Оглавление

1.Ключи на биполярных транзисторах.............................................................................................3

1.1.Общие сведения об электронных ключах.............................................................................3
1.2.Понятие об идеальном ключе.................................................................................................4
1.3.Реальный ключ.........................................................................................................................4
1.4.Отличие ЭДС от напряжения.................................................................................................4
1.5.Схемы транзисторных ключей...............................................................................................4
1.5.1.Ключ с общим эмиттером...............................................................................................5
1.5.2.Ключ с общей базой.........................................................................................................5
1.5.3.Ключ с общим коллектором............................................................................................5
1.6.Режимы работы биполярного транзистора...........................................................................5
1.7.Транзисторный ключ с общим эмиттером............................................................................7
1.7.1.Принцип действия каскада..............................................................................................7
1.8.Стабилизаторы малого напряжения.......................................................................................7
1.8.1.Токовые критерии насыщения........................................................................................7
1.8.2.Распределение зарядов в базе биполярного транзистора.............................................9
1.8.3.Остаточные параметры ключа на биполярном транзисторе........................................9
1.8.4.Эквивалентная схема ключа в режиме отсечки............................................................9
1.8.5.Конструкция эпитаксиально-планарного транзистора...............................................10
1.8.6.Остаточные параметры насыщенного транзистора....................................................11
1.9.Составной транзисторный ключ..........................................................................................11
1.9.1.Принципиальная схема составного транзисторного ключа.......................................13
1.10.Многоэмиттерный транзистор............................................................................................14
1.10.1.Топология МЭТ............................................................................................................14
1.10.2.Принцип действия МЭТ..............................................................................................15
1.11.Электрические параметры микросхем...............................................................................15
1.12.Динамические параметры микросхем...............................................................................16
1.12.1.Параметры импульсных сигналов..............................................................................17
2.ТТЛ..................................................................................................................................................18
2.1.1.На вход подан низкий уровень.....................................................................................19
2.1.2.На все входы подан высокий уровень..........................................................................19
2.1.3.Передаточная характеристика ТТЛ элемента.............................................................19
2.1.4.Модификации элементов ТТЛ......................................................................................21
2.1.5.Способы подачи статических логических уровней на входы ТТЛ...........................21
2.2.Элементы с открытым коллектором....................................................................................22
2.2.1.Принцип действия..........................................................................................................22
2.2.2.Элемент с тремя состояниями выходов (с Z-состоянием).........................................24
2.2.3.Элементы с Z-состоянием ............................................................................................24
2.2.4.Работа на общую нагрузку ...........................................................................................24
2.2.5.Двунаправленная передача данных..............................................................................24
2.2.6.Схема элемента с Z-состоянием...................................................................................25
2.2.7.Элемент И-ИЛИ-НЕ.......................................................................................................26
3.Элементы ТТЛШ...........................................................................................................................26
3.1.Ключ с нелинейной обратной связью..................................................................................26
3.2.Схема транзистора Шоттки..................................................................................................27
3.3.Элементы ТТЛШ...................................................................................................................27
4.Элементы КМДП...........................................................................................................................29
5.Полевые транзисторы....................................................................................................................30
6.Принцип действия МДП транзистора с индуцированным n-каналом.....................................31

1
 6.1.Принцип действия.................................................................................................................31
6.2.Ключи на МДП транзисторах...............................................................................................32
6.2.1.Ключ на p-канальном транзисторе...............................................................................32
6.2.2.Ключ на n-канальном транзисторе...............................................................................32
6.3.Инвертор КМДП. Комплементарный ключ........................................................................32
6.3.1.Принцип действия КМДП ключа.................................................................................33
6.4.Двунаправленный ключ........................................................................................................33
6.5.Особенность использования в аналоговых схемах............................................................34
7.Базисные логические элементы в КМДП....................................................................................34
7.1.Элемент 2И-НЕ (стрелка Пирса)..........................................................................................34
7.2.2-х входовый элемент ИЛИ-НЕ (штрих Шеффера)...........................................................34
7.3.Инвертор с тремя состояниями выхода...............................................................................35
8.Запоминающие устройства...........................................................................................................35
8.1.Основные параметры микросхем ЗУ...................................................................................37
8.2.Постоянные запоминающие устройства.............................................................................38
8.2.1.Масочные ПЗУ...............................................................................................................38
8.3.ПЗУ с пережигаемыми перемычками..................................................................................40
8.3.1.Репрограммируемые ПЗУ.............................................................................................40
8.3.2.РПЗУ с электрическим стиранием информации.........................................................42
8.4.Оперативные запоминающие устройства............................................................................43
8.5.Схемотехника статических ЗУ.............................................................................................43
8.6.Динамические ЗУ...................................................................................................................44

