УМКДП 050709 Нанотехнологии и Наноматериалы

Министерство образования и науки Республики Казахстан
Карагандинский государственный технический университет
Утверждаю
Первый проректор
___________А.З. Исагулов
«___»_____________2009 г.
УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ДИСЦИПЛИНЫ

ПРЕПОДАВАТЕЛЯ
по дисциплине EL 4212 «Нанотехнологии и наноматериалы»

для студентов специальности 050709 – «Металлургия»
Факультет Машиностроительный
Кафедра МЛП и КМ
2009
Предисловие
Учебно-методический комплекс дисциплины преподавателя разработан

доцентом Шарой О.А.,
преподавателем Куликовым В.Ю.
Обсужден на заседании кафедры МЛП и КМ
Протокол № _______от «____»________________200__г.
Зав.кафедрой Шарая О.А. ________________ «____»____________200__г.
Одобрен методическим бюро машиностроительного факультета
Протокол № _______от «____»________________200__г.
Председатель Турсунбаева А.К._____________ «____»____________200__г.

1. Рабочая учебная программа
1.1 Сведения о преподавателе и контактная информация

Шарая Ольга Александровна, к.т.н., профессор
Куликов Виталий Юрьевич, к.т.н., доцент
Кафедра МЛП и КМ находится в главном корпусе КарГТУ, аудитория
313, контактный телефон 8-(7212)-56-59-35 доб. 1024, факс___, электронный
адрес mlpikm@mail.ru.
1.2 Трудоемкость дисциплины

Вид занятий Количес Общее Форма
Количество
Количество контактных часов количес всего тво количе контроля

кредитов
Семестр
лекции практическ лабораторные тво часов часов ство

ие занятия занятия часов СРС часов
СРСП
8 2 15 15 - 30 60 30 90 экзамен
1.3 Характеристика дисциплины

Дисциплина «Нанотехнологии и наноматериалы» входит в цикл базовых
(элективных) дисциплин. Известно, что одно из важнейших направлений,
определяющих развитие всех отраслей промышленности, строительства,
медицины и сферы услуг, – это новые материалы. Изменения укладов жизни
человечества связаны с открытием и освоением производства новых
материалов, в частности наноматериалов. В настоящее время все больше
возрастает роль и значение научных коллективов, занятых созданием
наноматериалов и технологий их производства.
Когда идет речь о критериях, определяющих приоритетные технологии,
одним из важнейших является такая характеристика технологии, как
способность коренным образом изменить всю структуру производства, а
возможно, и социальные условия жизни человечества. К таким технологиям
относятся технологии получения наноматериалов. Разработка наноматериалов
и технологии их получения является объективной необходимостью
технического и социального развития общества.
1.4 Цель дисциплины

Дисциплина «Нанотехнологии и наноматериалы» ставит целью изучение
теоретических основ строения наноматериалов и способов получения как
нанопорошков, так и объемных наноструктурных материалов.
1.5 Задачи дисциплины

Задачи дисциплины следующие: изучение основ учения о наноматериалах,
нанотехнологиях и осознание их значимости для будущей профессиональной
деятельности; овладение научно обоснованными методами научно-
исследовательской деятельности в области создания наноматериалов;
приобретение опыта экспериментирования, обработки результатов, составления
отчетов, написания рефератов, статей.
В результате изучения данной дисциплины студенты должны:
иметь представление:
– о современном состоянии развития наноматериалов,
– о технологических процессах их получения,
– о свойствах и перспективах применения различных металлических
наноматериалов;
знать:
– основные теоретические сведения о природе и свойствах наноматериалов;
– технологические пути усовершенствования имеющихся и создания новых
наноматериалов;
– влияние легирования, размера частиц, технологического процесса,
направленной кристаллизации на структуру и свойства наноматериалов;
– методы и средства исследования, анализа и контроля состава, структуры и
свойств наноматериалов;
уметь:
– выбирать, формулировать и решать задачи, возникающие в ходе научно-
исследовательской деятельности;
– выбирать необходимые методы исследования исходя из задач конкретного
исследования;
– применять полученные результаты структурных исследований для
обоснования выбора технологии получения и обработки наноматериалов;
приобрести практические навыки:
– определения назначения новых материалов, их свойств и технологических
процессов для получения изделий высокого качества.
1.6 Пререквизиты
Для изучения данной дисциплины необходимо усвоение следующих
дисциплин (с указанием разделов (тем)):
Дисциплина Наименование разделов (тем)

1. Химия Периодическая система Д.И. Менделеева.
Химические свойства металлов,
неметаллических материалов
2. Физика I, II Термодинамика.
3. Технология Полный курс
конструкционных
материалов
1.7 Постреквизиты
Знания, полученные при изучении дисциплины, используются при
выполнении выпускной работы.
1.8 Содержание дисциплины
1.8.1 Содержание дисциплины по видам занятий и их трудоемкость
Наименование раздела Трудоемкость дисциплины

(темы) лекции практические лабораторные СРСП СРС
1. Введение.
Нанокристаллически 2 3 - 2 2
е материалы.
2. Получение
2 - - 4 4
нанопорошков.
3. Свойства
2 4 - 4 4
4. Контролируемая
кристаллизация
2 4 - 4 4
аморфных
5. Компактирование
ультрадисперсных 2 4 - 4 4
порошков.
6. Интенсивная
пластическая
деформация
2 - - 4 4
материалов с
обычным размером
зерна
7. Материалы
микро- и 2 - - 4 4
наноэлектроники.
8. Коммерческие
перспективы 1 - - 4 4
наноматериалов.
ИТОГО 15 15 - 30 30
1.9 Список основной литературы

1. Новые материалы / В.Н. Анциферов, Ф.Ф. Бездудный, Л.Н. Белянчиков
и др.; Под ред. Ю.С. Карабасова; Мин-во образования РФ. – М.: МИСИС, 2002.
– 736 с.
2. Новые вещества, материалы и изделия из них как объекты
изобретений: Справочник / В.И. Блинников и др. – М.: Металлургия, 1991. –
262 с.
3. Ржевская С.В. Материаловедение.– М.: МГТУ, 2000.– 280 с.
4. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г. Основы наноэлектроники. –
Новосибирск, 2000.
5. Гусев А.И. Нанокристаллические материалы: Методы получения и
свойства. – Екатеринбург, 1998.
6. Калиничев В.А., Буланов И.М. Прогрессивные материалы в
машиностроении. – М.: Высшая школа, 1988.
1.10 Список дополнительной литературы
7. Рогов В.А., Позняк Г.Г. Современные машиностроительные материалы

и заготовки. М.: Академия, 2008 – 336 с.
8. Строительные материалы: Справочник / А.С. Болдырев, П.П. Золотов,
А.Н. Люсов и др.; Под ред. А.С. Болдырева, П.П. Золотова. – М.: Стройиздат,
1989. – 567 с.
9. Цытович Н.А. Механика грунтов. – М.: Высшая школа, 1979. – 272 с.
10. Гуляев Б.Б. Физико-химические основы синтеза сплавов. – М.:
Металлургия, 1985. – 183 с.
11. Куликов В.Ю. Учебное пособие по курсу «Новые материалы»,
КарГТУ, 2006.
12. Журналы «Материаловедение», «Литейное производство»,
«Металлургия в машиностроении».
1.11 Критерии оценки знаний студентов

Экзаменационная оценка по дисциплине определяется как сумма
максимальных показателей успеваемости по рубежным контролям (до 60 %) и
итоговой аттестации (экзамену) (до 40 %) и составляет значение до 100 % в
соответствии с таблицей.
Оценка по буквенной системе Баллы %-ное содержание Оценка по традиционной

системе
А цифровой эквивалент 4,0 95-100
Отлично
А- 3,67 90-94
В+ 3,33 85-89
В 3,0 80-84 Хорошо
В- 2,67 75-89
С+ 2,33 70-74
С 2,0 65-69
С- 1,67 60-64 Удовлетворительно
D+ 1,33 55-59
D- 1,0 50-54
F 0 0-49 Неудовлетворительно
Оценка «А» (отлично) выставляется в том случае, если студент в течение

семестра показал отличные знания по всем программным вопросам
дисциплины, а также по темам самостоятельной работы, регулярно сдавал
рубежные задания, проявлял самостоятельность в изучении теоретических и
прикладных вопросов по основной программе изучаемой дисциплины, а также
по внепрограммным вопросам.
Оценка «А-» (отлично) предполагает отличное знание основных законов и
процессов, понятий, способность к обобщению теоретических вопросов
дисциплины, регулярную сдачу рубежных заданий по аудиторной и
самостоятельной работе.
Оценка «В+» (хорошо) выставляется в том случае, если студент показал
хорошие и отличные знания по вопросам дисциплины, регулярно сдавал
семестровые задания в основном на «отлично» и некоторые на «хорошо».
Оценка «В» (хорошо) выставляется в том случае, если студент показал
хорошие знания по вопросам, раскрывающим основное содержание конкретной
темы дисциплины, а также темы самостоятельной работы, регулярно сдавал
семестровые задания на «хорошо» и «отлично».
Оценка «В-»(хорошо) выставляется студенту в том случае, если он хорошо
ориентируется в теоретических и прикладных вопросах дисциплины как по
аудиторным, так и по темам СРС, но нерегулярно сдавал в семестре рубежные
задания и имел случаи пересдачи семестровых заданий по дисциплине.
Оценка «С+» (удовлетворительно) выставляется студенту в том случае, если
он владеет вопросами понятийного характера по всем видам аудиторных
занятий и СРС, может раскрыть содержание отдельных модулей дисциплины,
сдает на «хорошо» и «удовлетворительно» семестровые задания.
Оценка «С» (удовлетворительно) выставляется студенту в том случае, если
он владеет вопросами понятийного характера по всем видам аудиторных
занятий и СРС, может раскрыть содержание отдельных модулей дисциплины,
сдает на «удовлетворительно» семестровые задания.
Оценка «С-» (удовлетворительно) выставляется студенту в том случае, если
студент в течение семестра регулярно сдавал семестровые задания, но по
вопросам аудиторных занятий и СРС владеет только общими понятиями и
может объяснить только отдельные закономерности и их понимание в рамках
конкретной темы.
Оценка «D+» (удовлетворительно) выставляется студенту в том случае, если
он нерегулярно сдавал семестровые задания, по вопросам аудиторных занятий
и СРС владеет только общими понятиями и может объяснить только отдельные
закономерности и их понимание в рамках конкретной темы.
Оценка «D-» (удовлетворительно) выставляется студенту в том случае, если
он нерегулярно сдавал семестровые задания, по вопросам аудиторных занятий
и СРС владеет минимальным объемом знаний, а также допускал пропуски
занятий.
Оценка «F» (неудовлетворительно) выставляется тогда, когда студент
практически не владеет минимальным теоретическим и практическим
материалом аудиторных занятий и СРС по дисциплине, нерегулярно посещает
занятия и не сдает вовремя семестровые задания.
Рубежный контроль проводится на 7,14-й неделях обучения и складывается
исходя из следующих видов контроля:
Вид контроля
содержание
Итого, %
Академический период обучения, неделя
%-ое
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Посещае
0,5 * * * * * * * * * * * * * * 7
мость
Конспект
0,5 * * 1
ы лекций
Письменн
14 * * 28
ый опрос
Выполнение
4,0 * * * * 16
практич. раб.
СРС 4,0 * * 8
Экзамен 40
Всего по
30 30 60
аттестац.
Итого 100
1.12 Политика и процедуры

При изучении дисциплины «Нанотехнологии и наноматериалы» прошу
соблюдать следующие правила:
1. Не опаздывать на занятия.
2. Не пропускать занятия без уважительной причины.
3. В обязанности студента входит посещение всех видов занятий.
4. Согласно календарному графику учебного процесса сдавать все виды
контроля.
5. Пропущенные практические занятия отрабатывать в указанное
преподавателем время.
6. Отключать сотовые телефоны во время занятий, соблюдать тишину и
порядок.
7. Активно участвовать в учебном процессе.
8. Быть терпимыми, открытыми, откровенными и доброжелательными к
сокурсникам и преподавателям.
1.13 Учебно-методическая обеспеченность дисциплины

Количество экземпляров
Наименование учебно- Издательство,
Ф.И.О. автора
методической литературы год издания на
в библиотеке
кафедре
1 2 3 4 5
Основная литература
1. Под ред. Новые материалы Мин-во 4 1
Ю.С. образования
Карабасова РФ. – М.:
МИСИС,
2002.
2. В.И. Новые вещества, М.: 5 1
Блинников и материалы и изделия из Металлургия,
др. них как объекты 1991.
изобретений
3. Ржевская Материаловедение М.: МГТУ, 17 -
С.В. 2000.
4. Драгунов Основы наноэлектроники. Новосибирск, 1 1
В.П., 2000.
Неизвестный
И.Г.
5. Гусев А.И. Нанокристаллические Екатеринбург, 1 1
материалы: Методы 1998.
получения и свойства.
6. Калиничев Прогрессивные материалы М.: Высшая 1 1
В.А., Буланов в машиностроении. школа, 1988.
И.М.
Дополнительная литература
7. Цытович Н.А. Механика грунтов М.: Высшая 20 5
школа, 1979.
8 Болдырев Строительные материалы М.: 10 -
А.С., Золотов Стройиздат,
П.П., Люсов 1989.
А.Н. и др.
8 Рогов В.А., Современные М.: Академия, - 1
Позняк Г.Г. машиностроительные 2008
материалы и заготовки
9 Куликов Учебное пособие по курсу КарГТУ, 20 50
В.Ю. «Новые материалы» 2006.
10. Гуляев Б.Б. Физико-химические М.: - 2
основы синтеза сплавов Металлургия,
1985.
2 График выполнения и сдачи заданий по дисциплине

Вид контроля Цель и Рекомендуема Продолжител Форма Срок
содержание я литература ьность контроля сдачи
задания выполнения
Выполнение Изучить [1], [2], [3], 4 недели Текущий 4-я
практического механизмы и [6], [9] неделя
занятия № 1 кинетику
формирования
наноаморфных
твёрдых тел.
Отчет по СРС Углубить знания [1], [2], [3], 7 недель Текущий 14-ая
(тема № 1) по темам. [4], [5], [6] неделя
Письменный Закрепление [1], [2], [3], 1 Рубеж- 7-я
опрос теоретических [6], [9], контактный ный неделя
знаний и конспект час
практических лекций
навыков
Выполнение Проведение [1], [2], [3], [9] 3недели Текущий 8-я
практического исследования неделя
занятия № 2 деформационного
поведения
аморфно-
нанокристалличес
ких материалов
Выполнение Изучить структуру [1], [3], [7], [9] 4 недели Текущий 12-ая
практического материалов с неделя
занятия № 3 ионно-
плазменными
покрытиями
Отчет по СРС Углубить знания [1], [2], [3], 7 недель Текущий 14-ая
(Тема № 2) по темам. [4], [5], [6] неделя
Письменный Закрепление [1], [2], [3], 1 контактный Рубежный 14-ая
опрос теоретических [4], [5], [6], час неделя
знаний и [9],
практических конспект
навыков лекций
Выполнение Изучить [1], [2], [3], 3 недели Текущий 14-ая
практического свойства и [6], [9] неделя
занятия № 4 микроструктуры
Экзамен Проверка усвоения Весь перечень 2 контактных Итоговый В период
материала основной и часа сессии
дисциплины дополнительной
литературы
3 Конспект лекций
Тема 1 Введение. Нанокристаллические материалы (2 часа)
План лекции
1. Введение в курс.
2. Понятие наноматериалов.
3. Актуальность проблемы призводства нано- или ультрадисперсных
материалов.
В последние годы отмечается быстрый рост научного, промышленного и

