямбда- таний, строит участок приработки
характеристику (участок прира- лямбда-характеристики, строит
ботки), строить график распре- график распределения вероятности
деления вероятности безотказной безотказной работы во времени.
работы во времени.
Практические занятия № 4
Сформировать умение органи- Организация ускоренных испытаний на долго- Организует ускоренные испы-
зовывать ускоренные испытания вечность. тания на долговечность: рассчи-
на долговечность: рассчитывать тывает коэффициент ускорения за
коэффициент ускорения в случае счет повышенной температуры с
ускоряющего фактора – повы- учетом энергии активации меха-
шенной температуры с учетом низмов отказов, определяет интен-
энергии активации механизмов сивность отказов для нормального
отказов, времени испытания для режима испытаний и время для ее
подтверждения интенсивности подтверждения в ускоренном ре-
отказов при нормальном режиме жиме, корректирует объем выбор-
испытаний, корректировать объ- ки для нормального режима испы-
ем выборки, данный для нор- таний.
мального режима испытаний.
Т е м а 4 . 9 . Электротермотренировка
Дать понятие о тренировке Понятие о тренировке МЭУ. Электротермотре- Раскрывает понятие тренировки
МЭУ, об электротермотрениров- нировка (ЭТТ) – 100%-е отбраковочное испыта- МЭУ. Характеризует ЭТТ как
ке – 100%-ном отбраковочном ние, средство ускорения эксплуатационных меха- 100%-е отбраковочное испытание
испытании МЭУ в статическом низмов отказов. Зависимость периода приработки МЭУ в статическом и динамиче-
или динамическом режимах, о МЭУ от температуры. ЭТТ в статическом и дина- ском режимах. Объясняет зависи-
зависимости периода приработки мическом режимах. мость периода приработки МЭУ

19
20
Цель изучения темы Содержание темы Результат
МЭУ от температуры. от температуры.
Т е м а 4 . 1 0 . Контрольные испытания готовой продукции
Дать понятие о квалификаци- Квалификационные, периодические, приемо- Описывает квалификационные,
онных, периодических, приемо- сдаточные, типовые испытания готовой продук- периодические, приемосдаточные и
сдаточных и типовых испытани- ции. Группы испытаний К-1÷К-15, П-1÷П-6, типовые испытания, их назначение.
ях, об их составе, видах и после- С-1÷С-3, вид и последовательность испытаний в Излагает состав контрольных
довательности каждой группе. испытаний, виды испытаний и их
Технологические 100%-е отбраковочные испы- последовательность
тания, виды испытаний, их последовательность и
режимы
ПРИМЕРНЫЕ КРИТЕРИИ И ПОКАЗАТЕЛИ ОЦЕНКИ
РЕЗУЛЬТАТОВ УЧЕБНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ УЧАЩИХСЯ
Отметка
Показатели оценки
в баллах
Узнавание отдельных объектов изучения программного учебного матери-
1
ала, предъявленных в готовом виде (определений, понятий в области ис-
(один)
пытаний и контроля качества микроэлектронных устройств и т. д.)
Различение объектов изучения программного учебного материала,
предъявленных в готовом виде (оптических, электрических, тепловых,
радиационных методов неразрушающего контроля, методов элек-
тронной микроскопии, климатических, механических испытаний, ис-
2
пытаний на надежность и т. д.); осуществление соответствующих
(два)
практических действий (определение показателей надежности по ре-
зультатам испытаний на безотказность, статистическая обработка ре-
зультатов контроля, контроль внешнего вида, изображение ВАХ p-n-
перехода и т. д.)
Воспроизведение части программного учебного материала по памяти
(фрагментарный пересказ методов контроля или испытания и перечис-
3 ление методов неразрушающего контроля, видов испытаний и т. д.);
(три) осуществление умственных и практических действий по образцу (опре-
деление по формулам показателей надежности, выхода годных изде-
лий и т. д.)
Воспроизведение большей части программного учебного материала
(описание с элементами объяснения структурной схемы оптического,
растрового электронного микроскопов и т. д.); применение знаний в
4
знакомой ситуации по образцу (определение дефекта структуры на
(четыре)
рисунке, предположение вероятной причины его появления, объясне-
ние механизма отказа и его вида и т. д.); наличие единичных суще-
ственных ошибок
Осознанное воспроизведение большей части программного учебного
материала (описание с объяснением воздействий климатических фак-
торов, результатов воздействий, контрольно-измерительного оборудо-
вания, принципов автоматизации и т. д.); применение знаний в знако-
5
мой ситуации по образцу (ориентировочная оценка надежности ГИС
(пять)
по установленному порядку, нахождение поправочных коэффициен-
тов для расчета по справочным данным, определение на лямбда-
характеристике ее основных участков и т. д.); наличие несуществен-
ных ошибок
Полное знание и осознанное воспроизведение всего программного
учебного материала; владение программным учебным материалом в
знакомой ситуации (описание с объяснением источников информации
6 о контролируемом объекте при растровой электронной микроскопии,
(шесть) их природы, достоинств и недостатков методов электронной микро-
скопии и т. д.); выполнение заданий по образцу, на основе предписа-
ний (составление алгоритмов методов испытаний и т. д.); наличие не-
существенных ошибок