2
1. Ключи на биполярных транзисторах

1.1. Общие сведения об электронных ключах

Электронный ключ — устройство, предназначенное для коммутации нагрузки под
воздействием управляющего сигнала.
Электронные ключи — схемотехническая основа цифровых микросхем.
Электронные ключи имеют 2 состояния: замкнутое и разомкнутое. В динамике
ключи имеют кратковременные промежуточные состояния, которые являются
нежелательными из-за рассеивания большой мощности.

1.2. Понятие об идеальном ключе.

1. Замкнутое состояние. Холостой ход. Rн стремится к
бесконечности.
Uвых = 0. Is = Uп/R.
2. Разомкнутое состояние. Холостой ход. Rн стремится к
бесконечности.
Uвых = Uп. Is = 0.
Rн — конечно. Uвых = Uп*Rн/(Rн+R).
3. Для идеального ключа время переключения равно нулю.
t01 = t10 = 0 Рисунок 1: Модель идеального
ключа

1.3. Реальный ключ

Имеет конечные сопротивления Rs (s – selector) в замкнутом и разомкнутом состояниях.
В замкнутом состоянии ключа имеется небольшое падение напряжения, на выходе
появляется остаточное напряжение Uост.
В разомкнутом состоянии через ключ протекает остаточный ток, и выходное напряжение
становится меньше напряжения питания Uвых < Uп.
Время переключения конечно.

1.4. Отличие ЭДС от напряжения

Движение зарядов по участкам электрической цепи происходит под действием разности
потенциалов на выводах источника питания. Те же заряды движутся внутри источника
питания против электрического поля под действием сторонних сил (не электрической
природы — химические, механические итп.).

1.5. Схемы транзисторных ключей.

В цифровых устройствах применяются все виды и типы транзисторных ключей. В настоящее
время, используется только npn транзисторы. В комбинированных и аналоговых схемах
используются элементы pnp транзисторах.
Npn имеют большее быстродействие в сравнении с pnp, объясняется подвижностью
носителей заряда.

3
 Рисунок 3: Схема с общей базой
Рисунок 4: Схема с общим
Рисунок 2: Cхема с общим коллектором
эмиттером

Общая цепь должна иметь минимальную индуктивность.

Rб — сопротивление цепи базы.

1.5.1.Ключ с общим эмиттером

ОЭ: коэф. Усиления по напряжению ku > 1, коэффициент усиления по току ki > 1 (ток
коллектора к току базы). Дает усиление по мощности.
Ключ ОЭ наиболее распространен, т.к. обеспечивает усиление по напряжению и току.
Поэтому ключи можно соединять последовательно (каскадом). При этом, сигнал не затухает.
Амплитуда (и ток, и напряжение)сигнала сохраняется при любом числе включенных
каскадов.

1.5.2.Ключ с общей базой

ОБ: ki < 1. Коэффициент передачи по току — отношение тока коллектора к току эмиттера.
Ku — зависит от соотношения Rk/Rн. Если нагрузка Rн высокоомная, и превышает Rk, то
усиление >1, если меньше, то < 1.
Самостоятельного значения не имеет. Он используется как вспомогательный для двух целей:
согласование уровней, обычно при переходе на с более низкого уровня логических значений,
на более высокий (микропроцессоры формируют уровень 0-0,8, а нужно перейти на уровень
0-30); обеспечивает защиту от обратной передачи сигнала. Каскады с ОБ могут работать на
частотах, близких к предельным.