коммерческого интереса к новому классу материалов, назначение которого
отразило стремление к миниатюризации в практике построения различных
объектов. Эти материалы, обладающие необычной прочной кристаллической
решёткой и демонстрирующие уникальные свойства, в странах СНГ получили
название ультрадисперсных материалов (УДМ), или ультрадисперсных систем
(УДС), а в западной литературе – наноструктурных материалов (НСМ).
В настоящее время обе эти терминологии равноправны и к этому новому
классу относят материалы с размером морфологических элементов менее 100
нм. По геометрическим признакам эти элементы можно разделить на
вольмерные атомные кластеры и частицы, одно- и двухмерные мультислои,
покрытия и даминарные структуры, трёхмерные объёмные
нанокристаллические и нанофазные материалы.
Общепринято, что под УДМ или наноматериалами подразумеваются или
намеренно сконструированные, или природные материалы, в которых один или
более размеров лежат в диапазоне нанометров. К данной категории относятся
также так называемые “нано-нано” композиты, которые содержат более чем
одну фазу, но все фазы менее 100 нм. Большое разнообразие типов УДМ при
общности их размерного признака позволяет объединить их одним термином
“наноматериалы”. В настоящее время уже широко используются
ультрадисперсные порошки (УДП), занимающие в США более 90 % рынка
УДМ, нановолокна и нанопроволоки, наноплёнки и нанопокрытия, и начинают
получать всё большее применение объёмные наноматериалы
нанокристаллические и нанозернистые (с размером зёрен менее 100 нм) [1].
Представление о нанокристаллах было введено в научную литературу в
80-х годах ХХ века Х. Гляйтером (Германия) и независимо от него активно
развивалось в России И. Д. Мороховым с сотрудниками.
В бывшем СССР большую роль в исследовании свойств наноматериалов,
в разработке новых видов, технологий получения и использования
(нанотехнологии) сыграла высшая школа.
Актуальность проблемы призводства нано- или ультрадисперсных (УД)
материалов определяется особенностью их физико-химических свойств,
позволяющих создавать материалы с качественно и количественно новыми
свойствами для использования на практике. Это связано с тем, что для
материала таких малых размеров приобретает большое значение квантовая
механика, а это существенным образом изменяет механические, оптические и
электрические свойства вещества.
Первые исследования наноматериалов показали, что в них изменяются,
по сравнению с обычными материалами, такие фундаментальные
характеристики, как удельная теплоёмкость, модуль упругости, коэффициент
диффузии, магнитные свойства и др. Следовательно, можно говорить о
наноструктурном состоянии твёрдых тел, принципиально отличном от
обычного кристаллического или аморфного.
Анализ теоретических и экспериментальных исследований, выполненный
к концу 70-х годов, позволил сделать вывод об особом УД состоянии твёрдых
тел, отличном от традиционных и аморфных материалов, и дать определение
этого понятия на основе физической природы. В этом случае к нано- или УД
материалам относят среды или материалы, которые характеризуются настолько
малым размером морфологических элементов, что он соизмерим с одной или
несколькими фундаментальными величинами этого вещества (измерение
периодов кристаллической решётки и др.)
По мере того как размер зёрен или частиц становится всё меньше и
меньше, всё большая доля атомов оказывается на границах или свободных
поверхностях. Так, при размере структурных единиц 6 нм и толщине
поверхностного слоя в один атом почти половина атомов будет находиться на
поверхности. Так как доля поверхностных атомов в УД материалах составляет
десятки процентов, ярко проявляются все особенности поверхностных
состояний, и разделение свойств на “объёмные” и “поверхностные”
приобретает, в какой-то мере, условный характер. Развитая поверхность
оказывает влияние как на решёточную, так и на электронную подсистемы.
Появляются аномалии поведения электронов, квазичастиц (фотонов,
магнонов) и других элементарных возбуждений, которые влекут за собой
изменения физических свойств УД систем по сравнению с массивными
материалами.
Поведение УД материалов часто определяется процессами на границах
зёрен. Например, нанокерамика может деформироваться практически
достаточного долго за счёт скольжения по границам. Но “сверхпластичная”
деформация находится в сильном противоречии с хрупким поведением,
ассоциирующимся с обычной керамикой. Из-за большого количества границ и,
как следствие, этого – большого количества коротких диффузионных
расстояний, нанометаллы и керамики используют как твёрдофазный
связующий агент для соединения вместе других (иногда разнородных)
крупнозернистых материалов. Есть сведения [1], что некоторые керамики
обладают исключительно низкой теплопроводностью. Это позволяет
использовать их в качестве теплозащитных покрытий.
Уменьшение размера зерна металла с 10 микрон до 10 нанометров даёт
повышение прочности примерно в 30 раз. Добавление нанопорошков к
обычным порошкам при прессовании последних приводит к уменьшению
температуры прессования, повышению прочности изделий. При диффузионной
сварке использование между свариваемыми деталями тонкой прослойки
нанопорошков соответствующего состава позволяет сваривать разнородные
материалы, в том числе некоторые трудносвариваемые сплавы металла с
керамикой, а также снижать температуру диффузионной сварки.
Научные исследования по данной проблеме проводились уже более 100
лет назад. В 1861 году химик Т. Грэхем использовал термин “коллоид” для
описания растворов, содержащих частицы диаметром от 1 до 100 нм в
суспензии.
Использование коллоидов можно считать одним из первых применений
наноматериалов. Аналогичным образом достаточно давно применяются такие
вещества, содержащие ультрадисперсные частицы, как аэрозоли, красящие
пигменты, окрашивающие стеклоколлоидные частицы металлов.
В последние годы вошло в обиход понятие нанотехнологии. Этим
понятием обозначают процессы получения нано- или ультрадисперсных
материалов, а также технологические процессы получения приборов,
устройств, конструкций с использованием наноматериалов.
Научно-техническое направление по получению и изучению свойств УД
материалов сложилось в бывшем СССР в 50-е годы ХХ века. На предприятиях
атомной промышленности были получены УД порошки с размером частиц
около 100 нм, которые были успешно применены при изготовлении
высокопористых мембран для диффузионного метода разделения изотопов
урана. В 60-е годы в ИХФ АН СССР был разработан левитационный метод
получения УД порошков. В 70-е годы с помощью использования
электрического взрыва проводников и плазмохимического синтеза ассортимент
УД порошков был существенно расширен, были разработаны химические
методы синтеза нанопорошков железа и других металлов и композиций на их
основе.
В 1980-е годы в Германии были получены консолидированные
нанокристаллические материалы.
В последнее десятилетие в промышленно развитых странах
сформировалось научно-техническое направление “Наночастицы, материалы,
технологии и устройства”, которое становится самым быстрорастущим по
объёму финансирования в мире.
В 1980 г. были проведены исследования кластеров, содержащих менее
100 атомов. В 1985 г. Смайли и Крото с группой сотрудников нашли
спектрографическое подтверждение, что кластеры углерода С60 (фуллерены)
проявляют необычайную стабильность. В 1991 г. С. Ииджима сообщил об
исследовании углеродно-графитовых трубчатых нитей нанотрубок.
Рекомендуемая литература
– 736 с.
262 с.
КарГТУ, 2006.
5. Морохов И.Д., Трусов Д.Д., Лаповок В.И. Физические явления в
ультрадисперсных средах. – М.: Наука, 1984.
6. Гусев А.И. Нанокристаллические материалы: методы получения и
Контрольные задания для СРС (тема 1) [1, 2, 3, 7]

1. Предпосылки к развитию нанотехнологий.
2. Консолидированные нанокристаллические материалы.
3. Стркутура и свойства углеродно-графитовых трубчатых нитей
нанотрубок.
Тема 2 Получение нанопорошков (2 часа)
1. Процессы, в результате которых происходит формирование нано- или
ультрадисперсных структур.
2. Химичские методы.
3. Физические методы.
4. Механические методы.
Процессы, в результате которых происходит формирование нано- или

ультрадисперсных структур – это кристаллизация, рекристаллизация, фазовые
превращения высокие механические нагрузки, интенсивная пластическая
деформация, полная или частичная кристаллизация аморфных структур. Выбор
метода получения наноматериалов определяется областью их применения,
желательным набором свойств конечного продукта. Характеристики
получаемого продукта – гранулометрический состав и форма частиц,
содержание примесей, величина удельной поверхности – могут колебаться в
зависимости от способа получения в весьма широких пределах.
Так, в зависимости от условий получения, нанопорошки могут иметь
сферическую, гексагональную, хлопьевидную, игольчатую формы, аморфную
или мелкокристаллическую структуру. Методы получения ультрадисперсных
материалов разделяют на химические, физические, механические и
биологические.
Химические методы синтеза включают различные реакции и процессы,
в том числе процессы осаждения, термического разложения, газофазных
химических реакций, восстановления, гидролиза, электроосаждения.
Регулирование скоростей образования и роста зародышей новой фазы
осуществляется за счёт изменения соотношения количества реагентов, степени
перенасыщения, а также температуры процесса. Как правило, химические
методы – многостадийные и включают некий набор из вышепоименованных
процессов и реакций.
Способ осаждения заключается в осаждении различных соединений
металлов из растворов и солей с помощью осадителей. Продуктом осаждения
являются гидроксиды металлов. В качестве осадителя используют растворы
щелочей натрия, калия и другие.
Регулируя рН и температуру раствора, создают условия, при которых
получаются высокие скорости кристаллизации и образуется высокодисперсный
гидроксид. Этим методом можно получать порошки сферической, игольчатой,
чешуйчатой или неправильной формы с размером частиц до 100 нм.
Нанопорошки сложного состава получают методом соосаждения. В этом
случае в реактор подают одновременно два или более растворов солей металлов
и щелочи при заданной температуре и перемешивании. В результате получают
гидроксидные соединения нужного состава.
Способ гетерофазного взаимодействия осуществляют путём ступенчатого
нагрева смесей твёрдых солей металлов с раствором щелочи с образованием
оксидной суспензии и последующим восстановлением металла. Таким образом
получают металлические порошки с размером частиц в пределах 10…100 нм.
Гель-метод заключается в осаждении из водных растворов
нерастворимых металлических соединений в виде гелей. Следующая стадия –
восстановление металла. Этот способ применяется для получения порошков
железа и других металлов.
Способ восстановления и термического разложения – обычно это
следующая операция после получения в растворе ультрадисперсных оксидов
или гидроксидов с последующим осаждением и сушкой. В качестве
восстановителей, в зависимости от вида требуемого продукта, используют
газообразные восстановители – как правило, водород, оксид углерода или
твёрдые восстановители.
Нанопорошки Fe, W, Ni, Co, Cu и ряда других металлов получают
восстановлением их оксидов водородом. В качестве твёрдых восстановителей
используют углерод, металлы или гидриды металлов.
Таким способом получают нанопорошки металлов: Мо, Cr, Pt, Ni и
другие. Как правило, размер частиц находится в пределах 10…30 нм. Более
сильными восстановителями являются гидриды металлов – обычно гидрид
кальция. Так получают нанопорошки Нr, Та, Nb.
В ряде случаев нанопорошки получают путём разложения формиатов,
карбонатов, карбонилов, оксалатов, ацетатов металлов в результате процессов
термической диссоциации или пиролиза. Так, за счёт реакции диссоциации
карбонилов металлов получают порошки Ni, Мо, Fe, W, Cr. Путём
термического разложения смеси карбонилов на нагретой подложке получают
полиметаллические плёнки. УДП металлов, оксидов, а также смесей металлов и
оксидов получают путём пиролиза формиатов металлов. Таким образом
получают порошки металлов, в том числе Мn, Fe, Ca, Zr, Ni, Co, их оксидов и
металлооксидных смесей.
Физические методы. Способы испарения (конденсация), или газофазный
синтез получения нанопорошков металлов, основаны на испарении металлов,
сплавов или оксидов с последующей их конденсацией в реакторе с
контролируемой температурой и атмосферой. Фазовые переходы пар –
жидкость – твёрдое тело или пар – твёрдое тело происходят в объёме реактора
или на поверхности охлаждаемой подложки или стенок.
Сущность способа состоит в том, что исходное вещество испаряется
путём интенсивного нагрева, с помощью газа – носителя подаётся в
реакционное пространство, где резко охлаждается. Нагрев испаряемого
вещества осуществляется с помощью плазмы, лазера, электрической дуги,
индукционным способом, пропусканием электрического тока через проволоку.
Возможно также бестигельное испарение. В зависимости от вида исходных
материалов и получаемого продукта, испарение и конденсацию проводят в
вакууме, в инертном газе, в потоке газа или плазмы. Размер и форма частиц
зависят от температуры процесса, состава атмосферы и давления в
реакционном пространстве. В атмосфере гелия частицы будут иметь меньший
размер, чем в атмосфере аргона – более плотного газа. Таким методом
получают порошки Мо, Fe, Ti, Al. Размер частиц при этом – десятки
нанометров.
В своё время появился, а в дальнейшем утвердился способ получения
наноматериалов путём электрического взрыва проволок (проводников). В этом
случае в реакторе между электродами помещают проволоку металла, из
которого намечается получение нанопорошка, диаметром 0,1…1,0 мм. На
электроды подают импульс тока большой силы (при 106 А/мм2). При этом
происходит мгновенный разогрев и испарение проволок. Пары металла
разлетаются, охлаждаются и конденсируются. Процесс идёт в атмосфере гелия
или аргона. Наночастицы оседают в реакторе. Таким способом получают
металлические (Тi, Co, W), оксидные (TiO2, Ai2O3, ZrO2) нанопорошки с
крупностью частиц до 100 нм.
Механические методы. Способы измельчения материалов механическим
путем в мельницах различного типа – шаровых, планетарных, центробежных,
вибрационных, гидроскопических устройствах, аттриторах и симолойерах.
Аттриторы и симолойеры – это высокоэнергетические измельчительные
аппараты с неподвижным корпусом – барабаном с мешалками, передающими
движение шарам в барабане. Аттриторы имеют вертикальное расположение
барабана, симолойеры – горизонтальное. Измельчение размалываемого
материала размалывающими шарами в отличие от других типов измельчающих
устройств происходит главным образом не за счёт удара, а по механизму
истирания. Ёмкость барабанов в установке этих двух типов достигает 400…600
л.
Механическим путём измельчают металлы, керамику, полимеры, оксиды,
хрупкие металлы. Степень измельчения зависит от вида материала. Так, для
оксидов вольфрама и молибдена получают крупность частиц порядка 5 нм, для
железа – порядка 10…20 нм.
Разновидностью механического измельчения является механосинтез, или
механическое легирование, когда в процессе измельчения происходит
взаимодействие измельчаемых материалов с получением измельчённого
материала нового состава. Так получают нанопорошки легированных сплавов,
интерметаллидов, силицидов и дисперсноупрочнённых композитов с размером
частиц 5…15 нм.
Уникальным достоинством способа является то, что за счёт
взаимодиффузии в твёрдом состоянии здесь возможно получение “сплавов”,
таких элементов, взаимная растворимость которых при использовании
жидкофазных методов пренебрежимо мала.
Положительной стороной механических способов измельчения является
сравнительная простота установок и технологии, возможность измельчать
различные материалы и получать порошки сплавов, а также возможность
получать материал в большом количестве.
К недостаткам метода относятся возможность загрязнения измельчаемого
порошка истирающими материалами, а также трудности получения порошков с
узким распределением частиц по размерам, сложности регулирования состава
продукта в процессе измельчения.
При получении наночастиц любым методом проявляется ещё одна их
особенность – склонность к образованию объединений частиц. Такие
объединения называют агрегатами и агломератами. В результате, при
определении размеров наночастиц, необходимо различать размеры отдельных
частиц (кристаллитов) и размеры объединений частиц. Различие между
агрегатами и агломератами не является строго определённым. Считается, что в
агрегатах кристаллиты более прочно связаны и имеют меньшую
межкристаллическую пористость, чем в агломератах.
Проблема, связанная с агрегированием наночастиц, возникает при их
компактировании. Например, при компактировании агрегированного порошка
путём спекания, для достижения определённой плотности материала требуются
температуры тем выше, чем более крупные объединения наночастиц имеются в
порошке.
В этой связи при разработке методов получения нанопорошков
продолжаются поиски мер для исключения или уменьшения степени
образования объединений наночастиц. Так, в методах получения нанопорошков
путём конденсации из паровой фазы оказалось целесообразным точное
регулирование температуры образования наночастиц. В химических методах
оказывается эффективным исключение воды из некоторых стадий синтеза для
уменьшения степени агломерирования. Используются также методы
уменьшения контакта между частицами путём их покрытия (капсулирования),
которое затем, перед компактированием, удаляется.
Тем не менее, агрегирование и агломерирование наночастиц осложняет
получение компактных материалов. Требуются большие механические усилия
или повышение температуры (при спекании), чтобы преодолеть силы
агломерирования.
– 736 с.
262 с.
КарГТУ, 2006.