21
Отметка
Показатели оценки
в баллах
Полное, прочное знание и воспроизведение программного учебного
материала; владение программным учебным материалом в знакомой
ситуации (описание и объяснение структуры яркостного пирометра,
его элементов, бесконтактного определения температуры теплового
7 неразрушающего контроля; раскрытие сущности жидкокристалличе-
(семь) ской термографии; обоснование выбора методов неразрушающего
контроля при анализе брака; формулирование выводов по результатам
контроля и испытаний и т. д.); недостаточно самостоятельное выпол-
нение заданий (подготовка докладов, рефератов и т. д.); наличие еди-
ничных несущественных ошибок
Полное, прочное, глубокое знание и воспроизведение программного
учебного материала; оперирование программным учебным материа-
лом в знакомой ситуации (развернутое описание и объяснение мето-
дов механических испытаний на виброустойчивость и вибропроч-
8 ность, воздействия синусоидальной вибрации; раскрытие сущности
(восемь) резонансных частот конструкции; обоснование выбора испытательно-
го устройства; формулирование выводов о виброустойчивости и виб-
ропрочности МЭУ и т. д.); самостоятельное выполнение заданий (под-
готовка докладов, рефератов, плакатов и т. д.); наличие единичных
несущественных ошибок
Полное, прочное, глубокое, системное знание программного учебного
материала; оперирование программным учебным материалом в ча-
стично измененной ситуации (применение Оже-спектрометрии при
анализе брака и для контроля отдельных технологических операций,
выдвижение предположений о выявлении дефектов МЭУ механиче-
9
скими или климатическими испытаниями, об отклонении ВАХ p-n-
(девять)
перехода от идеальной; наличие действий и операций творческого ха-
рактера для выполнения заданий по анализу состава контрольных ис-
пытаний готовой продукции с точки зрения воздействующих факто-
ров, по оценке качества технологического процесса по проценту вы-
хода годных изделий и т. д.)
Свободное оперирование программным учебным материалом; приме-
нение знаний и умений в незнакомой ситуации (самостоятельное
описание, объяснение новейших средств контроля и диагностики
10
МЭУ, метода контроля или испытания; выполнение творческих зада-
(десять)
ний по разработке методов контроля или испытания микроэлектрон-
ных устройств с использованием новейших средств контроля и диа-
гностики и т. д.)

Примечание. При отсутствии результатов учебной деятельности обучающимся в учре-


ждении среднего специального образования выставляется «0» (ноль) баллов.

22
ПРИМЕРНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ОСНАЩЕНИЯ КАБИНЕТА
Наименование Количество
Технические средства обучения
Технические устройства*
Компьютер 10−15
Мультимедийный проектор 1
Электронные средства обучения
Виртуальный компьютерный макет 5–6
Мультимедийные учебные занятия 5–10
Тесты для самопроверки и контроля знаний 2–3
Электронный лабораторный практикум 1
Электронный справочник по дефектам и механизмам отказов ИМС 1
Электронный учебник 1
Печатные средства обучения
Набор результатов выборочного контроля для статической обра-
ботки 25–30
Набор результатов испытаний на безотказность МЭУ 10
Плакаты
Классификация испытаний 1
Лямбда-характеристика 1
Причинно-следственная диаграмма 1
Структурные схемы контрольно-измерительного и испытатель-
ного оборудования 10–15
Производственные рапорты по выходу годных кристаллов ИМС 25–30
Проспекты контрольно-измерительного и испытательного обору-
дования 2
Рисунки фрагментов топологии с критериями отбраковки ИМС при
контроле внешнего вида 25–30
Фотографии дефектов топологии ИМС 20–30
Фотографии поперечного сечения полупроводниковых структур,
снятые на РЭМ 10–15
Электронограммы, снятые на ПЭМ 3
Объемные средства обучения
Приборы
Оптический микроскоп типа:
МБС 1
ММУ 1
«Студер» 1
МИИ 1
Испытательная камера тепла 1
Система технического зрения сборочного оборудования 1

*
При отсутствии использовать специализированную аудиторию технических средств
обучения.