1.5.3.Ключ с общим коллектором

ОК: ki>1, ku < 1. Обратная связь по напряжению.
Аналогия — эмиттерный повторитель. В нем действует 100% отрицательная
последовательная обратная связь по напряжению. Поэтому каскады не обладают
формирующими свойствами (сигнал затухает при последовательной передаче через
несколько каскадов). У этого каскада очень маленькое выходное сопротивление.
Используется как буферный. Используется при работе на низкоомную нагрузку и нагрузку с
большой паразитной емкостью и индуктивностью, т.е. линии электрических интерфейсов.
Rk — сопротивление, включенное в цепь коллектора.
Rб — сопротивление в цепи базы.
Rг — внутренне сопротивление источника сигнала.
Ег — эдс генератора сигнала.

4
1.6. Режимы работы биполярного транзистора.
Критерии будут указаны для npn транзистора.
В любой схеме (аналоговой, цифровой), в статическом или динамическом
режиме, транзистор может работать в следующих режимах: активном, отсечки,
насыщения, инверсном.
1. Активный режим. Коллекторный переход смещен в обратном направлении.
Uбэ > 0, Uбк < 0.
2. Режим отсечки. Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в
Рисунок 5:
обратном направлении. Uбэ < 0, Uбк <0. Обозначение
2.A. Режим глубокой отсечки. Uбэ < 0, Uбк <0. |Uбэ| >> φт, |Uбк| >> φт. φт — напряжений на
температурный потенциал. φт=k*T/q. T = 300K. φт = 26мВ. Порог транзисторе
чувствительности. Если напряжения на входах транзистора меньше
температурного потенциала, то можно считать характеристики транзистора линейными.
2.Б. Граница отсечки (с активным режимом). Uбэ = 0, Uбк <0.
3. Режим насыщения. (Двойной инжекции). Uбэ > 0, Uбк > 0. Оба перехода открыты.
Напряжение на базе больше напряжения на эмиттере и на коллекторе.
3.А. Режим глубокого насыщения. Uбэ > 0, |Uбк| >> фт. Uкб > 0, |Uкб| >> φт.
3.Б. Граница насыщения ( с активным режимом). Uбэ > 0, Uкб = 0.
4. Инверсный. Uбэ < 0, Uбк > 0.
Коэффициент передачи по току в прямом режиме bn 100 — 300. В инверсном bi 0,01-0,05.
Инверсный режим используется в ТТЛ элементах, в многоэмиттерном транзисторе (МЭТ) в
качестве рабочего режима.
В биполярных ключах используется режим отсечки или активный режим с малыми токами
коллектора, в качестве закрытого состояния ключа. Режим насыщения или активный режим
с большими токами коллектора используется в качестве открытого состояния ключа.
Переход из открытого состояния ключа в закрытое всегда происходит через активный режим
транзистора (плохо).
Активный режим является паразитным в цифровой схемотехнике, поскольку схемы
работающие в нем, во-первых, рассеивают большую мощность, и, во-вторых, восприимчивы
к помехам, в-третьих, сами генерируют помехи. Активный режим кратковременный. Его
длительность необходимо минимизировать. Однако свести длительность активного режим к
нулю принципиально невозможно. Т.к. на переключение транзистора из режима отсечки в
режим насыщения требуется время (инертность носителей зарядов), требуется затраты
энергии (проблема быстродействия).

1.7. Транзисторный ключ с общим

эмиттером
В усилительных каскадах биполярный транзистор работает с
малыми сигналами. Входной сигнал не превышает
температурный потенциал.

1.7.1.Принцип действия каскада

Нагрузочная прямая:
a) Uк = 0; I = Uп/Rк;
б) Iк = 0; Uк = Uп;
Рисунок 6: Ключ с общим
Точка А — пересечение нагрузочной прямой с ВАХ эмиттером
транзистора при токе базы Iб = Iба (ток базы в активном
режиме). В этой точке выполняется соотношение для входных сигналах. Eг=Iба(Rг+Rб)
+Uбэа

5
Uбэа — падение напряжения на прямо смещенном
эмиттерном переходе. В зависимости от степени
легирования эмиттера и базы Uбэа = 0,65...0,8.