1. Механоминтез.
2. Способ получения наноматериалов путём электрического взрыва
проволок.
Тема 3 Свойства нанопорошков (2 часа)
1. Особенности модели наноструктур.
2. Параметры наноструктурной меди.
3. Сравнение некоторых фундаментальных свойства металлов в
наноструктурном и крупнокристаллическом состояниях.
4. Необычные свойства НСМ.
Особенности модели наноструктур. Наноструктурные материалы,

вследствие очень малого размера зерен, содержат в структуре большое
количество границ зерен, которые играют определяющую роль в формировании
их необычных физических и механических свойств. Вследствие этого в
проводимых экспериментальных исследованиях и разрабатываемых
структурных моделях наноматериалов границы зерен занимают центральное
место.
Уже в первых работах, выполненных Х. Гляйтером с сотрудниками, был
установлен ряд особенностей структуры нанокристаллических материалов,
полученных газовой конденсацией атомных кластеров с последующим их
компактированием. Это, прежде всего, пониженная плотность полученных
нанокристаллов и присутствие специфической “зернограничной фазы”,
обнаруженное с появлением дополнительных пиков при мессбауэровских
исследованиях. На основании проведённых экспериментов, включая
компьютерное моделирование, была предложена структурная модель
нанокристаллического материала, состоящего из атомов одного сорта. В
соответствии с этой моделью такой нанокристалл состоит из двух структурных
компонент: кристаллитов-зерен (атомы представлены светлыми кружками) и
зернограничных областей (черные кружки). Атомная структура всех
кристаллитов совершенна и определяется только их кристаллографической
ориентацией. В то же время зернограничные области, где соединяются
соседние кристаллиты, характеризуются пониженной атомной плотностью и
измененными межатомными расстояниями.
Модель Гляйтера дала мощный толчок исследованиям структуры
нанокристаллов и поиску из необычных свойств. Вместе с тем, в последующих
исследованиях были выявлены и ее важные недостатки. Во-первых, в согласии
с электронной микроскопией границы зерен являются значительно более
узкими, чем это предсказывается моделью и их ширина обычно не превышает
1-2 межатомных расстояния. Во-вторых, атомно-кристаллическая решетка в
нанокристаллах не является совершенной и обычно, как в случае ИПД
наноматериалов, упруго искажена. Более того, в настоящее время становится
очевидным, что метод получения наноструктурных материалов играет весьма
важную роль в формировании их структуры и свойств.
Экспериментальные исследования, проведенные с использованием
различных, часто взаимно дополняющих методов, каковыми являются
просвечивающая, включая высокоразрешающую, электронная микроскопия,
рентгеноструктурный анализ, мессбауэровская спектроскопия,
дифференциальная сканирующая калориметрия, свидетельствуют, что в
наноструктурных ИПД металлах и сплавах границы зерен носят неравновесный
характер, обусловленный присутствием зернограничных дефектов с высокой
плотностью.
Представления о неравновесных границах были введены в научную
литературу в 1980-х годах, базируясь на исследованиях взаимодействия
решеточных дислокаций и границ зерен. Образование неравновесного
состояния границ зерен характеризуется двумя основными особенностями –
избыточной энергией границ зерен (при заданных кристаллографических
параметрах границ) и наличием дальнодействующих упругих напряжений.
Полагая, что границы зерен имеют кристаллографически упорядоченное
строение, в качестве источников упругих полей рассматривают дискретные
нарушения этого строения – зернограничные дислокации и их комплексы.
Недавние прямые наблюдения границ зерен, выполненные методом
просвечивающей электронной микроскопии, дали прямые доказательства их
специфичной неравновесной структуры в НСМ, вследствие присутствия
атомных ступенек и фасеток, а также зернограничных дислокаций. В свою
очередь, вследствие неравновесных границ зерен, возникают высокие
напряжения и искажения кристаллической решетки, которые ведут к
дилатациям решетки, проявляющимся в изменении межатомных расстояний,
появлении значительных статических и динамических атомных смещений,
экспериментально обнаруженным при рентгеновских и мессбауэровских
исследованиях. В таблице 1.1 приведены параметры наноструктурной меди,
измеренные методами РСА.
Разработанные на основе концепции неравновесных границ зерен
модельные представления позволили не только качественно, но и
количественно оценить изменения фундаментальных параметров, которые
наблюдали во многих наноструктурных материалах.
Таблица 1.1 – Параметры наноструктурной меди
Параметры Исходное После кручения под После РКУП
состояние высоким давлением
Параметр Дебая- 0,59±0,06 1,06±0,05 1,28±0,05
Уоллера В, Å
Атомные смещения 0,086±0,004 0,116±0,003 0,127±0,003
<μ> , Å
1/2
Температура Дебая Θ, К 304±2 247±6 234±6
В случае многофазных сплавов и интерметаллидов получаемые в

результате ИПД наноструктуры весьма специфичны и характеризуются не
только очень малым размером зерен в несколько десятков нанометров, но и
сильно метастабильным фазовым составом, связанным с формированием
перенасыщенных твёрдых растворов разупорядочением и в отдельных случаях
даже с аморфизацией.
Например, структура интерметаллида бинарного стехиометрического
состава Ni3Al, подвергнутого ИПД кручением, состояла из очень мелких
равноосных зерен с признаками высокого уровня внутренних напряжений, о
чем свидетельствовал сложный дифракционный контраст на электронно-
микроскопических фотографиях в трудно различимые границы зерен,
выглядящие диффузными и искривленными. Средний размер зерен,
определенный по темнопольным изображениям, оказался равным примерно
20…30 нм.
Состояние после ИПД в Ni3Al также характеризуется повышенным
уровнем остаточного электросопротивления, значительными внутренними
напряжениями и высокой микротвердостью. Кроме того, данные
рентгеноструктурного анализа свидетельствуют о полном отсутствии дального
порядка в данном состоянии.
Таблица 1.2 – Некоторые фундаментальные свойства металлов

в наноструктурном (НС) и крупнокристаллическом (КК) состояниях
Свойства Материал Значение
НС КК
Температура Кюри, К Никель 595 631
Намагниченность насыщения,
А×м2/кг Никель 38,1 56,2
Температура Дебая, К Железо 240 467
Коэффициент диффузии, м /с
2
Медь в никеле 1·1014
1·10-20
Предел растворимости при 293
К, % Углерод в α-железе 1,2 0,06
Модуль Юнга, ГПа Медь 115 128
Микроструктура при отжиге сплава претерпевает последовательность
структурных превращений, подобную для чистых ИПД металлов. Однако
характерным для наноструктурного Ni3Al явилось то, что дальний порядок
начинает восстанавливаться в узком температурном интервале вблизи 530 К, т.
е. на стадии возврата. Это упорядочение не является полным, но дальнейшее
увеличение параметра дальнего порядка происходит только при более высоких
температурах, близких к 1300 К, тогда зерна вырастают до относительно
больших размеров. Хотя физическая природа разупорядочения
интерметаллидов при ИПД и последующее их переупорядочение при нагреве
требует дальнейших исследований, важно отметить, что, следуя полученным
результатам, становится явным, что переупорядочение в Ni3Al обусловлено, в
первую очередь, не рекристаллическими процессами, а процессами возврата,
связанными с прослойками дислокационной структуры на границах и в теле
зерен.
Используя дифференциальную сканирующую калориметрию, было
исследовано тепловыделение в процессе нагрева этого материала. Пик
тепловыделения наблюдается при температурах значительно ниже начала
интенсивного роста зерен. Природа этого тепловыделения связана с процессами
возврата, а также началом переупорядочения. Следует отметить высокую
термостабильность наноструктурного состояния этого интерметаллида,
позволившую реализовать его уникальное сверхпластическое течение.
Необычные свойства НСМ. Специфические микроструктуры в объемных
наноматериалах определяют их необычные свойства, многие из которых
уникальны и весьма привлекательны для практического использования. Эти
специфические качества связаны с изменением некоторых фундаментальных
свойств материала при уменьшении размера частиц или зерна, а также с
изменением соотношения некоторых объемных и поверхностных свойств.
К уникальным особенностям наноматериалов относятся отличия их
температур плавления и размеров кристаллических решеток от
соответствующих величин в материалах с обычной структурой. В связи с этим
возникает вопрос о справедливости использования термина “постоянные
решетки”, применительно к размерам решетки.
С уменьшением размера частиц растет их поверхностная энергия. В
результате изменяется (снижается) температура плавления частицы.
Выражение для температуры плавления (Тпл) твердой наночастицы радиусом r
имеет вид:
  2

   3 
    Ж   Т
2
Tпп( Р)  Тпл  1    ,
 
 L r   Ж  
  
где Тпл и Тпл(r) – температуры плавления массивного материала и наночастицы
этого материала радиусом r, рж, рт – плотности жидкой и твердой частиц, σ, σтв
– поверхностное натяжение твердой и жидкой частиц.
Установлено также уменьшение параметра решетки для металлов и
некоторых соединений при уменьшении размера частиц. Так, при уменьшении
диаметра частиц алюминия от 20 до 6 нм период решетки уменьшается
примерно на 1,5 %. Размер, ниже которого наблюдается уменьшение параметра
решетки, различен для разных металлов и соединений. Наноструктурные
металлы и сплавы могут обладать высокой коррозийной стойкостью. В
частности, эксперименты демонстрируют возможность получения обычных
углеродистых сталей в наноструктурном расстоянии с более высокими
коррозийными свойствами, чем у специальных нержавеющих сталей.
Результаты недавних исследований показывают возможность значительного
повышения физических свойств исследуемых материалов; наноструктурный
нитинол демонстрирует исключительную сверхупругость и эффект памяти
формы; в нанокомпоните Сu–Al2O3 наблюдается сочетание высокой
термостабильности и электропроводимости; наноструктурные магнитотвердые
сплавы (систем Fe-Nb–B, Co–Pt и др.) демонстрируют рекордные магнитные
свойства, а магнитомягкие наноматериалы проявляют очень высокую
магнитную проницаемость. Обнаружены и изучаются также аномальные
оптические свойства наноструктурных металлов и полупроводников.
Однако особый интерес представляют механические свойства объемных
наноструктурных материалов. Как свидетельствуют теоретические оценки, с
точки зрения механического поведения формирование наноструктур в
различных металлах и сплавах может привести к высокопрочному состоянию в
соответствии с соотношением Холла Петча, а также к появлению
низкотемпературной и/или высокоскоростной сверхпластичности. Реализация
этих возможностей имеет непосредственное значение для разработки новых
высокопрочных и износостойких материалов, перспективных сверхпластичных
сплавов, металлов с высокой остаточной прочностью. Все это вызвало большой
интерес среди исследований прочности и пластичности материалов к
получению больших объемных образцов с наноструктурой, для последующих
механических испытаний.
Вместе с тем, как отмечалось выше, существуют нерешенные проблемы в
получении таких наноматериалов специальными методами порошковой
металлургии – газовой конденсацией или паровым размолом, в связи с
сохранением в них при компактировании некоторой остаточной пористости и
наличием дополнительных трудностей при приготовлении массивных образцов.
Как результат, до недавнего времени были выполнены лишь единичные работы
по исследованию механических свойств наноструктурных металлов и сплавов,
имеющих размер зерен около 100 нм и менее. Большинство проведенных
исследований связано с измерениями микротвердости, и полученные данные
весьма противоречивы. Например, в некоторых исследованиях обнаружено
разупрочнение при уменьшении зерен до нанометрических размеров, в то же
время в ряде других работ наблюдали в этом случае упрочнение, хотя эталон
кривых был меньше по сравнению с соотношением Холла Петча. При
растяжении эти ПСМ оказались очень хрупкими, несмотря на высокую
твердость.
Интерметаллид Ni3Al в рекристаллизованном состоянии, полученном
горячей экструзией (размер зерен 6 мкм), проявляет ограниченную
пластичность, в том числе при растяжении при 6500 С, что типично для данного
материала.
Интенсивная деформация кручением в один оборот увеличивает
прочность, но пластичность остается незначительной. Однако дальнейшая
интенсивная деформация (до 5 оборотов) качественно изменяет ситуацию,
когда данный материал демонстрирует очень высокую прочность,
одновременно с рекордной пластичностью с удлинением до разрушения более
300 %.
Таким образом, испытания показали, что под воздействием интенсивной
пластической деформации, как кручением под высоким давлением, так и РКУ
прессованием, их поведение качественно меняется, и они демонстрируют не
только очень высокую прочность, но и пластичность. Такое поведение
материалов принципиально отличается от поведения металлов и сплавов после
большой пластической деформации, например, прокаткой или вытяжкой, где
увеличение прочности обычно коррелирует с уменьшением пластичности.
Для понимания природы данного эффекта важно, что в условиях ИПД
происходит формирование наноструктур, имеющих очень малый размер зерен
(около 100 нм). Наноструктуры, формирующиеся в результате интенсивной
пластической деформации, качественно отличаются от ячеистых или
фрагментированных микроструктур, образующихся после обычных больших
деформаций. Очевидно, вследствие формирования наноструктур может
происходить изменение механизмов деформации в условиях растяжения
образцов, когда наряду с движением решеточных дислокаций активное участие
начинают принимать процессы на границах сформировавшихся при
интенсивной пластической деформации нанозерен, в частности,
зернограничное проскальзывание.
Как известно, сочетание прочности и пластичности является
необходимым условием для разработки перспективных материалов. В этой
связи достижение очень высокой прочности и пластичности в металлах и
сплавах, подвергнутых интенсивной пластической деформации, открывает пути
создания принципиально новых конструкционных материалов, микроструктуры
которых являются наноразмерными.
Такие структурные материалы могут обладать более высокими
значениями прочности, ударной вязкости, усталости, в сравнении с
используемыми в настоящее время промышленными материалами. Например,
наноструктурный титан ВТ1-0 после ИПД проявляет очень высокие значения
предела прочности  В =1010…1040 МПа и выносливости  1 =591 МПа, что
превышает аналогичные параметры высоколегированного Ti сплава ВТ-6 (  В =
990…1000 МПа и  1 =567 МПа). Это закрыло путь для создания нового класса
конструкционных материалов медицинского назначения с высокими
усталостными характеристиками и ударной вязкостью – имплантантов,
используемых в травматологии и ортопедии для несущих конструкций и
устройств травматологических аппаратов.
При этом в отличие от титановых сплавов, широко используемых в
медицине, чистый титан обладает полной биологической совместимостью с
костной тканью человека.
Высокопрочное состояние с пределом прочности более 800 МПа было
обнаружено в наноструктурных алюминиевых сплавах, демонстрируя
возможность достижения в них прочности выше, чем у сталей.
Еще один пример – рекордные значения сверхпластичности, значительно
превышающие аналогичные, характерные для мелкозернистого состояния.
Измельчение структуры в Al- и Ti–сплавах, используя ИПД, позволило
существенно сместить скоростной интервал проявления сверхпластичной
деформации в область более высоких скоростей, при этом одновременно
снизить температуру деформации. Такие уникальные свойства
наноструктурных сплавов позволяют значительно расширить возможности
практического применения высокоскоростной и низкотемпературной
сверхпластичности для эффективной формовки различных деталей и изделий
сложной формы. Более того, сверхпластичные наноструктурные материалы
могут использоваться в качестве соединительных слоев для сварки различных
материалов в твердом состоянии и разного химического состава.
В объемных наноматериалах изменяются не только механические
свойства. В ферромагнитных материалах, в которых размеры зерен становятся
соизмеримыми с размерами доменов, существенно (в 10 раз) возрастает
коэрцитивная сила, а доменная структура по своему характеру отличается от
структуры в обычных материалах. В объемных наноструктурых кремнии и
германии изменяются оптические свойства.
Весьма существенно могут изменяться магнитные свойства наночастиц
по сравнению с массивным материалом. Это видно из сопоставления свойств
массивного материала и наночастиц из этого материала на примере ряда
металлов (таблица 1.3) [1].
Для типичных ферромагнетиков переход в суперпарамагнитное
состояние возможен, когда размер частиц становится менее 1…10 нм.
Величина коэрцитивной силы Нс растет при уменьшении среднего
размера частиц до некоторого критического размера. Для таких металлов как
Fe, Ni, Со максимальное значение Нс достигается для частиц со средним
диаметром 20…25…50…70 и 20 нм соответственно. В то же время еще нет
однозначно сформулированного мнения о причинах изменения
намагниченности ферромагнитных наночастиц.
Таблица 1.3 – Сопоставление свойств массивного материала и наночастиц

Металлы Массив Наночастицы
Na, K, Rh, Pd парамагнетик ферромагнетик
Fe, Co, Ni, Gd, Tb ферромагнетик суперпарамагнетик
Cr антиферромагнетик нарушенный парамагнетик
Изменение магнитных свойств наноматериалов отражает изменения

самой кристаллической структуры твердых тел. При уменьшении размера
ферромагнетика замыкание магнитных потоков внутри него оказывается все
менее выгодным энергетически. При достижении некоторого критического
размера (dкр), частицы становятся однодоменными, что сопровождается
увеличением коэрцитивной силы Нс до максимального значения. Дальнейшее
уменьшение размера частиц приводит к резкому падению коэрцитивной силы
до нуля, вследствие перехода в супермагнитное состояние.
В целом магнитные свойства наноматериалов представляют новые и
многообещающие возможности для новых открытий и достижений. Тонкие
слои магнитных материалов, таких как железо, в сочетании со слоями
халькогенидов, имеют важное значение для нелетучих записывающих
устройств.
Природа влияния наноразмеров зерна на физические и служебные
свойства металлов неоднозначна. Вместе с тем представляет интерес сделанная
в работе попытка связать этот вопрос для материалов, полученных методом
ИПД с определенным состоянием границ зерен.
По этой концепции в обычных материалах имеет место разновесное
состояние зернограничной структуры с минимальной свободной энергией при
данных кристаллогеометрических параметрах и внешних условиях. В то же
время в нанозернистых материалах границы зерен содержат избыточные по
отношению к телу зерна дислокации и дисклинации, т.е. система “объем зерна
– граница зерна” неравновесна.
При ИПД происходит переход (превращение) внутрезеренных
дислокаций в зернограничные. В измельченных при ИПД зернах резко
возрастает количество дефектов структуры, т.е. их неравновесность. Атомные
смещения в пограничных областях меняют динамику колебания решетки,
приводя к изменению таких фундаментальных свойств, как упругие модули,
температуры Кюри, Дебая и т. п.
При нагреве зернограничные дислокации и дисклинации переходят в
объем зерна, и металл переходит в обычное состояние с обычным уровнем
свойств.
Интересным и перспективным направлением использования
наноматериалов является подшихтовка УД порошков к обычным порошкам при
их прессовании и спекании. При подшихтовке 0,1…0,5 % УДП никеля к
обычным порошкам железа и никеля пористость порошковых изделий
снижается на 4…7 % при одновременном снижении температуры спеканий на
150…200 0С. При получении порошковой никель-молибденовой стали замена
карбонильного никеля на УДП оксалата никеля повысила прочность изделий в
1,5 раза, а их пластические свойства в 4 раза. Добавка УДП состава 0,5 %
Ni+0,5…1,0 % Сu+0,3 % С к порошку стали ПХ 17Н2 позволяет получать
порошковую сталь с ударной вязкостью 1,1…1,15 МДж/м2, что приближается к
уровню литой стали и в 1,5 раза превышает уровень КС для кованной стали
Х17Н2. Пористость стали снижается при подаче такой добавки с 10…11 до 5..6
%, твердость растет в 1,5 раза, достигая значения 1,2…1,6 ГПа.
Из реализованных на практике объемных компактных наноматериалов,
кроме приведенного выше примера порошковой стали и использования
наноструктурного титана в медицине, в качестве материала для имплантантов,
протезов и инструментария следует указать на постоянные магниты с
повышенной коэрцитивной силой и перспективность нанозернистых изделий в
авиа- и автомобилестроении, в качестве высокопрочных резьбовых соединений.
Наряду с металлическими объемными наноматериалами получены также
и неметаллические. Примером могут служить полинанокристаллические
алмазы, т.е. поликристаллические алмазы с нанометровым размером
составляющих их кристаллов. Сверхтвердое вещество получали при обработке
давлением кристаллов фуллеритов, образованных фуллеренами
сфероподобными молекулами углерода С60, в которых атомы углерода
располагаются по сфере, образуя на ее поверхности пяти- и шестиугольники.
Кроме чистых фуллеренов известны также и металлофуллерены, в
частности фазы типа FeхС60, обладающие высокими механическими
свойствами, которые были обнаружены при спекании смеси порошков в
вакууме.
Особой разновидностью компактных наноматериалов являются тонкие
пленки. Представляющие собой двумерные наноматериалы. Использование
главным образом в электронной технике, эти пленки получают конденсацией из
паровой фазы, осуществляя, например, магистронное распыление.
– 736 с.
262 с.
КарГТУ, 2006.