23
Наименование Количество
Электродинамический вибратор 1
Оптический микроскоп 4–5
Характериограф 1
Осциллограф 1
Термостат 1
Макеты
Термостат 1
Характериограф 1
Принадлежности
Микросборки в открытых корпусах или бескорпусные 25–30
Набор диодов, стабилитронов 25–30
Образцы кремниевых пластин с клином травления оксидной
пленки 25–30
Пластины кремния после отдельных операций технологического
процесса изготовления кристаллов МЭУ 25–30
Инструменты
Линейка 1
Отвертка 1
Средства защиты
Аптечка медицинская 1
Заземление
Огнетушитель 1
Оборудование помещения
Доска классная 1
Информационный стенд 1
Стол для преподавателя 2
Стол лабораторный 5–6
Стол учебный 15
Стул 37
Экран проекционный 1

24
ЛИТЕРАТУРА
Глудкин, О.П. Методы и устройства испытаний РЭС и ЭВС / О.П. Глуд-
кин. М., 1991.
Глудкин, О.П. Технология испытания микроэлементов радиоэлектронной
аппаратуры и интегральных микросхем / О.П. Глудкин, В.Н. Черняев. М.,
1980.
Горлов, М.И. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых
приборов и интегральных схем в процессе серийного производства /
М.И. Горлов, Л.П. Андариев, О.Л. Бордюжа. Минск, 1997.
Горлов, М.И. Технологические отбраковочные и диагностические испы-
тания полупроводниковых изделий / М.И. Горлов, В.А. Емельянов,
Д.Л. Ануфриев. Минск, 2006.
Готра, З.Ю. Контроль качества и надежность микросхем / З.Ю. Готра,
И.М. Николаев. М., 1989.
Емельянов, В.А. Системы качества в микроэлектронике / В.А. Емельянов.
Минск, 1997.
Емельянов, В.А. Методы контроля параметров твердотельных структур
СБИС / В.А. Емельянов [и др.]. Минск, 1998.
Ермолов, И.Н. Методы и средства неразрушающего контроля качества /
И.Н. Ермолов, Ю.Я. Останкин. М., 1986.
Ефимов, Ч.Е. Микроэлектроника. Физические и технологические основы,
надежность / Ч.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов. М., 1986.
Измерение и контроль в микроэлектронике / под ред. А.А. Сазанова. М.,
1984.
Испытания радиоэлектронной, электронно-вычислительной аппаратуры и
испытательное оборудование / под ред. А.И. Коробова. М., 1987.
Испытательная техника : справ. : в 2 кн. / под ред. В.В. Клюева. М., 1982.
Колешко, В.М. Контроль в технологии микроэлектроники / В.М. Колеш-
ко, П.П. Гойденко, Л.Д. Буйко. Минск, 1979.
Технология СБИС : в 2 т. Т. 2. / под ред. С. Зи. М., 1986.
Федоров, В.К. Контроль и испытания в проектировании и производстве
радиоэлектронных средств / В.К. Федоров, Н.П. Сергеев, А.А. Кондрашин.
М., 2005.
Цербст, М. Контрольно-измерительная техника / М. Цербст. М., 1989.
Чернышев, А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и
ИМС / А.А. Чернышев. М., 1988.
СТАНДАРТЫ
ГОСТ 15467-79. Управление качеством продукции. Основные понятия.
Термины и определения.
ГОСТ 16504-81 СГИП. Испытание и контроль качества продукции. Ос-
новные термины и определения.

25
ГОСТ 18725-83. Микросхемы интегральные. Общие технические условия.
ГОСТ 20.57.406-81 КСКК. Изделия электронной техники, квантовой элек-
троники и электротехнические. Методы испытаний.
ГОСТ 25359-82. Изделия электронной техники. Общие требования по
надежности и методы испытаний.
ГОСТ 27.301-95. Надежность в технике. Расчет надежности. Основные
положения.
ГОСТ 27.410-87. Надежность в технике. Методы контроля показателей
надежности и планы контрольных испытаний на надежность.
ГОСТ 4.465-87 СПКП. Микросхемы интегральные. Номенклатура показа-
телей.
РД 11 0755-90. Микросхемы интегральные. Методы ускоренных испыта-
ний на безотказность и долговечность.
РД 3.02-93. Рекомендации по применению статистических методов управ-
ления качеством продукции.

26
Учебное издание

Достанко Ольга Александровна

ИСПЫТАНИЯ И КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА


МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ
ТИПОВАЯ УЧЕБНАЯ ПРОГРАММА

для реализации образовательной программы


среднего специального образования
по специальности 2-41 01 31 «Микроэлектроника»

27