1.8. Стабилизаторы малого

напряжения
Если уменьшать ЭДС сигнала Ег, ток Iб тоже будет
уменьшаться и рабочая точка будет перемещаться по
нагрузочной прямой по направлению к точке О.
Точка О — ток базы становится равным -Iко. Знак
минус означает, что ток базы изменил направление на
противоположное. Это возможно, если полярность
источника сигнала также изменилась. (см. схему). То Рисунок 7: Характеристика ключа
есть, эмиттерный переход смещен в обратном направлении. Направление смещения
коллекторного перехода осталось обратным, в соответствии с потенциальными критериями,
транзистор работает в режиме отсечки. Если увеличивать входной сигнал, рабочая точка
снова пройдет через точку А и будет двигаться в сторону точки Н. По мере
увеличения тока базы, увеличивается ток коллектора, а напряжение на
коллекторе уменьшается. До тех пор, пока транзистор работает в активном
режиме, токи коллектора и базы связаны линейным соотношением.
В точке Н ток базы становится равным Iбн — граничный ток базы. Ток
коллектора в режиме насыщения Iкн = β*IБн
В режиме насыщения ток коллектора не зависит от параметра транзистора, а
зависит только от внешних цепей. Линейная связь между током коллектора и
током базы нарушается. Транзистор становится неуправляемым. Увеличение Рисунок 8:
Входная
тока базы не приводит к увеличению тока коллектора. Положение точки Н не характеристика
изменяется. Транзистор находится на границе насыщения, когда на транзистора
коллекторном переходе нулевое напряжение Uбк = 0. Ток базы, при котором
транзистор работает на границе насыщения, называется граничным током базы.

1.8.1.Токовые критерии насыщения

Iб>= Iбн = Iкн/β = Uп/(β*Rк)
β – коэффициент передачи тока базы;
α – коэффициент передачи тока на эмиттерный вход с общей базы;
β = α/(1-α);
Iкн = βIбн;
Uкэн = Uп — IкнRк
Iкн = (Uп — Uкн)/Rк;
Uкн < 1В
Iкн ~= Uп/Rк
Т.о. Режим насыщения определяется не абсолютными величинами тока, а соотношением
рабочего тока базы и граничного тока базы. В режиме насыщения увеличение тока базы
приводит к увеличению степени насыщения. Значит в точке Н S = 1. S = Iб/Iбн.
С точки зрения статики достаточно обеспечить переход транзистора в режим насыщения.
Однако в реальных схемах для гарантированного насыщения транзисторов приходится
задавать больший ток, чем требуется для номинального перехода в режим насыщения. Это
объясняется разбросом параметров ключей, выполненных даже на одном кристалле. Запас
обычно 3 — 5 крат. Необходимо учитывать температурные влияния. Запас по току
необходим для работы в широком диапазоне температур.

6
Увеличение тока базы в режиме насыщения, т.е. Степени насыщения S приводит к
ухудшению динамических параметров ключа.
N = (Iб — Iбк)/Iбк = S - 1

1.8.2.Распределение зарядов в базе биполярного транзистора

Рисунок 9: Распределение зарядов в базе

Рисунок 10: Распределение зарядов в базе
Заштрихована область активного режима.
Легко видеть частотные свойства.
Для переключения транзистора из режима насыщения в режим отсечки, необходимо сначала
рассосать избыточный заряд. Это переведет транзистор в активный режим с большим током
коллектора. Далее необходимо рассосать граничный заряд. Только после этого транзистор
закроется.
tз — задержка переключения; tф — длительность фронта.

1.8.3.Остаточные параметры ключа на биполярном транзисторе

1. Остаточные параметры закрытого ключа.
При изменении величины запирающего напряжения на эмиттерном переходе ток базы
не изменяется и остается равным Iбост = - Iк0 – Токовый критерий отсечки.
2. Как в режиме глубокой отсечки, так и на границе отсечки Iк.ост = Iб.ост = Iк0.
Iэ.ост = Iк.ост - Iб.ост ~= 0.