1. Свойства нанопорошков черных металлов.
2. Свойства порошков цветных металлов.
3. Свойства порошков редких и благородных металлов.
Тема 4 Контролируемая кристаллизация аморфных материалов (2

часа)
1. Направления получения объёмных наноструктурных материалов.
2. Контролируемая кристаллизация аморфных материалов.
В настоящее время существуют три направления получения объёмных

наноструктурных материалов: контролируемая кристаллизация аморфных
материалов, компактирование ультрадисперсных порошков и интенсивная
пластическая деформация материалов с обычным размером зерна.
При использовании контролируемой кристаллизации аморфных
материалов переход материала из аморфного в микро- и нанокристаллическое
состояние происходит в процессах спекания аморфных порошков, а также при
горячем или тёплом прессовании или экструзии. Размер кристаллов,
возникающих внутри аморфного материала, регулируется температурой
процесса. Метод перспективен для материалов самого различного назначения
(магнитных, жаропрочных, износостойких, коррозийностойких и т. д.) и на
самых разных основах (железо, никель, кобальт, алюминий). Недостаток метода
состоит в том, что получение нанокристаллического состояния здесь менее
вероятно, чем микрокристаллического.
– 736 с.
262 с.
КарГТУ, 2006.

1. Использование метода контролируемой кристаллизации аморфных
материалов для износостойких сталей.
материалов для жаропрочных сталей.
материалов для магнитных сталей.
Тема 5 Компактирование ультрадисперсных порошков (2 часа)
1. Компактирование ультрадисперсных прошков.
2. Схема получения объемных наноматериалов методом испарения,
конденсации и компактирования.
3. Метод теплого прессования.
4. Метод горячего прессования.
Второе направление, связанное с компактированием УДП, развивается по

нескольким вариантам. В первом случае используется метод испарения и
конденсации атомов для образования нанокластеров – частиц, осаждаемых на
холодную поверхность вращающего цилиндра в атмосфере разреженного
инертного газа, обычно гелия (рисунок 1.1).
При испарении и конденсации металлы с более высокой температурой
плавления образуют обычно частицы меньшего размера. Осажденный
конденсат специальным скребком снимается с поверхности цилиндра и
собирается в коллектор. После откачки инертного газа в вакууме проводится
предварительное (под давлением примерно 1 ГПа) и окончательное (под
давлением до 10 ГПа) прессование нанопорошка. В результате получают
образцы диаметром 5…15 мм и толщиной 0,2…0,3 мм с плотностью 70…95 %
от теоретической плотности соответствующего материала (до 95 % для
наноматериалов и до 85 % для нанокерамики). Полученные этим способом
компактные наноматериалы, в зависимости от условий испарения и
конденсации, состоят из кристаллов (зёрен) со средним размером от единиц до
десятков нанометров. Следует подчеркнуть, что создание из порошков
плотных, близких к 100 % теоретической плотности наноматериалов –
проблема весьма сложная и до сих пор не решенная, поскольку
нанокристаллические порошки плохо прессуются и традиционные методы
статического прессования не дают результатов.
1
2
4
5
6
11
7
10
9
8
1 – вращающийся цилиндр, охлаждаемый жидким азотом; 2 – скребок; 3 – инертный газ
(обычно Не); 4 – испаритель; 5 – клапан; 6 – фиксирующая пресс-форма; 7 – салазки; 8 –
поршень; 9 – гильза; 10 – узел окончательного компактирования при высоком давлении; 11 –
узел предварительного компактирования
Рисунок 1.1 – Схема получения объемных наноматериалов методом испарения,
конденсации и компактирования
Другой способ связан с компактированием порошков, полученных

способами механического измельчения и механического легирования. Однако
здесь также имеются проблемы компактирования получаемых нанопорошков и
изготовления объёмных наноструктурных образцов и заготовок с высокой
плотностью.
При применении методов теплового прессования компактирование
порошков аморфных металлических систем (АМС) осуществляется в
температурной области Т вблизи температуры стеклования Тg, в которой
происходит значительное снижение вязкости аморфного сплава, достигающее
нескольких подряд величин. При Т>Тр, где Тр (≈0,7Тg) – температура перехода
от низкотемпературного гетерогенного пластического течения к
высокотемпературному гомогенному течению, материал деформируется
однородно, а уровень требуемого для достижения этого напряжения может
быть значительно понижен.
Однако развитие методов компактирования АМС наталкивается на
серьезные трудности – температурный интервал при реализации механизма
гомогенного течения с низкой вязкостью достаточно узок и примыкает к
температуре кристаллизации. Должны быть выполнены условия в процессе
компактирования для предотвращения возникновения кристаллизации АМС.
Для успешного развития методов синтеза массивных порошковых АМС и
изделий из них необходимо уметь прогнозировать оптимальные параметры
(время, температуру, давление) процесса прессования. Значения этих
параметров должны определяться из условия достижения требуемой плотности
компакта конкретного сплава при сохранении аморфного состояния.
Установление оптимальных режимов компактирования опытным путём –
чрезвычайно сложная и трудоёмкая задача. Поэтому большое значение имеет
теоретический анализ процесса теплого прессования АМС, в том числе
выяснение условий получения наноаморфных твёрдых тел.
При сближении частиц под действием внешней нагрузки возникает вязко-
пластическое течение поверхностных слоёв в неоднородных полях напряжений
при контактных взаимодействиях частиц. Одновременно происходят процессы
гомогенизации материала наночастиц. В зависимости от относительных
размерных и структурных параметров частиц и их поверхностных слоев
(соотношения толщины слоя и радиуса частицы, а также соотношения вязко-
пластичных характеристик материала слоя и основной части частиц) возможно
формирование разных структурных состояний наноаморфных твёрдых тел.
Если концентрация избыточного свободного объёма в поверхностном
слое частицы выше, чем в объёме, и при этом поверхностный слой не обогащён
примесями, охрупчивающими АМС, то вязкость материала слоя будет ниже,
чем материала внутреннего объема, и процесс уплотнения компакта будет
происходить за счёт вязкопластического течения материала поверхностного
слоя. При этом будет формироваться структура, показанная на рисунке 1.2, а.
Толщина поверхностного слоя (δ) частиц должна быть при этом достаточной
для реализации роста контактных перешейков и сближения частиц за счёт
течения материала поверхностного слоя (δ>δr). Параметр δr(р) – расстояние
сближения частиц для достижения необходимой плотности компакта (р) под
действием внешнего давления (Р). В этом случае кинетика уплотнения
компакта будет определяться вязкостью материала поверхностных слоёв
частиц.
В противном случае (δ<δr) процесс роста контактных перешейков в ходе
уплотнения компакта будет происходить за счёт течения как материала
поверхностного слоя частицы, так и материала основного её объёма. В этом
случае при расчете кинетики уплотнения нужно использовать эффективную
вязкость материала в области контактного перешейка, определяемую с
помощью правила смесей через вязкости материалов слоя и внутреннего
объёма частицы. При этом будет формироваться структура типа изображённой
на рисунке 1.2, б. Возможны также более сложные процессы, например,
образование областей с иными параметрами топологического и
композиционного порядка на границах контактирующих частиц (рисунок 1.2,
в).
АМС2
АМС1
а б
в
Рисунок 1.2 – Структурные состояния наноаморфных твёрдых тел
В ходе уплотнения компакта происходят также процессы гомогенизации
структуры частиц.
Для получения компактных материалов с малой пористостью применяют
метод горячего прессования, когда прессование происходит одновременно со
спеканием. В данном случае давление прессования снижается в десятки раз по
сравнению с холодным прессованием. Температура горячего прессования в
зависимости от природы спекаемого материала находится в пределах 50…90 %
от температуры плавления основного компонента. Однако повышение
температуры компактирования приводит к быстрому росту зёрен и выходу из
наноструктурного состояния, а консолидация нанопорошков при низких
температурах, даже в условиях высоких приложенных давлений, ведёт к
остаточной пористости. Более того, проблемами остаются загрязнения образцов
при подготовке порошков и особенно увеличение их геометрических размеров.
– 736 с.
262 с.
КарГТУ, 2006.

1. Достоинства и недостатки метода горячего прессования.
2. Достоинства и недостатки метода теплого прессования.
Тема 6 Интенсивная пластическая деформация материалов с

обычным размером зерна (2 часа)
1. Методы интенсивоной пласичской деформации.
2. Кручение под высоким давлением.
3. Равноканальное упругое прессование.
В этой связи большой интерес вызывает получение наноструктурных

материалов методами интенсивной пластической деформации, т.е. большими
деформациями в условиях высоких приложенных давлений. В основе методов
ИПД лежит сильное измельчение микроструктуры в металлах и сплавах до
наноразмеров за счёт больших деформаций. При разработке этих методов
существует несколько требований для получения объёмных наноматериалов.
Во-первых, важность формирования ультрамелкозернистых (УМЗ) структур,
имеющих большеугловые границы зёрен, поскольку именно в этом случае
качественно изменяются свойства материалов. Во-вторых, формирование
наноструктур, однородных по всему объёму образца, что необходимо для
обеспечения стабильности свойств полученных материалов. В-третьих,
образцы не должны иметь механические повреждения или разрушения,
несмотря на интенсивное деформирование.
Первые работы, демонстрирующие возможность получения объёмных
наноструктурных металлов и сплавов, были выполнены в конце 80-х – начале
90-х годов Р.З. Валиевым с сотрудниками, использовавшими два метода ИПД –
кручение под высоким давлением и разноканальное упругое прессование
(РКУП).
Конструкция установки деформации кручением под высоким давлением
основана на принципе наковален Бриджмена, где образец помещается между
бойками и сжимается под приложенным давлением (Р) в несколько
гигапаскалей, затем прилагается деформация с очень большими степенями (10
и более). Нижний боек вращается, и силы поверхностного трения заставляют
образец деформироваться сдвигом. Геометрическая форма образцов такова, что
основной объём материала деформируется в условиях гидростатического
сжатия, в результате чего образцы не разрушаются. Полученные таким образом
образцы имеют форму дисков диаметров 10…20 мм и толщиной 0,2…0,5 мм.
Хотя их структура измельчается уже после деформации на пол-оборота, но для
формирования однородной ультрамелкозернистой структуры необходима
деформация в несколько оборотов. При этом средний размер зёрен в
полученных образцах, как правило, составляет 100…200 мкм. Однако
конечный размер зёрен в структуре зависит от условий интенсивной
деформации – величины приложенного давления, температуры, скорости
деформации, а также вида исследуемого материала.
Для получения массивных наноструктурных материалов используется
другой метод, основанный также на деформации сдвигом, – равноканальное
угловое прессование. При реализации РКУП заготовка неоднократно
продавливается в специальной оснастке через два пересекающихся канала с
одинаковыми поперечными сечениями при комнатной или повышенных
температурах, в зависимости от деформируемого материала. При наиболее
часто используемых углах Ф=900, каждый проход соответствует высокой
степени деформации, примерно равной 1. Для формирования наноструктур
весьма важными являются не только число проходов, но и направление прохода
через каналы, в зависимости от которых различают несколько маршрутов
РКУП. Важным фактором для данного метода является также сохранение
целостности получаемых образцов даже для малопластичных материалов.
Реализация данного метода может обеспечить формирование УМЗ структуры
средним размером зерен от 200 нм до 500 нм.
В последние годы равноканальное угловое прессование явилось объектом
многочисленных исследований в связи с возможностями практического
использования объёмных наноструктурных металлов и сплавов. Последние
разработки направлены на увеличение геометрических размеров образцов и
заготовок диаметром до 60 мм и длиной до 200 мм, получение длинномерных
заготовок, формирование наноструктур в труднодеформируемых и
малопластичных металлах и сплавах. Большое внимание уделяется также
развитию других методов интенсивной пластической деформации –
всесторонней ковке, специальной прокатке и др., с целью повышения
эффективности процесса.
– 736 с.
262 с.
КарГТУ, 2006.

1. Достоинства и недостатки равноканального углового прессования.
2. Достоинства и недостатки метода кручения под высоким давлением.
Тема 7 Материалы микро- и наноэлектроники (2 часа)
1. Общие сведения о полупроводниковых материалах
2. Выращивание монокристаллов
3. Метод вытягивания расплава с непрерывной подпиткой
поликристаллическим кремнием
Полупроводниковые материалы по праву занимают одно из ведущих мест

в ряду важнейших материалов, определяющих уровень развития мировой
цивилизации. Они составляют основу элементов базы современной
электронной техники, без которой сегодня немыслим научно-технический
прогресс. С развитием твердотельной электроники (и, прежде всего,
микроэлектроники) связано успешное решение проблем крупномасштабной
компьютеризации и информатизации, создания современных систем связи и
телевидения, эффективной передачи и преобразования электроэнергии,
разнообразной бытовой, медицинской и специальной электронной аппаратуры.
Большую роль играют эти материалы в решении задач развития экологически
чистых энергетики и холодильной техники, создания современных систем
мониторинга загрязнений окружающей среды, а также высокочувствительной
сенсорной техники широкого функционального назначения.
Развитию элементной базы твердотельной электроники уделяется
большое внимание во всех передовых стран мира. Только в 1996 г. мировое
производство полупроводниковых приборов в денежном исчислении
превысило 160 млрд. долларов, а в 2000 г. оно составило уже около 300 млрд.
долларов. Ежегодно в развитии этой области науки и техники вкладываются
миллиарды долларов. Достижения физики, физикохимии и технологии
полупроводниковых материалов, а также полупроводникового
материаловедения в значительной степени определяют прогресс в развитии
твердотельной электроники. Наша страна традиционно занимала (и занимает
сейчас) ведущие позиции в материаловедческой науке и располагает
высококвалифицированными научными и инженерными кадрами, которые
способны на современном уровне решать самые сложные научно-технические
задачи развития технологии производства полупроводниковых материалов.
Характерной особенностью современного этапа развития электронной
техники является вовлечение в сферу ее непосредственных интересов широкой
номенклатуры полупроводниковых материалов. Важнейшими из них являются:
кремний, арсенид галлия и большая группа других бинарных соединений и
многокомпонентных твердых растворов, германий, карбид кремния, бинарные
соединения на основе узкозонных и широкозонных соединений, разнообразные
термоэлектрические и сенсорные материалы.
Основным материалом современной твердотельной электроники является
кремний. Мировое производство монокристаллов кремния составляет 8…9
тыс. т/г. Сегодня монокристаллический кремний – это самый совершенный
кристаллический материал из огромного многообразия материалов, созданных
когда-либо человеком или природой. Высокой уровень качества характерен и
для ряда других хорошо освоенных полупроводниковых материалов.
Современная полупроводниковая индустрия – это яркий пример выдающихся
достижений человеческой мысли на пути развития мировой цивилизации, и ее
дальнейший прогресс связан с решением непрерывно усложняющихся научно-
технических задач.
Далее рассмотрим некоторые наиболее актуальные проблемы
современного этапа развития технологии и материаловедения
полупроводников.
Выращивание монокристаллов
Выращивание монокристаллов – одна из наиболее ответственных стадий
на пути создания приборных структур. Вырезаемые из монокристаллов
пластины используются либо для непосредственного формирования на их
основе интегральных схем и дискретных приборов, либо в качестве подложек в
процессах получения тонкопленочных эпитаксиальных структур. В обоих
случаях к качеству монокристаллических пластин предъявляются очень
высокие требования.
Основной тенденцией в развитии технологии получения монокристаллов
широкого круга полупроводников является увеличение диаметра
выращиваемых слитков, при одновременном непрерывном ужесточении
требований к совершенству кристаллической структуры и однородности
распределения задаваемых электрофизических характеристик в объеме
материала. В случае кремния речь идет о получении бездислокационных
монокристаллов диаметром до 450 мм, в случае GaAs, InP, GaSb, InSb, CdTe и
др. – малодислокационных монокристаллов диаметром до 100…150 мм.
Наиболее универсальным методом выращивания монокристаллов
больших диаметров остается метод Чохральского. Увеличение диаметра
выращиваемых монокристаллов и необходимость обеспечения высокой
экономической эффективности технологического процесса в цепочке
монокристалл – пластина требует создания прецизионных большегрузных,
высокопроизводительных и полностью автоматизированных ростовых
установок. Если, например, в производстве монокристаллов кремния
диаметром 200 мм используются печи с загрузкой до 150 кг, а диаметром 300
мм – до 250…300 кг, то переход на наращивание монокристаллов диаметром
450 мм требует создания ростового оборудования на загрузку 550…600 кг. При
этом диаметр используемых кварцевых тиглей увеличивается до 0,9…1,0 м.
В настоящее время основной продукцией на мировом рынке
полупроводникового кремния являются монокристаллы и пластины диаметром
150 и 200 мм. В 2001 г. ведущие производители кремния начали производство
бездислокационных монокристаллов и пластин диаметром 300 мм
сравниваются с таковыми для пластин диаметром 200 мм, а в дальнейшем
существенно их превысят. Кроме того, следует иметь в виду, что уже
разработана и проходит опытно-промышленное опробование технология
выращивания бездислокационных монокристаллов (и изготовления из них
пластин) диаметром 400…450 мм.
Однако решение проблемы выращивания монокристаллов больших
диаметров за счет последовательного увеличения массы исходной загрузки и
размеров используемых кварцевых тиглей на каждом новом этапе увеличения
диаметра слитка становится все менее экономически эффективным в связи с
существенным увеличением энергозатрат, удорожанием тиглей и повышением
расходов на обеспечение безопасных условий труда. С этой точки зрения
особого внимания заслуживает метод вытягивания расплава с непрерывной
подпиткой гранулированным или измельченным поликристаллическим
кремнием. Основным преимуществом этого метода является возможность
выращивать кристаллы большой массы из относительно небольшой и
постоянной по объему ванны расплава в тиглях меньшего размера. Есть и
другие принципиальные преимущества: обеспечение повышения однородности
распределения примесей по длине и в поперечном сечении выращиваемого
кристалла; решается проблема поддерживания постоянной формы фронта
кристаллизации и неизменных тепловых условий у границы раздела кристалл –
расплав на протяжении практически всего процесса. В настоящее время этот
метод доведен до уровня промышленного использования.
С точки зрения повышения экономических показателей процесса,
несомненно, перспективен и метод полунепрерывного вытягивания
монокристаллов с периодической дозагрузкой горячего кварцевого тигля через
специальный бункер без разгерметизации и охлаждения ростовой установки.
Серьезной и пока до конца не решенной проблемой в данном случае (как,
впрочем, и в предыдущем) является постепенное накопление нежелательных
фоновых примесей в расплавленной ванне (и, соответственно, в выращиваемом
монокристалле) по мере увеличения количества дозагрузок. Существенно
сдерживают широкое развитие метода и недостаточные механическая
прочность и термостойкость используемых в настоящее время большегрузных
кварцевых тиглей. Однако в этом направлении в последние годы наметились
серьезные положительные сдвиги.
Весьма существенную роль в получении высококачественных
монокристаллов больших диаметров играет конструкция теплового узла
ростовой установки. Оптимизация тепловых узлов современных ростовых
установок для выращивания монокристаллов проводится не только с учетом
необходимости прецизионного управления процессами тепло- и массопереноса
(ТМП) в расплаве большой массы, но и тепловыми полями в выращиваемом
монокристалле. Именно такой подход обеспечивает сегодня получение
бездислокационных монокристаллов кремния большого диаметра с
контролируемыми природой и плотностью присутствующих в них
микродефектов.
Оптимизация тепловых узлов требует проведения достаточно трудоемких
исследований по установлению связи тепловых условий выращивания с
электрофизическими характеристиками и структурными особенностями
получаемых кристаллов. По мере увеличения диаметра выращиваемых
монокристаллов такие исследования становятся все более трудоемкими и
требуют больших материальных затрат. В связи с этим, в последние годы для
оптимизации конструкций тепловых узлов ростовых установок и тепловых
условий выращивания монокристаллов все шире используются методы
математического и физического моделирования, учитывающие не только
тепловые особенности моделируемых ростовых процессов, но и конкретные
механизмы дефектообразования в выращиваемых кристаллах.
В последние годы для управления процессами ТМП в расплавах большой
массы начинают широко использовать электромагнитные воздействия на
расплав с помощью магнитных устройств на основе сверхпроводящих
материалов. Наибольшее распространение получило использование
постоянных магнитных полей. Однако интенсивно исследуются в возможности
переменных электромагнитных воздействий, в первую очередь, вращающих.
Электромагнитные воздействия за счет существенного увеличения;
эффективной вязкости расплавов полупроводниковых материалов позволяют
практически полностью подавить турбулентные течения в расплавленной
ванне, обусловленные тепловой конвекцией, и тем самым резко снизить
уровень колебаний температуры в подкристальной области расплава (а
соответственно, и уровень обусловленных ими колебаний скорости
кристаллизации). Это приводит к существенному повышению однородности
распределения примесей и уменьшению содержания структурных дефектов в
объеме выращиваемых монокристаллов. Вместе с тем, в условиях различных
электромагнитных воздействий существенно расширяются возможности
создания контролируемых гидродинамических потоков, обеспечивающих
оптимизацию условий ТМП в расплаве. В этом плане особого внимания
заслуживают комбинированные электромагнитные воздействия.
Тепловые узлы современных ростовых установок изготавливаются из
особо чистого изотропного графита (нагреватели, тигли, подставки) при
широком использовании углеродосодержащих композитных материалов,
обладающих хорошими теплоизоляционными свойствами (экраны).
При конструировании современных большегрузных установок
выращивания монокристаллов больших диаметров приходится одновременно
решать проблему создания надежной системы поддержки очень тяжелого
слитка в процессе его вытягивания, а также оснащения соответствующих
производственных участков вспомогательным оборудованием для
транспортировки и монтажа графитовых деталей теплового узла и кварцевых
тиглей, для выгрузки и транспортировки выращенного кристалла и его
калибровки, обеспечения безопасных условий труда. Все это предполагает
повышение уровня автоматизации, роботизации и стандартизации
соответствующих процессов, для чего необходимо более широкое оснащение
технологического и вспомогательного оборудования средствами современной
высокочувствительной сенсорной техники.
В применении к монокристаллам «разлагающихся» полупроводниковых
соединений (GaAs, InP, GaP, CdTe и др.) метод Чохральского реализован в
варианте жидкостной герметизации расплава в тигле слоем борного ангидрида.
Получение монокристаллов осуществляется в полностью автоматизированных
установках высокого давления, обеспечивающих выращивание слитков
диаметром до 150 мм и массой до 30 кг. При этом используют как
совмещенный, так и раздельный процессы синтеза исходного соединения и
выращивания монокристаллов. В качестве материалов для изготовления тиглей
применяются кварцевое стекло и пиролитический нитрид бора.
Если проблема получения бездислокационных монокристаллов кремния
большого диаметра при выращивании по методу Чохральского решается
сравнительно просто, то на пути получения этим методом крупногабаритных
малодислокационных монокристаллов большинства полупроводниковых
соединений возникают принципиальные сложности. Они обусловлены, в
первую очередь, существенно более низкими значениями критических
напряжений образования дислокаций в этих материалах, их меньшей
теплопроводимостью и трудностью обеспечения стехиометрического состава в
процессе выращивания.
Для снижения плотности дислокаций в выращиваемых монокристаллах в
данном случае широко используется легирование до сравнительно высоких
концентраций так называемыми упрочняющими примесями, превышающими
критические напряжения образования дислокаций в соответствующих
материалах. В качестве таких упрочняющих примесей хорошо зарекомендовали
себя изовалентные примеси, обладающие высокой растворимостью в
соответствующих полупроводниковых материалах и слабо влияющие на их
электрофизические свойства (например, In в монокристаллах GaAs; Zn в
монокристаллах CdTe).
Однако более предпочтительным способом получения
малодислокационных кристаллов является снижение уровня термических
напряжений в выращиваемом из расплава слитке, поскольку именно
термопластическая деформация является в данном случае основной причиной
генерации в нем дислокаций. Так как уровень термических напряжений
напрямую связан с величиной осевых и радиальных температурных градиентов
в выращиваемом кристалле, то естественно возникает задача снижения
последних. При этом принципиально важным является линейный или близкий к
нему характер осевого распределения температуры в кристалле в области,
прилегающей к фронту кристаллизации.
Выполнить эти условия в традиционном процессе вытягивания
монокристаллов из-под слоя герметизирующего флюса, без существенного
поверхностного разложения слитка в области над флюсом, не удается. Новые
возможности в этом плане предоставляет разработанный сравнительно недавно
способ выращивания монокристаллов по методу Чохральского с жидкой
герметизацией расплава, в условиях поддержания в газовой атмосфере
ростовой камеры над слоем флюса контролируемого давления паров летучего
компонента соответствующего соединения, позволивший решить задачу
создания необходимых тепловых условий выращивания, не опасаясь
поверхностного разложения растущего кристалла. Сегодня этот метод успешно
используется для получения монокристаллов GaAs и InP больших диаметров
(до 150 мм…75 мм, соответственно) с плотностью дислокаций  1...2  104 см 2 .
Наиболее перспективными методами выращивания малодислокационных
монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений больших
геометрических размеров являются методы горизонтальной (ГНК) и
вертикальной (ВНК) направленной кристаллизации в контейнере, размещаемом
в запаянной кварцевой ампуле. Оба метода позволяют выращивать
монокристаллы при достаточно низких температурных градиентах, в условиях
строгого контроля стехиометрии. В последние годы все большее предпочтение
отдается методу ВНК, который обеспечивает получение кристаллов
цилиндрической формы в условиях осесимметричного теплового поля и
поддержания плоского фронта кристаллизации, а также отсутствия тепловой
конвенции в расплаве. Специальная подготовка контейнеров из кварца или
нитрида бора позволяет исключить их отрицательное влияние на качество
выращиваемых монокристаллов. Особенно перспективным вариантом
реализации метода ВНК является кристаллизация в условиях «движущего
температурного градиента». В настоящее время методом ВНК в
промышленных условиях успешно выращивают монокристаллы GaAs
диаметром до 150 мм и массой 15…30 кг, с плотностью дислокаций  5  103 см 2
и с высокой однородностью распределения электрофизических свойств в
объеме.
В последние годы резко повысился интерес к таким широкозонным
полупроводниковым материалам, как карбид кремния и нитриды элементов
третьей группы Периодической системы. Эти материалы обладают очень
высокими температурами плавления и чрезвычайно высокими давлениями
паров летучих компонентов над собственными расплавами. Для выращивания
достаточно крупных монокристаллов этих материалов приходится
использовать кристаллизацию из растворов и различные методы
кристаллизации из газовой фазы, в том числе в аппаратуре высокого давления.
Получение достаточно крупных и совершенных монокристаллов этих
широкозонных полупроводников связано с преодолением большого количества
принципиальных сложностей и, за исключением карбида кремния, еще не
вышло за рамки лабораторных исследований.
Резкое увеличение плотности монтажа и уменьшение размеров рабочих
элементов в современных интегральных схемах диктует необходимость
снижения токов и напряжений. В этих условиях существенно возрастает роль
посторонних шумов, обусловленных, в первую очередь, присутствием в
активной области приборной композиции примесей и структурных дефектов,
способных образовывать в полупроводниковом материале электрически- и
рекомбинационноактивные центры. В связи с этим существенно ужесточаются
требования к широко используемым в твердотельной электронике
монокристаллам. Достаточно сказать, что в бездислокационных
монокристаллах кремния большого диаметра, применяемых для изготовления
ультрасверхбольших интегральных схем, суммарное содержание
быстродиффундирующих примесей тяжелых металлов не должно превышать
1011 ат/см3, а углерода – (1…2)  1015 ат/см3. Большое внимание уделяется также
обеспечению заданной концентрации и равномерного распределения кислорода
в объеме кристалла.
Очень жесткие требования по содержанию электрически активных
примесей выдвигаются и при решении проблемы получения
высококачественных нелегированных полуизолирующих монокристаллов GaAs
и InP, используемых в производстве дискретных приборов и интегральных схем
СВЧ-диапазона. В данном случае помимо примесей тяжелых металлов
необходимо строго ограничивать содержание в монокристаллах примесей
элементов второй и шестой групп Периодической системы – Zn, Cd, S, Se, Те и
др. (  1 1014 ат/см3), а также кремния (  1 1014 ат/см3) и углерода (  1 1015
ат/см3).
Весьма существенная роль в решении проблемы чистоты отводится
материалам (технологические газы, материалы контейнеров, нагревательных
элементов и тепловых экранов, химические реактивы и т.д.) материалам,
содержание лимитирующих остаточных примесей в которых не должно
превышать 10-7…10-9 %. Тем не менее, очень многое зависит и от обеспечения
стерильности самого ростового процесса. Особенно велика вероятность
дополнительного загрязнения материала на стадии его подготовки к загрузке и
в процессе осуществления самой этой операции (все необходимые операции,
связанные с финишной подготовкой как исходной загрузки, так и контейнера, а
также их размещением в ростовой камере, должны проводиться в особо чистых
условиях). Транспортировка подготовленной загрузки к ростовой установке
осуществляется в специальной чистой герметизированной таре. Серьезное
внимание уделяется процессу подготовки самой ростовой установки, в том
числе предварительному отжигу графитовых деталей теплового узла (и их
хранению), а также исключению сильного перегрева расплава на стадии
расплавления загрузки.
Серьезные новые задания возникают и в оснащении все усложняющихся
производств методами контроля качества продукции, особенно в применении к
пластинам. По мере увеличения степени интеграции твердотельных
электронных устройств все острее ощущается потребность в новых
высокоразрешающих, экспрессных, высокоинформативных и
автоматизированных бесконтактных методах контроля, объективно
характеризующих пригодность монокристаллов и пластин для решения новых
задач. Требования по количеству и размерам присутствующих в
монокристаллах и на поверхности пластин дефектов ужесточаются с каждым
годом, ибо возможности традиционных оптических и электрофизических
методов контроля уже практически исчерпаны. Необходим переход на
метрологию нового уровня, с использованием возможностей сканирующей
туннельной и атомно-силовой микроскопии, а также других современных
методов контроля структуры и свойств с субмикронным и нанометровым
разрешением. При этом новые средства контроля должны хорошо вписываться
в идеологию создания гибких, непрерывных, высокопроизводительных
автоматизированных технологических линий. Весьма актуальной становится и
проблема экспрессного контроля загрязнения поверхности пластин
металлическими примесями с чувствительностью на уровне – 108 ат/см2.
Для придания выращиваемым монокристаллам тех или иных
электрофизических параметров, необходимых для успешного их использования
в конкретных областях полупроводникового приборостроения, применяются
процессы легирования определенными примесями. В настоящее время круг
используемых в технологии важнейших полупроводниковых материалов
легирующих примесей достаточно ограничен. Как правило, легирование
осуществляется примесями, образующими мелкие донорные и акцепторные
уровни в запрещенной зоне, соответственно у дна зоны проводимости или у
потолка валентной зоны. При этом удается управляемо воздействовать на тип
проводимости и концентрацию носителей заряда в полупроводнике. Иногда для
легирования используются примеси, образующие глубокие уровни в
запрещенной зоне, что позволяет воздействовать на диффузионную длину
носителей заряда и регулировать степень компенсации электрически активных
центров в легируемом материале.
В то же время, сегодня уже хорошо известно, что введение тех или иных
легирующих добавок позволяет эффективно воздействовать на состояние
ансамбля собственных точечных дефектов (СТД) в кристаллах, на особенности
поведения в них дислокаций, что в конечном итоге может привести к
существенному расширению возможностей управляемого воздействия на
свойства полупроводникового материала. Большой интерес представляют
изовалентные примеси и примеси редкоземельных металлов. Можно
предложить, что в ближайшем будущем, при получении кристаллов с
необходимым набором свойств, все большее значение будут приобретать
процессы сложного легирования с использованием как традиционных, так и
нетрадиционных легирующих примесей.
– 736 с.
262 с.
КарГТУ, 2006.
5. Марков А.В., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Рост кристаллов: Сб.
– М.: Наука, 1990.
Контрольные задания для СРС (тема 7) [1, 2, 3, 8, 9]

1. Особенности дефектообразования в бездислокационных и
иалодислокационных монокристаллах.
2. Изготовление пластин.
3. Выращивание эпитаксиальных структур.
4. Материаловедческие проблемы кремниевой оптоэлектроники.
5. Структуры металл-диэлектрик-полупроводник.
Тема 8 Коммерческие перспективы наноматериалов (1 час)
1. Нанопроволоки и нановолокна.
2. Углеродные нанотрубки.
3. Коммерческие перспективы наноматериалов.
Нанопроволоки и нановолокна. Нанопроволоки, металлические