1.8.4.Эквивалентная схема ключа в режиме отсечки

В эмиттерную цепь ток не поступает, поэтому в эквивалентной схеме она рисуется
оборванной.
Из схемы видно, что напряжение, приложенное к эмиттерному управляющему переходу
зависит от остаточного тока базы.

7
Uвых = Uп - Iк0*Rк ~= Uп (Iк0 → 0)
Uбэ = - Ег + Iк0*(Rб+Rг)
Отсюда видно, что при большом Iк0 полярность входного
сигнала может измениться на положительную. Транзистор
перейдет в активный режим. Увеличение тока Iк0 происходит
при увеличении температуры.
Iк0.Т = Iк0*2(ΔT/T*), где ΔT — отклонение температуры от
нормальной, Т* - температура удвоения (для кремния Т* = 8С).
Рабочий диапазон температур интегральных микросхем (ИМС)
по паспорту от -60 до +125 градусов — внешние температуры.
Предельная температура кремниевого кристалла составляет
+140C. При превышении этой температуры недопустимо
увеличиваются обратные токи и происходит деградация Рисунок 11: Эквивалентная схема
конструктивных элементов микросхемы: диффузия примесей и ключа в режиме отсечки
постепенное «расплывание» pn-перехода, деградируют контакты металл-полупроводник
(пурпурная чума, возникает в местах соприкосновения).
В транзисторных ключах желательно использовать транзисторы с малым Iко.

1.8.5.Конструкция эпитаксиально-планарного транзистора

Эпитаксия — технологический процесс, представляющий собой выращивание
монокристаллического кремния на поверхности монокристаллической подложке
термическим разложением органического вещества, в состав которого входит кремний.
Пентахлорид кремния. Сложный рисунок
Эти транзисторы не используются в настоящее время для построения транзисторов.
Используются в основном в контроллерах.
В ИМС используются npn биполярные транзисторы. Микросхема выполняется на
кремниевой подложке p-типа. На подложку наносится эпитаксиальный n-слой кремния. При
эпитаксии слой кремния продолжает монокристаллическую структуру подложки. Перед
нанесением эпислоя в подложке диффузией изготавливают скрытые n+ слои. Затем
выполняется сквозная диффузия p изолирующего кармана. В n-эпи слой, обогащенный
бором, диффундирует большое количество фосфора. N+ вывод коллектора, диффузия p базы,
диффузия выполняется точно дозированная, т.к. Дно P слоя базы должно располагаться на
определённой глубине. Выполняется термическое окисление поверхности. Образуется слой
окиси кремния толщиной около 1 мкм, хороший диэлектрик. В нем выполняются окна, на
заключительной стадии напыляется металлическая разводка всех элементов, расположенных
на подложке. Диффузионные процессы выполняются через промежуточные маски SiO2
(технологические), которые после данного процесса диффузии удаляются. Сложный
техпроцесс изготовления.
Кремний вытеснил германий из микроэлектроники в связи с тем, что именно слой окиси
кремния имеет высокую стабильность, хорошие диэлектрические свойства и может
использоваться в качестве промежуточных слоев для диэлектрических масок. GeO2 рыхлый
и не стекловидный — нельзя сделать микросхему. Хотя он позволяет получить высшее
быстродействие в 2 раза.

8
Толщина базы образована
разностью глубин
диффузии . Скрытый слой
n+ необходим для
уменьшения
сопротивления тела
коллектора (вредное
сопротивления). N+
сильно легированный
проводник. Эмиттер
выполнен из n+ слоя
полуметалла для
увеличения коэффициента
инжекции. Рабочие
области транзисторов
расположены в глубине от
эмиттеров. Все остальное
— обслуживающие
структуры. Рисунок 12: Структура эпитаксиально-планарного транзистора
В такой структуре контакт
алюминий-p является не выпрямляющим. Контакт аллюминий-n является выпрямляющим,
т.е. Образовался диод Шоттки, включенный последовательно. Металлический вывод
коллектора напылен на n+ вывод коллектора.