нанопроволоки для электронных микросхем, а также нанопроволоки из
точечных наночастиц (“мушек”), выращивают методом конденсации из
паровой фазы на ступенчатых подложках. Требуется, чтобы поверхностная
энергия материала подложки превышала поверхностную энергию абсорбата.
Так, для получения медных проволок требуется подложка из молибдена. На
вольфраме, имеющем более высокую поверхностную энергию, формируется
цепочки нано-“мушек”. Сущность процесса заключается в том, что паровая
частица, осевшая на плоскости «ступеньки», под влиянием поверхностных сил
диффундирует по плоскости ступеньки в ее угол, где действуют сил двух
плоскостей. Процесс позволяет получать нанопроволоки, как в виде «прутков»
диаметром порядка 1 нм, так и в виде «полосок» такой же толщины с шириной
20…60 нм. Для получения нанопроволок из полупроводников, например, из
сплава InGaAs и т.п., используются методы селективной эпитаксии. Проволока
формируется на «гребешке» подложки между двумя эпитаксиальными слоями.
Нанопроволока на основе кремния и германия. Нановолокна
(нанопроволоки) кремния в изоляционной оболочке из SiО2, а также
нановолокна германия привлекают в последние годы внимание как материал
для электронных наноприборов. Для их получения были опробованы различные
способы, включая фотолитографию, технику травления и т.п. Наиболее
перспективным оказался метод лазерного облучения мишеней из смесей Si + Si
O2, Si + Fe2O3, Ge + SiO2, Ge + GeO2 по известной схеме ПЖТ (пар – жидкость –
твердое).
Углеродные нанотрубки. Углеродные нанотрубки как полые, так и
заполненные либо металлами, либо карбидами или оксидами, получают
несколькими способами: пиролизом углеводородов в присутствии
металлического катализатора при 700…10000 С; в дуговом разряде на торце
графитового катода; электролизом солей галогенов между графитовыми
электродами.
В последнее время все большее внимание привлекают многостепенные
наполненные нанотрубки с внешним диаметром 2…70 нм и длиной до 60 мкм.
Трубки, наполненные железом, никелем, кобальтом, а также
интерметаллидами самария с кобальтом типа SmхСоу используют в магнитных
чернилах и тонерах при ксерографии. Трубки, наполненные карбидами
тугоплавких металлов (ТаС, NbС, МоС), при температурах ниже 10 К могут
использоваться как наносверхпроводники.
Коммерческие перспективы наноматериалов
Освоение наноматериалов в последние годы уверенно выходит на
промышленный уровень. Некоторые страны и объединения (США, Япония,
НАТО и др.) вкладывают сотни миллионов долларов в разработку способов
синтеза, исследования свойств, производство наноматериалов, изготовление
приборов и конструкций с использованием наноматериалов.
Уже в конце 80-х годов ХХ века США и Япония ежегодно тратили на
исследования в области наноматериалов порядка 110…120 млн. долларов.
Только в США более трех десятков компаний ведут на различном уровне
работу по их производству. Многие наноматериалы уже доступны на рынке. В
настоящее время они широко используются в микроэлектронике, способствуя
дальнейшей миниатюризации электронных приборов, в защитных системах
поглощения ВЧ- и рентгеновского излучений, в качестве катализаторов. В
атомной энергетике таблетки ТВЭЛов изготавливаются из УДП UО2, в
термоядерной физике из УДП бериллия изготавливают мишени для лазерно-
термоядерного синтеза. Металлические нанопорошки добавляют к моторным
маслам для восстановления трущихся поверхностей. Наноматериалы
используют в качестве сверхпрочных конструкционных материалов и
водостойких покрытий. Пленочные наноматериалы плоской и сложной формы
из магнитомягких сплавов используются для видеоголовок видеомагнитофонов,
существенно превосходя по служебным свойствам традиционные материалы.
Полученные плазмохимическим способом УДП металлов с включениями
карбидов используются в качестве шлифующего и полирующего материала при
«финишинге» полупроводников и диэлектриков.
В медицине УДП применяют для защиты персонала от рентгеновского
излучения (перчатки, фартуки, и т.п. из резины С УДП свинцовым
наполнителем в четыре раза легче обычных), а также для лекарств быстрого
усвоения и действия, используемых в экстремальных условиях ранения в
катастрофах, боевых действиях и т.п.).
В военном деле УДП применяются в качестве радиопоглощающего
покрытия самолетов-невидимок «Стелс», в новых видах взрывного оружия. В
«графитовой бомбе» используются углеродные нановолокна, выводящие из
строя энергосистемы противника. Трубчатые углеродные нановолокна и
фуллерены перспективны для армирования композиционной «суперброни» для
танков и бронежилетов.
Перспективность свойств наноматериалов такова, что смело можно
сказать: начиная с 90-х годов ХХ века научно-технический прогресс стал
определяться наноматериалами и нанотехнологиями.
На коммерческий рынок давно уже вышли не только металлические, но и
неметаллические наноматериалы, такие, как оксиды кремния и железа, а
оксиды алюминия, титана, сурьмы и др. на этот рынок выходят. Стали уже
доступны некоторые карбиды с размерами частиц 20…200 нм. Быстро
развивается сам рынок наноматериалов. Так, только в США за пять лет с 1996
по 2000 гг. объем рынка наноматериалов вырос с 42 до 154 млн. долларов в год
[1]. При этом среднегодовой рост объема рынка наноматериалов составил
почти 30 %, в том числе для наночастиц 24,2 % и для нанопокрытий 43,1 %.
В крупных странах сформированы долговременные программы развития
и практического использования наноматериалов. В качестве главной проблемы
ставится практическое освоение технологий, обеспечивающих производство
наноматериалов в достаточно больших объемах и конкурентоспособных на
рынках сбыта продукции.
– 736 с.
262 с.
КарГТУ, 2006.

1. Компактирование порошков.
2. Кручение под высоким давлением.
3. Равноканальное зерновое прессование.
4. Особенности модели наноструктур.
5. Углеродные нанотрубки.
4 Методические указания для выполнения практических

(семинарских) занятий
Тема 1. Механизмы и кинетика формирования наноаморфных

твёрдых тел. (4 часа)
Для занятий необходимо иметь калькулятор для расчета кинетических

характеристик формирования наноаморфных твердых тел.
План практического занятия

1. Изучить особенности формированиянаноаморфных тел.
2. Рассчитать скорость гомогенного вязко-пластического течения
аморфных тел от внешнего напряжения при низких температурах.
3. Рассчитать скорость гомогенного вязко-пластического течения
аморфных тел от внешнего напряжения при высоких температурах.
4. Сравнить полученные результаты.
Цель занятия: изучение механизмов и оосбенностей формирования

наноаморфных твёрдых тел.
Содержание отчета
1. Краткие сведения о механизмах и кинетике формирования
наноаморфных твёрдых тел.
2. Расчты скорости гомогенного вязко-пластического течения аморфных
тел от внешнего напряжения.
3.Выводы.
– 736 с.
262 с.
КарГТУ, 2006.

1. Структурные состояния наноаморфных твердых тел.
2. Процессы гомогенизации материала наночастиц.
3. Кинетика уплотнения компактов наночастиц аморфных металлических
сплавов.
Тема 2. Исследование деформационного поведения аморфно-

нанокристаллических материалов. (4 часа)
Для занятий необходимо иметь калькулятор для расчта кинетики

уплотнения компактов наночастиц аморфных металлических сплавов.

1. Изучить особенности деформационного поведения аморфно-
нанокристаллических материалов.
2. Определить скорость возрастания относительной плотности материала.
3. Решить кинетическое уравнение для относительной плотности
компакта.
Цель занятия: исследование кинетики уплотнения компактов наночастиц

аморфно-нанокристаллических материалов.
1. Краткие сведения об аморфно-нанокисталличских материалах.
2. Расчеты деформационного поведения аморфно-нанокристаллических
материалов.
3. Выводы.
– 736 с.
262 с.
КарГТУ, 2006.

1. Стадии уплотнения компакт частиц – рост приконтактных перешейков
частиц.
2. Модели для расчёта кинетики уплотнения.
3. Эффектиная вязкость аморфно-нанокристаллических материалов.
Тема 3. Изучение структуры материалов с ионно-плазменными

покрытиями. (4 часа)
Для занятий необходимо иметь калькулятор для вычисления напряжения в

ионно-плазменных покрытиях.

1. Изучить теоретичскую часть.
2. Определить методику исследования структур материалов с ионно-
плазменными покрытиями.
3. Опредить свойства ионно-плазменных покрытий.
Цель занятия: изучение структуры и остаточных напряжений в ионно-

плазменных покрытиях на основе титана, циркония, ниобия, нитрида титана и
нитрида циркония.
1. Краткие сведения о методах изучения структур материалов с ионно-
плазменными покрытиями.
2. Материалы и методика исследования.
3. Результаты исследований.
4. Выводы.
– 736 с.
262 с.
КарГТУ, 2006.

1. Изучить остаточные напряжения в слоях для покрытий Ti, Zr, Nb, TiN,
ZrN и NbN.
2. Изучить величину и знаки остаточных напряжений в покрытии и
подложке
Тема 4. Изучение свойств и микроструктуры наноматериалов. (3 часа)
Для занятий необходимо иметь образцы для изучения структур

План практического (семинарского) занятия

1. Ознакомиться с теоретической частью.
2. Изучить образец наноструктурного материала.
3. Зарисовать структуру образца, определить его свойства.
Цель занятия: изучение микроструктуры и свойств некоторых новых

материалов и сплавов.
1. Краткие сведения о структурах и свойствах наноматериалов.
2. Наноструктура образца.
3. Выводы.
– 736 с.
262 с.
КарГТУ, 2006.

1. Свойства наноструктурных ченых металлов.
2. Свойства наноструктурных цветных металлов.
3. Свойства наноструктурных редких и благородны металлов.
5 Тематический план самостоятельной работы студента с

преподавателем
Наименование темы Цель занятия Форма Содержание Рекомендуемая

СРСП проведения задания литература
Тема 1. Углубление Собеседован Определить [1, 2, 3]
Нанокристаллическ знаний по ие особенности
ие материалы. данной теме строения и
свойств
нанокристаллич
еских
Тема 2. Получение Углубление Расчет Рассчитать [1, 3]
нанопорошков. знаний по оптимальные
данной теме технологические
режимы
получения
Тема 3. Свойства Углубление Собеседован Оценить [1, 3]
нанопорошков. знаний по ие свойства
данной теме нанопорошков
в зависимости
от способа их
изготовления
Тема 4. Углубление Собеседован Рассмотреть [1, 3]
Контролируемая знаний по ие кинетику и
кристаллизация данной теме термодинамику
аморфных кристаллизаци
материалов и аморфных
металлических
сплавов
Тема 5. Углубление Расчет Рассчитать [1, 3]
Компактирование знаний по оптимальные
ультрадисперсных данной теме технологические
порошков. режимы
компактирования
ультрадисперсны
х порошков
Тема 6. Углубление Расчет Рассчитать [1, 3]
Интенсивная знаний по оптимальные
пластическая данной теме технологическ
деформация ие режимы для
материалов с интенсивной
обычным размером пластической
зерна деформации
Тема 7. Материалы Углубление Собеседован Подобрать [1]
микро- и знаний по ие оптимальные
наноэлектроники. данной теме материалы для
конкретного
назначения в
микро- и
наноэлектрони
ке.
6 Материалы для контроля знаний студентов в период рубежного

контроля и итоговой аттестации
6.1 Тематика письменных работ по дисциплине
Тематика рефератов
1. Наноматериалы.
2. Получекние нанопорошков.
3. Модели наноструктур.
4. Актуальные проблемы технологии получения полупроводников.
5. Приборы на основе непланарного кремния.
6. Выращивание монокристаллов.
7. Эпитаксиальные структуры.
8. Фуллерены – материалы будущего.
9. Металлические композиционные материалы.
10. Керамические углеродные материалы.
11. Углерод-углеродные композиционные материалы.
12. Методы получения композиционных материалов.
13. Порошковые материалы.
14. Сверхпроводящие наноматериалы.
15. Способы получеия нанопорошков.
16. Наноматериалы для магнитной записи.
17. Сплавы повышенной надежности.
18. Конструкционные наноматериалы для атомной энергетики.
19. Нноструктурные сплавы с памятью формы.
20. Аморфные металлические сплавы.
21. Многокомпонентные наноструктурные пленки.
22. Функциональные покрытия.
23. Новые магнитомягкие наноматериалы.
24. Новые магнитотвердые наноматериалы.
25. Ферриты.
6.2 Вопросы для самоконтроля

1. Что подразумевается под ультрадисперсными материалами или
наноматериалами?
2. Во сколько раз дает повышение прочности уменьшение размера зерна
металла с 10 микрон до 10 нанометров?
3. Как развивалась разработка наноматериалов в XX веке?
4. Какова современная тенденция развития наноматериалов?
5. Чем определяется актуальность проблемы призводства нано- или
ультрадисперсных материалов?
6. Какие существуют методы получения ультрадисперсных материалов?
7. В чем заключаются химические методы получения наноматериалов?
8. В чем заключаются физические методы получения наноматериалов?
9. В чем заключаются механические методы получения наноматериалов?
10. В чем заключаются биологические методы получения
наноматериалов?
11. Какие в настоящее время существуют три направления получения
объёмных наноструктурных материалов?
12. В чем заключается метод контролируемой кристаллизации аморфных
материалов?
13. В чем заключается метод компактирования ультрадисперсных
порошков?
14. В чем заключается метод интенсивной пластической деформации
материалов с обычным размером зерна?
15. Что такое углеродные нанотрубки? В чем их особенность?
16. В чем заключается перспективность свойств наноматериалов?
17. Как в медицине используются наноматерилы?
18. Как в военном деле используются наноматериалы?
19. Как используются наноматериалы в атомной энергетике?
20. Где используются пленочные наноматериалы?
21. Где в современной науке и технике используются полупроводниковые
материалы?
22. В чем заключаются характерные особенности современного этапа
развития электронной техники?
23. Перечислите важнейшие из полупроводниковых материалов?
24. Какой материал современной твердотельной электроники является
основным?
25. Что является основной тенденцией в развитии технологии получения
монокристаллов?
26. Какой метод является наиболее универсальным при выращивания
монокристаллов больших диаметров?
27. Что в последние годы используется для управления процессами
тепломассопереноса в расплавах большой массы?
28. Какие процессы применяются для придания выращиваемым
монокристаллам тех или иных электрофизических параметров?
29. Какие требования предъявляются к оптическим материалам,
применяемым в инфракрасных устройствах?
30. Какими основными свойствами обладает монокристаллический
германий?
31. В чем заключается сущность способа направленной кристаллизации?
32. Какие два пути возможны при разращивания монокристалла в
радиальном направлении?
33. В чем заключается условие поддержания монокристаллического
роста?
34. Какие существуют модификации углерода?
35. Что собой представляет карбин?
36. Какой метод используется для синтеза эндоэдральных фуллеренов?
37. Назовите области использования фуллеренов?
38. В каком состоянии фуллерены представляют практический интерес?
39. Приведите краткие сведения об ионно-плазменных покрытиях
40. Что представляют собой наноаморфные металлические материалы
(наностёкла)?
41. Какие методы применяют для получения массивных аморфных
металлических сплавов?
42. Какие серьезные трудности у методов компактирования аморфных
43. Каковы закономерности вязко-пластического течения аморфных
44. Каковы механизмы формирования и структурные состояния
наноаморфных твердых тел?
45. Какова кинетика уплотнения компактов наночастиц аморфных
46. В чем заключается первая стадия уплотнения компакт частиц – рост
приконтактных перешейков частиц?
47. Что является основным условием получения массивного аморфного
металлического сплава?
48. Каково кинетическое уравнение для относительной плотности
компакта?
49. Что означает десятичная приставка “нано-”?
50. Каковы причины размерных эффектов в наномасштабных объектах?
6.3 Экзаменационные билеты

1. Новые материалы определяют развитие таких отраслей, как (выбрать
нужные)…
а) промышленность
б) ракетостроение
в) медицина
г) сфера услуг
д) строительство
2. К технологиям, способным коренным образом изменить всю структуру
производства относятся (выбрать нужные)…
а) информационные технологии
б) технологии получения новых материалов
в) технологии обогащения полезных ископаемых
г) биотехнологии
д) генная инженерия
3. По экспертным оценкам в ближайшие 20 лет принципиально новыми
будут заменено … процентов материалов.
а) 10
б) 30
в) 50
г) 70
д) 90
4. Высок уровень разработок по получению материалов (выбрать
нужные)…
а) из керамики
б) для микроэлектроники
в) композиционным
г) полимерным
д) сверхтвёрдым
5. Для развития техники высоких температур необходимы
композиционные материалы на основе (выбрать нужные)…
а) углеродных волокон
б) кристаллов алмаза
в) углеродных матриц
г) карбидо-углеродных матриц
д) интерметаллидов
6. Жаропрочные сплавы не могут использоваться в двигателях
современных и будущих ракет, так как их…
а) рабочая температура ниже 40000 С
б) прочность не достигает 100 МПа
в) плотностью более 2 г/см3
г) производство требует высоких затрат
д) изготовление не возможно в промышленных условиях
7. В авиационных и газотурбинных двигателях необходимы материалы
прочностью до 250 МПа и коэффициентом температурного расширения…
а) более единицы
б) единица
в) 0,5
г) близким к нулю
д) не зависящим от температурного режима
8. Нанотрубки, полученные методом дугового разряда в атмосфере гелия,
являются новой формой…
а) оптических волокон
б) инертного газа
в) ионизированной плазмы
г) конденсированного углерода
д) анизотропного железа
9. Диаметр многослойной углеродной нанотрубки составляет порядка
десятков нанометров, а длина достигает нескольких…
а) нанометров
б) микрон
в) миллиметров
г) сантиметров
д) километров
10. Обеспечение удельного веса газотурбинных двигателей на уровне
0,05…0,08 кг/кгс достигается только применением (выбрать нужные)…
а) материалов на основе керамики
б) композиционных материалов с полимерной матрицей,
в) композиционных материалов с металлической матрицей
г) интерметаллидов
д) жаропрочных сплавов с монокристаллической структурой
11. “Умные” материалы используются при изготовлении (выбрать
нужные)…
а) обшивок корпусов морских судов
б) самоупрочняющихся лопастей вертолетов
в) звукопоглощающих промышленных конструкций
г) “искусственного лёгкого”
д) конструкций с адаптивно изменяющимися свойствами
12. Создание основ процесса катализированной направленной
кристаллизации позволило синтезировать гамму…
а) композиционных монокристаллов
б) полимерных материалов
в) строительных стеклокристаллических материалов
г) углеродных нанотрубок
д) аморфных жидких кристаллов
13. Стеклокристаллические материалы характеризуются (выбрать
нужные)…
а) высокой химической стойкостью
б) высоким сопротивлением истирающему воздействию
в) декоративными свойствами
г) оптическими свойствами
д) низкой износостойкостью
14. Материалы для эндопротезирования требуют (выбрать нужные)…
а) биоинертность
б) стабильность свойств
в) долговечность работы
г) высокий уровень физико-механических характеристик
д) биоактивность
15. Сверхпроводящие материалы применяются в…
а) медицинские томографы
б) сепараторы для тонкой очистки
в) звукопоглощающих промышленных конструкций
г) приборы и установки индустриальной физики
д) накопители энергии
16. Материалы, обладающие биологической активностью и способностью
сращиваться с живой костной тканью, называются…
17. Технологии, позволяющие навести мост через пропасть, разделяющие
промышленность и экологию – это…
а) стеклокристаллические технологии
б) биотехнологии
в) информационные технологии
г) технологии получения оптических монокристаллов
д) мембранные технологии
18. Для эффективного разделения жидких и газообразных сред,
выделения ценных продуктов из сточных вод для сепарации ионов в батареях
применяются…
а) жидкие кристаллы
б) стеклокристаллические материалы
в) мембраны
г) высоко-электропроводных проводников на основе Cu-Nb
д) биоситаллы
19. Одним из сдерживающих факторов быстрого распространения новых
материалов является их…
а) высокая цена
б) не широкое применение
в) не соответствие экологии
г) проблематичное изготовление
д) низкие физико-механические свойства
20. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез
способствует…
а) снижению цены новых материалов
б) повышению физико-механических свойств
в) широкому применению новых материалов
г) экологической чистоте получаемых материалов
д) сверхпроводимости материалов
21. Самораспространяющийся высокотемпературный синтез
способствует (выбрать нужные)…
а) высокой технологической производительности
б) использованию химической энергии реагентов
в) повышению цен на производство новых материалов
г) упрощению высокотемпературного оборудования
д) повышению физико-механических свойств материалов
22. Очень привлекательно использование в медицине имплантатов из
никелида титана, так как они…
а) имеют чрезвычайно низкую стоимость
б) обладают памятью формы
в) обладают свойствами саморазгружения при высоких нагрузках
г) обладают высокой прочностью
д) могут воспроизвести любой орган человеческого тела
23. В XXI веке ожидается бурный рост (выбрать нужные)…
а) полупроводников
б) нанотехнологий
в) оптоволоконной техники
г) микромашин
д) строительного производства
24. Одно из важнейших направлений, определяющих развитие всех
отраслей промышленности, строительства, медицины и сферы услуг – это …
материалы.
25. К основным типам используемых твердотельных систем
детектирования рентгеновского (х) и γ-излучений относятся (выбрать
нужные)…
а) оптические датчики
б) полупроводниковые датчики
в) мембраны
г) сцинтилляторы
д) ионизаторы газов
26. Оптические датчики, преобразуют ионизирующее излучение в …
сигнал.
27. Полупроводниковые датчики, преобразуют излучение в … сигнал.
28. Полупроводниковые детекторы х- и γ-излучений современные
технологии позволяют получать в значительных количествах только из …
а) железа и углерода
б) кремния и германия
в) свинца и натрия
г) теллура и йода
д) бария и осмия
29. К недостаткам TlBr относится …
а) высокая гигроскопичность
б) отсутствие фазовых переходов между Тпл и комнатной температурой
в) высокая температура плавления
г) невысокая твердость
д) узкая запрещенная зона
30. Определите последовательность очистки галогенида таллия.
а) обработка TlBr вакуумной дистилляции
б) сплавление солей TlBr
в) осаждение соли TlBr из азотнокислых растворов
г) отделение от поликристаллического слитка верхней части и
проведение направленной кристаллизации
д) сушка соли TlBr
31. Изменение удельного сопротивления по длине слитка TlBr при
направленной кристаллизации объясняется …
а) отсутствием вакуумной обработки
б) газовой пористостью в верхней части
в) ионизацией поверхности слитка
г) наличием диэлектрических примесей при направленной
кристаллизации
д) увеличением электрически активных примесей, оттесняемых в конец
слитка
32. На начальных стадиях очистки TlBr величину удельного со-
противления лимитируют электрически активные примеси с коэффициентом
распределения … единицы.
63. В качестве основы для неохлаждаемых полупроводниковых
детекторов могут использоваться такие вещества, как (выбрать нужные) …
а) CdTe
б) HgI2
в) GaAs
г) TlBr
д) алмаз
34. При охлаждении датчиков на основе TlBr до …, сопротивление
возрастает на 1-1,5 порядка.
а) +200 С
б) 00 С
в) -10 °С
г) -500 С
д) -1000 С
35. Наноаморфные металлические материалы представляют собой один
из классов … материалов.
36. Наноаморфные твёрдые тела получают … аморфных наночастиц.
37. Для получения массивных аморфных металлических сплавов
применяют такие методы, как (выбрать нужные) …
а) тёплое прессование
б) экструдирование
в) холодное в пресс-формах
г) динамическое компактирование
д) порошковая металлургия
38. При применении методов теплового прессования компактирование
порошков осуществляется в температурной области вблизи температуры …
а) ликвидус
б) солидус
в) кристаллизации
г) стеклования
д) 00 С
39. Зависимость скорости гомогенного вязко-пластического течения АМС

 р от внешнего напряжения σ обычно аппроксимируется функцией …

а)  р =А∙σm

б)  р =const(σ)
  
в)  р =  0∙sinh[ ],
0
 
г)  р =(2∙τ/  0)∙exp(-τ/τ0).

д)  р =2∙ν∙exp(-α∙V*/Vf)∙exp[-ΔG/(kΔ/k∙T)]
40. Установите соответствие между обозначением в зависимости
   0   f
скорости сдвиговой деформации течения АМС  =  0∙sinh[ ] и их
k T
физическим смыслом.
Физический смысл Обозначения
а) температура 
б) время 1)  0 4) Т
в) сдвиговое напряжение 2) Ωf
3) τ
г) локальная деформация области сдвига
д) объем
41. При τ>>τ0 вязкость АМС, определяется соотношением …

а) η=(2∙τ/  0)∙exp(-τ/τ0)
k T
б) η= 
 0  f

в) η= ( 0 /  0 )

г) η= τ/ 
k T 
д) η= 
·exp(τ/  )
 0  f
42. При сближении наночастиц под действием внешней нагрузки
(выбрать нужные) …
а) частицы переходят в изотропное состояние
б) возникает вязко-пластическое течение поверхностных слоёв
в) происходит чисто упругое сжатие
г) происходят процессы гомогенизации материала наночастиц
д) температура наночастиц достигает температуры стеклования
43. Формирование разных структурных состояний наноаморфных
твёрдых тел зависит от (выбрать нужные) …
а) соотношения толщины слоя и радиуса частицы
б) структурных параметров поверхностных слоев
в) относительных размерных параметров частиц
г) структурных параметров частиц
д) соотношения вязко-пластичных характеристик материала слоя и
основной части частиц
44. Если концентрация избыточного свободного объёма в поверхностном
слое частицы выше, чем в объёме, и при этом поверхностный слой не обогащён
примесями, охрупчивающими АМС, то процесс уплотнения компакта будет
происходить за счёт … течения материала поверхностного слоя.
45. В металлических наностёклах выявляются … характеристических
времени жизни позитронов.
а) два
б) три
в) четыре
г) пять
д) шесть
46. Вторую компоненту времени жизни позитронов t2 можно связать с …
а) захватом позитронов в областях повышенной концентрации
избыточного свободного объёма
б) разрушением концентрационных неоднородностей в границах раздела
частиц
в) изменением структуры однородных металлических стёклах
г) формированием аморфных позитронных слоев
д) аннигилированием позитронов
47. При термообработке металлического наностекла вторая компонента
времени жизни позитронов …
а) не имеет физического смысла
б) не учитывается при аналитических расчетах
в) трансформируется в третью
г) становится равна первой
д) такая же, как и без термообработки
48. Уравнение кинетики диффузионного выравнивания концентрации с(r,
t) в сферической частице имеет вид …
c c 2  2c
а)  D(   2 )
t r r r
c  2c c
б)  D( 2  )
t r r
c  c 2 c
2
в)  D( 2   )
t r r r
c c r c
г)  D(   )
t r 4 r
c  c 2  2c
2
д)  D( 2   2 )
t r r r
49. На начальной стадии процесса компактироания, когда относительная
плотность компакта ρ<0,9, его уплотнение происходит за счёт …
а) уменьшения радиуса частиц
б) увеличения внутрипорового воздуха
в) повышения вязкости компакта
г) роста площади контактных перешейков между контактирующими
частицами материала
д) залечивания изолированных пор
50. На конечной стадии процесса компактирования 0,9<ρ<1,0 уплотнение
компакта вызвано …
а) уменьшения радиуса частиц
б) увеличения внутрипорового воздуха
в) повышения вязкости компакта
г) роста площади контактных перешейков между контактирующими
частицами материала
д) залечивания изолированных пор
51. Пренебрегая изменением формы частиц на начальной стадии
процесса компактирования скорости возрастания относительной плотности
компакта равна …
1 
 2  (   0 )  y
2 3
а)  
R
1 
 3  (  2  0 ) 2  y
б)  
R
1 
 6  (   0 )  y
3 2
в)  
R
1 
 2  (  2   20 ) 2  y
г)  
R
1 
 3  (   0 )  y2 2
д)  
R
52. Радиус контактного перешейка частиц компакта определяется
формулой …
1
S
а) x= ( ) 2

б) z=12∙ρ
   0
в) R=   R0
2
3 1  0
1 
 3  (  2  0 ) 2  y
г)  
R
 01
д) η1= 
 10
53. В формуле эффективной вязкости компакта ηэф=fη1+(1-f)η2, f – это …
а) величина давления на компакт
б) коэффициент трения частиц компакта
в) коэффициент пропорциональности
г) объёмная доля частицы
д) скорость уплотнения компакта
54. Предел текучести АМС σТ составляет от модуля Юнга …
а) 12…25
б) 1…1,5
в) 1/3…1/5
г) 1/40…1/50
д) 1/150…1/250
55. Металлические стекла можно получить с помощью … аморфных
нановолокон.
а) расплавления
б) прессования
в) электролиза
г) гидролиза
д) распыления в электрической дуге
56. При схеме чередующуюся продольно-поперечную нановолокон
имеют место варианты разложения соседних слоёв относительно друг друга
а) с параллельным расположением волокон
б) с перекрёстным расположением волокон
в) продольно-поперечное расположение
г) поперечно-поперечное
д) продольно-продольное
57. Важным условием получения массивного АМС является
предотвращение возникновения …
а) анизотропной структуры наночастиц
б) температуры плавления
в) псевдосжиженного состояния
г) касательных напряжений в компакте
д) кристаллизации
58. Процесс зарождения кристаллических зародышей начинается и
развивается, когда образец АМС выдерживается при некоторой температуре
ниже температуры …
а) окружающей атмосферы
б) 00 С
в) кипения воды
г) тройной точки воды
д) кристаллизации
59. Зависмость температуры кристаллизации АМС от давления выглядит
как ...
8kT
а) Тк(Р)=
3v ( g ) 2
V
б) Тк(Р)=Тк0+  dP
S
4    а3
в) Тк(Р)= 
3(g ) 2
г) Тк(Р)=Тк
kT
д) Тк(Р)=
 2 Gn
D(n*)( ) n  n*
n 2
60. Изменение скорости зарождения в переходной стадии описывается
соотношением…
а) tИ= kT
2
 Gn
D(n*)( ) n  n*
n 2
(R  r) 2
1
б) V=2   ( R  r )  R[( R  r ){R  }]

4
в) I(t)=I0exp(t/tИ)

3   P' эф 
г) y =   x   0 sinh 

16  3  3   0 
1 
3  (  2  0 ) 2  y

д)  
R
61. В настоящее время в промышленности широко используются
различные упрочняющие и … покрытия на основе фаз внедрения переходных
металлов.
62. Покрытия на основе фаз внедрения переходных металлов наносят на
металлорежущий инструмент с целью …
а) повышения пластичности
б) упрочнения
в) снижения твердости
г) защиты от коррозии
д) снижения себестоимости инструмента
63. В настоящее время в промышленности широко используются
различные упрочняющие и защитные покрытия на основе фаз внедрения
переходных …
64. Покрытия на основе фаз внедрения переходных металлов наносят на
элементы различных конструкций с целью …
а) повышения пластичности
б) упрочнения
в) снижения твердости
г) защиты от коррозии
д) снижения себестоимости инструмента
65. Для улучшения служебных характеристик готовые покрытия
подвергают дополнительной … обработке имплантацией.
а) поверхностной
б) термической
в) катодной
г) химической
д) разупрочняющей
66. Покрытия из нитрида титана на различные подложки можно наносить
методами (выбрать нужные) …
а) газофазного осаждения
б) катодного подключения
в) ионно-плазменного напыления
г) вакуумно-дугового напыления
д) плазмо-магнетронного напыления
66. Анализ микродифракционной картины показывает, что в покрытии из
нитрида титана присутствует только одна фаза с параметром решетки …
а) а=0,23 мм
б) а=0,432 мм
в) а=0,627 мкм
г) а=0,118 мкм
д) а=0,423 нм
67. Параметр решетки в покрытии из нитрида титана равен а=0,423 нм и
соответствует … стехиометрического состава.
а) оксиду углерода
б) кристаллической решетке
в) титану
г) азоту
д) нитриду титана
68. Имплантация ионов Ti и Ni в газофазные покрытия нитридов титана
приводит к появлению в материнских зернах покрытия …
а) оксида титана
б) фаз внедрения нитрида железа
в) субзерен
г) подложки
д) неметаллических включений
69. Средний размер субзерен в материнских зернах покрытия нитрида
титана, нанесенного методом газофазного осаждения, равен …
а) 60 нм
б) 8 нм
в) 25 мкм
г) 90 мм
д) 3 см
70. Средний размер субзерен в покрытии нитрида титана, нанесенного
методом ионно-плазменного напыления, равен …
а) 1 нм
б) 10 нм
в) 100 нм
г) 1000 нм
д) 100 мкм
71. Средний размер субзерен в покрытии нитрида титана, нанесенного
методом вакуумно-дугового напыления, равен …
а) 1,354 нм
б) 35,55 нм
в) 77,92 нм
г) 200 нм
д) 1 мм
72. Совместная имплантация ионов титана и никеля в ионно-плазменные
покрытия приводит к частичной … локальных внутренних напряжений в
ионно-легированной зоне.
73. В процессе ионной имплантации в поверхность покрытия нитрида
титана на всю глубину имплантированной зоны внедряются атомы (выбрать
нужные) …
а) углерода
б) железа
в) кислорода
г) гелия
д) инертных газов
74. Установите соответствие между способом нанесения покрытия
нитрида
титана и схемой микроструктуры покрытий.
Способ нанесения покрытия схема микроструктуры
а) газофазные покрытия 1) Зерна вытянуты в направлении, перпендикулярном поверхности
покрытия. Размер зерна в данном направлении существенно меньше
б) вакуумно-дуговые толщины покрытия. В сечении, параллельном поверхности, зерна
в) ионно-плазменные покрытия
равноосные со средним размером 60 нм. В зернах высокие
остаточные напряжения.
г) плазмо-магнетронные покрытия
2) зерна в сечениях имеют форму, близкую к равноосной, со
д) оже-электронные покрытиясредним размером 600 нм. Зерна свободны от напряжений.
3) Зерна колонковой формы. В сечении, перпендикулярном
поверхности покрытия, размер зерен соответствует толщине
покрытия, а в сечении, параллельном поверхности покрытия, зерна
имеют равноосную форму со средним размером 100…200 нм. В
зернах есть высокие напряжения.
75. Ионная имплантация не меняет … и фазовое состояние покрытий, но
понижает уровень …
а) систему дифракционных колец; примесей в виде углерода и кислорода
б) количество примесей в виде углерода и кислорода; дифракционных
колец
в) внутренних напряжений; зеренную структуру
г) зеренную структуру; внутренних напряжений
д) параметр решетки; средний размер зерен
76. В нанесенных катализаторы активная дисперсная фаза представлена
наночастицами …
а) инертных газов
б) углерода
в) азота
г) неметаллических включений
д) металлов
77. Нанесенные катализаторы получают, используя операции (выбрать
нужные) …
а) коагуляция дисперсных фаз
б) катодное рафинирование
в) пропитка носителя
г) термической сушкой
д) восстановление
78. Вычисление средних размеров частиц металлической фазы по
разности интенсивностей рассеяния катализатором и носителем называется
методом …
а) оже-электронной микроскопии
б) малоуглового рассеяния рентгеновских лучей
в) тонких фольг
г) вакуумно-дугового напыления
д) выявления ультрадисперсных фаз
79. При исследовании методом МУР возникает опасность проявления …
а) рассеяния рентгеновских лучей
б) коагуляции дисперсных фаз
в) дифракции протонов
г) интерференционных эффектов
д) пор кристаллической решетки
80. Во избежание проявления интерференционных эффектов при
использовании МУР поры носителя и катализатора …
а) бомбардируют альфа-частицами
б) заполняются жидкостью
в) удаляют из металла
г) отрицательно заряжают
д) помещают в электромагнитное поле
81. Во избежание проявления интерференционных эффектов при
использовании МУР поры носителя и катализатора заполняют (выбрать
нужные) …
а) Н2О
б) жидким азотом
в) СН2I2
г) СН2Вr2
д) С2Н4С12
82. Возникновение интерференционных эффектов, обусловлено …
а) совмещением рассеивающих центров различной природы
б) наличием жидкости в порах
в) различной степенью преломления лучей света
г) отсутствием атомов неметаллических материалов
д) различной электронной плотностью на разных участках
83. При исследовании нанесенных катализаторов методом МУР
интерференционные эффекты "частицы-поры" …
а) значительно искажают реальную картину
б) проявляются лишь при заполнении пор жидкостью
в) не позволяют применять МУР на практике
г) не имеют существенного значения, если интенсивность рассеяния
активной фазы на порядок и более превосходит рассеяние носителем
д) отсутствуют
84. При переходе от однокомпонентных катализаторов к
многокомпонентным возникают трудности, связанные с интерпретацией
кривых …
85. В системе Ir-Rh/Si02 концентрации компонентов …, электронные
плотности …
а) различаются; одинаковые
б) равны; значительно различаются
в) равны; идентичные
г) сильно различаются; различаются
д) не имеют значения; тождественно равны
86. Частицы в системе Pd Pd-Au-Rh/SiO2 преобладают в интервале R=…,
включающем максимум кривой распределения.
а) 1…2 мм
б) 0,5…4 мкм
в) 2…5 нм
г) 56…85 нм
д) 22…50 мкм
87. Применение малоуглового рассеяния рентгеновских лучей позволяет
получить информацию о(б) (выбрать нужные) ….
а) дисперсности нанесенной однокомпонентной металлической фазы
б) дисперсности нанесенной однокомпонентной металлической фазы
в) пористой структуре адсорбента-носителя
г) изменениях в процессе работы катализатора
д) деполяризации нейтронов
88. Установите соответствие между позицией на схеме и наименованием
детали.
Наименование
а) тигель с расплавом
б) сопло
в) расплав
г) лента
д) закалочный диск
е) место схода ленты с диска
89. На стадии I охлаждения аморфных магнитомягких лент при

спиннинговании происходит (выбрать нужные) …
а) заполнение тигля расплавом
б) закалка расплава
в) формирование аморфной ленты
г) охлаждение уже затвердевшей ленты на диске
д) охлаждение слетевшей с диска ленты на воздухе
90. На стадии II охлаждения аморфных магнитомягких лент при
спиннинговании происходит …
91. На стадии III охлаждения аморфных магнитомягких лент при
спиннинговании происходит …
92. При получении аморфных магнитомягких сплавов на основе кобальта
возникновение структурной анизотропии в ленте вдоль ее оси в направлении
движения возникает на …
а) первой стадии
б) первой и второй стадиях
в) второй стадии
г) второй и третьей стадии
д) третьей стадии
е) на всех трех стадиях
93. Особенностью формирования аморфных лент при спиннинговании
является то, что после выхода из "лужицы" лента …
а) имеет большую ширину
б) приобретает изотропную структуру
в) получается с нанотолщиной
г) не может использоваться в промышленности
д) прилипает к диску
94. Формирование магнитной доменной структуры под влиянием
остаточных напряжений и формирование структурно-чувствительных свойств
происходит на …
а) первой стадии
б) первой или второй стадиях
в) второй стадии
г) второй или третьей стадии
д) третьей стадии
е) на всех трех стадиях
95. В формировании магнитной анизотропии при получении аморфных
магнитомягких сплавов на основе кобальта спиннингованием основную роль
играют (выбрать нужные) …
а) температура ленты в точке схода с диска
б) температура Кюри
в) материал диска
г) наличие затравки
д) диаметр диска
96. Увеличения продолжительности спиннингования и температуры
разливки при получении аморфных магнитомягких сплавов на основе кобальта
спиннингованием (выбрать нужные) …
а) снижают скорость охлаждения
б) повышают температура ленты в точке схода с диска
в) вызывают необходимость в реверсивном вращении диска
г) формируют немагнитную структуру у ленты
д) снижают ΔТ
97. Для получения большой разности температур ΔТ=ТС-Тсх в зоне
контакта аморфной магнитомягкой ленты с закалочным диском необходимы
а) теплопроводный материал диска и увеличенный его диаметр
б) низкая температура разливки
в) малая толщина ленты (<20 мкм)
г) малые начальные участки лент по длине
д) сплавы с высокой температурой Кюри
98. Установите последовательность технологического цикла получения
наноламинатов.
а) горячая прокатка пакета в вакууме
б) сборка пакета из определенного числа пластин
в) получение толщины, равной первоначальной толщине одной исходной
пластины, составляющей композит
г) холодная прокатка на воздухе
д) обработка пластин шлифовальной бумагой
99. Неоднородность слоев по толщине наноламината нарастает с
увеличением …
а) общей деформации
б) температуры обработки
в) содержания металла
г) времени его выдержки
д) скорости охлаждения
100. Зависимость твердости композита Сu-Ni от истинной деформации
при прокатке во 2-м, 3-м и 4-м циклах носит близкий к …
а) гиперболическому характер
б) параболическому характер
в) линейному характер
г) синусоидальному характер
д) тангенциальном характер
101. В спектре нанокомпозита Сu-Ni линии меди смещены в сторону …
а) меди
б) никеля
в) железа
г) кислорода
д) углерода
102. При вакуумной прокатке нанокомпозита Cu—Ni диффузия никеля в
медь приводит к образованию твердого раствора на основе …
а) меди
б) никеля
в) железа
г) углерода
д) кислорода
103. При вакуумной прокатке нанокомпозита Cu—Ni оценить глубину
диффузионного проникновения атомов никеля в медь можно, используя
выражение …
а) L=RTlnК
б) L= D  t
3   P' эф 
в) L=   x   0 sinh 

16  3  3   0 
1 
 3  (  2  0 ) 2  y
г) L=  
R
д) L=а·b·lnR
104. Методом вакуумной прокатки получение слоистых структур,
состоящих из слоев одного металла, невозможно, если не применять меры для
устранения …
а) петли гистерезиса в зависимости проницаемости и селективности
наноламината
б) выхода летучих оксидов из наноламината при термической обработке
в) растворимости металла в атмосфере
г) прямого диффузионного контакта между слоями
д) аллотропности используемого металла
105. Процесс роста зерен в нано- и микрокристаллических металлах
вблизи температуры начала рекристаллизации носит … характер.
106. Вблизи температуры начала рекристаллизации в нано- и
микрокристаллических металлах укрупняются лишь отдельные зерна, объемная
доля которых в процессе отжига нарастает по …
а) синусоидальной зависимости
б) тангенциальному характеру
в) экспоненциальному закону
г) линейной зависимости
д) замкнутому циклу
107. Анализ распределений зерен по размерам показывает, что вблизи
температуры рекристаллизации функция распределения зерен по размерам ста-
новится … – на ней появляется дополнительный максимум, соответствующий
аномально растущим зернам.
108. Проблема описания аномального роста в нано- и
микрокристаллических металлах тесно связана с проблемой описания …
а) процесса рекристаллизации
б) объемной доли мелких частиц
в) среднего размера зерен
г) температуры плавления наноматериалов
д) процесса изготовления наноматериалов
109. В соответствии с классическими определениями температура, при
которой начинается рост центров рекристаллизации – это температура …
а) рекристаллизации
б) отжига
в) плавления
г) перехода из жидкого состояния в твердое
д) Кюри
110. Температура начала рекристаллизации в чистых металлах зависит от
(выбрать нужные) … многих факторов и, в первую очередь, от …
а) химического состава материала
б) фазового состава материала
в) степени предварительной деформации
г) скорости предварительной деформации
д) температуры
111. Нанесенные дислокации в нано- и микрокристаллических металлах
а) создают поля внутренних напряжений
б) создают дополнительный свободный объем границ зерен
в) снижают твердость
г) препятствуют перемещению границ зерен
д) являются причиной аномальной зернограничной диффузии
112. Снижение плотности дефектов в границах зерен в ходе отжига нано-
и микрокристаллических металлов приводит к …
а) уменьшению полей внутренних напряжений
б) снижению дополнительный свободный объем границ зерен
в) снижают твердость
г) препятствуют перемещению границ зерен
д) снижается предел текучести
113. … в нано- и микрокристаллических металлах – это свободные от
дефектов участки матрицы, окруженные большеугловыми границами, спо-
собными к миграции.
114. Средний размер зерна d* в нано- и микрокристаллических металлах
связан с размерами мелких d и крупных зерен D соотношением …
а) d*=(1+f) ·d+f·D
б) d*=f·d+(1-f)·D
в) d*=f·d/·D
г) d*= D/(d+D)
д) d*=(1-f)·D
115. Третья стадия роста зерен в нано- и микрокристаллических металлах
наступает после …
а) "освобождения" границ крупных зерен от накопившихся в них в
процессе миграции дефектов
б) увеличения объемной доли мелких зерен (до 0,2)
в) увеличения объемной доли мелких зерен f> 0,8
г) нагрева материала до температуры солидус
д) приложения давления на материал (Р=1 атм)
116. Характерным для аморфных сплавов является (выбрать нужные) …
а) низкая прочность
б) высокая прочность
в) высокая пластичность
г) низкая пластичность
д) низкая вязкость разрушения
117. Наиболее эффективным методом получения аморфных сплавов в
виде ленты толщиной 30…40 мкм с высокими механическими свойствами
является …
а) вырубка из пластин
б) закалка из жидкого состояния
в) медленная кристаллизация из жидкого сплава
г) обработка заготовок на металлорежущих станках
д) ковка из заготовок
118. Специфика метода получения аморфных сплавов путем закалки из
жидкого состояния заключается в резкой закалке расплава со скоростью…
а) ~102 К/с
б) ~103 К/с
в) ~104 К/с
г) ~105 К/с
д) ~106 К/с
119. Металлический компонент композита типа металл-пластмасс
должен обладать (выбрать нужные) …
а) высокой прочностью
б) низкую пластичность
в) удовлетворительную адгезионную прочность
г) определенную коррозионную стойкость
д) содержать минимальное количество дефицитных
120. Введение никеля в аморфные сплавы на основе Fe-P и Fe-Si-Р-В
прежде всего повышает …
а) прочность
б) твердость
в) пластичность
г) износостойкость
д) температуру хладноломкости
121. Фрактографические исследования сплавов показывают, что исходно
… аморфные сплавы демонстрируют абсолютно гладкий скол.
122. При изготовлении многослойных композитов на основе пластмасс,
слоев аморфной ленты 5, то слоев основы композита будет …
а) 2
б) 4
в) 5
г) 6
д) неограниченное количество
123. Фрактографические исследования композитов на основе пластмасс
после испытания на одноосное растяжение показывают, что разрушение основы
происходит после разрушения…
124. С поверхностно-активным поведением в аморфных сплавах для
изготовления композитов на основе пластмасс связано введение …
а) меди
б) хрома
в) железа
№№ Коды №№ Коды правильных №№ Коды
вопросов правильных вопросов ответов вопросов правильных
ответов ответов
г) алюминия
д) никеля
1 а, б, в, г, д 2 а, б, г, д 3 д
4 а, б, в, г, д 5 а, в, г 6 в
7 г 8 г 9 б
10 а, б, в, г, д 11 а, б, в, д 12 в
13 а, б, в, г 14 а, б, в, г, д 15 а, б, г, д
16 д 17 д 18 в
19 а 20 а 21 а, б, г,
22 б 23 б, в, г 24 в
25 а, б, в, д 26 б 27 б
28 а, б, в, г, д 29 а, в, г, д 30 в
31 а, г, д 32 б 33 в
34 д 35 б 36 д
37 б 38 д 39 а
40 в 41 а, б, в, г, д 42 г
43 д 44 а, г 45 б, е
46 а, д 47 г, д 48 в
49 а 50 в 51 г
52 в 53 1-б, 2-г, 3-з, 4-д, 54 а, б, в, г, д
5-е, 6-в, 7-ж, 8-а
55 а, б, г 56 а 57 в
58 б 59 г 60 в
61 д 62 а 63 а, б, в, г, д
64 в 65 а 66 б
67 а, б, в, г, д 68 г 69 а
70 д 71 а 72 б, г
73 1 – а, в, д 74 б 75 а
2 – б, г
76 а 77 в 78 в
79 г 80 д 81 б
82 а 83 г 84 г
85 б 86 а, б, в, г 87 д
88 а - 4, в – 3, 89 б 90 в
г - 1, д - 2
91 а 92 г 93 д
94 в 95 а, б, в, г, д 96 б
97 б, в 98 а, г 99 а, б, г
100 а, б, д 101 а 102 а
103 в 104 б 105 г
106 б, г, д 107 а 108 д
109 а, б, г, д 110 б 111 а
112 б 113 а 114 б
115 д 116 г 117 а
118 а, в, г, д 119 д 120 д
121 в 122 а 123 в
124 г
Ключи правильных ответов

УМКДП 050709 Нанотехнологии и Наноматериалы

Загружено:

Сведения о документе

Авторское право

Доступные форматы

Поделиться этим документом

Поделиться или встроить документ

Параметры публикации

Этот документ был вам полезен?

Это неприемлемый материал?

Авторское право:

Доступные форматы

УМКДП 050709 Нанотехнологии и Наноматериалы

Загружено:

Авторское право:

Доступные форматы

Министерство образования и науки Республики Казахстан

Карагандинский государственный технический университет

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС ДИСЦИПЛИНЫ

по дисциплине EL 4212 «Нанотехнологии и наноматериалы»

Учебно-методический комплекс дисциплины преподавателя разработан

Обсужден на заседании кафедры МЛП и КМ

Протокол № _______от «____»________________200__г.

Зав.кафедрой Шарая О.А. ________________ «____»____________200__г.

Одобрен методическим бюро машиностроительного факультета

Протокол № _______от «____»________________200__г.

Председатель Турсунбаева А.К._____________ «____»____________200__г.

1.1 Сведения о преподавателе и контактная информация

1.2 Трудоемкость дисциплины

Количество контактных часов количес всего тво количе контроля

лекции практическ лабораторные тво часов часов ство

1.3 Характеристика дисциплины

1.4 Цель дисциплины

1.5 Задачи дисциплины

Дисциплина Наименование разделов (тем)

1.8.1 Содержание дисциплины по видам занятий и их трудоемкость

Наименование раздела Трудоемкость дисциплины

1.9 Список основной литературы

1.10 Список дополнительной литературы

7. Рогов В.А., Позняк Г.Г. Современные машиностроительные материалы

1.11 Критерии оценки знаний студентов

Оценка по буквенной системе Баллы %-ное содержание Оценка по традиционной

Оценка «А» (отлично) выставляется в том случае, если студент в течение

1.12 Политика и процедуры

1.13 Учебно-методическая обеспеченность дисциплины

2 График выполнения и сдачи заданий по дисциплине

В последние годы отмечается быстрый рост научного, промышленного и

Контрольные задания для СРС (тема 1) [1, 2, 3, 7]

Тема 2 Получение нанопорошков (2 часа)

Процессы, в результате которых происходит формирование нано- или

Контрольные задания для СРС (тема 2) [1, 2, 3, 7]

Тема 3 Свойства нанопорошков (2 часа)

Особенности модели наноструктур. Наноструктурные материалы,

Температура Дебая Θ, К 304±2 247±6 234±6

В случае многофазных сплавов и интерметаллидов получаемые в

Таблица 1.2 – Некоторые фундаментальные свойства металлов

Таблица 1.3 – Сопоставление свойств массивного материала и наночастиц

Изменение магнитных свойств наноматериалов отражает изменения

Контрольные задания для СРС (тема 3) [1, 2, 3, 7]

Тема 4 Контролируемая кристаллизация аморфных материалов (2

В настоящее время существуют три направления получения объёмных

Контрольные задания для СРС (тема 4) [1, 2, 3, 7]

Тема 5 Компактирование ультрадисперсных порошков (2 часа)

Второе направление, связанное с компактированием УДП, развивается по

Другой способ связан с компактированием порошков, полученных

Контрольные задания для СРС (тема 5) [1, 2, 3, 4]

Тема 6 Интенсивная пластическая деформация материалов с

В этой связи большой интерес вызывает получение наноструктурных

Контрольные задания для СРС (тема 6) [1, 3, 4, 6]

Тема 7 Материалы микро- и наноэлектроники (2 часа)

Полупроводниковые материалы по праву занимают одно из ведущих мест

Контрольные задания для СРС (тема 7) [1, 2, 3, 8, 9]

Тема 8 Коммерческие перспективы наноматериалов (1 час)

Нанопроволоки и нановолокна. Нанопроволоки, металлические

Контрольные задания для СРС (тема 8) [1, 2, 3, 7, 10]

4 Методические указания для выполнения практических

Тема 1. Механизмы и кинетика формирования наноаморфных

Для занятий необходимо иметь калькулятор для расчета кинетических

План практического занятия

Цель занятия: изучение механизмов и оосбенностей формирования

Протокол № _от «»________200г.

Зав.кафедрой Шарая О.А. ______ «»200г.

Протокол № _от «»________200г.

Председатель Турсунбаева А.К.___ «»200г.