1.8.6.Остаточные параметры насыщенного транзистора

1. Наименьшим из остаточных напряжений является Uкэ. Поэтому предпочтительнее
использовать ключ ОЭ.
2. Диаграмма зависимости остаточного напряжения от степени насыщения.
Uбэ и Uбк являются
остаточными
напряжениями на прямо
смещенных переходах.
Они увеличиваются при
увеличении I базы. Uкэ
представляет собой их
разность. Значение S = 0 Рисунок 14: Диаграмма зависимости
соответствует границе остаточного напряжения от степени
Рисунок 13: Остаточные
насыщения. Все насыщения
напряжения
диаграммы —
экспоненты.
3. В транзисторах остаточное напряжение зависит от объемных сопротивлений слоев.
Поэтому в конструкцию введен скрытый n+ слой. Он лежит на дне «кармана» в
котором, изготовлен транзистор, и по нему в плоскости кристалла протекает ток.
Скрытый n+ слой уменьшает сопротивление тела коллектора.
4. Слабая зависимость меж электронных напряжений от степени насыщения S позволяет
представить эквивалентную схему транзистора в режиме насыщения в следующем
виде — двух генераторов напряжения (1 область диаграммы). Если ключ
используется для напряжений более 50 вольт, то напряжениями на переходах можно
пренебречь и эквивалентную схему представить в упрощенном виде. В этой схеме
транзистор представляет собой эквипотенциальную точку (узел). Все три электроды

9
 транзистора замкнуты накоротко. Rнас ~=50 Ом (Uкэ/
Iкн).

1.9. Составной транзисторный ключ

Ключ ОЭ имеет низкое
быстродействие из-за большой
постоянной времени в цепи
заряда емкости нагрузки.
Рисунок 15: Эквивалентная
Предположим, что ранее схема ключа
насыщенный ключ мгновенно
запирается. Эквивалентная схема ключа после
переключения. Выходным напряжением ключа является
напряжение на Cн. Ранее разряженная емкость начинает
заряжаться через сопротивление Rк. τф~=3τзар= 3RкCн.
1500 наносекунд — слишком много. Для увеличения
параметров быстродействия ключа его выполняют по
следующей структурной схеме. Получается составной
Рисунок 16: Составной транзисторный ключ. Двухтактный каскад. Заряд и разряд
транзисторный ключ происходят не через пассивное сопротивление, а через
открытые ключи.
Принцип действия ключа следующий. При поступлении открывающего сигнала на вход,
ключ ОЭ открывается, ключ ОК закрывается, как показано на диаграмме. Ёмкость Сн
разряжается через ключ ОЭ (50 Ом). При подаче низкого уровня на вход, ключ ОЭ
закрывается, ключ ОК открывается. Сн заряжается через насыщенный ключ ОК.

Рисунок 17: Структурная схема составного транзисторного ключа

1.9.1.Принципиальная схема составного транзисторного ключа
Состав:
VT1 ключ-звезда. VT3 ключ ОК. VT2 ключ ОЭ. VD — вспомогательный диод,
обеспечивающий запирание VT3.

10
 Принцип действия ключа-звезды:
1. на входе низкий уровень. VT1
заперт. Uэ1 близко к 0.
Uбэ3=Uэ1. Поэтому VT2 тоже
заперт.
Напряжение на коллекторе VT1
Uк1 = Uп-Rк*(Iк01+Iб3). Iк0-> 0,
Uк1 ~=Uп. Поэтому VT3 открыт.
Ёмкость Сн в установившемся
режиме заряжена до напряжения
Uвых = Uп — Rк(Iк0,1+Iб3) —
Uбэ3 — Uvd. (Uвых = 5 — 0 —
0.7 — 0.7 ~= 3,6 В).
2. на входе высокий уровень.
Транзистор VT1 насыщен.
Напряжение на его эмиттере Uэ1
= Iкн*Rэ. Это падение
Рисунок 18: Принципиальная схема составного напряжения больше 0.7 В.
транзисторного ключа Поэтому VT2 открыт.
Транзистор VT3 должен быть заперт, иначе произойдет короткое замыкание
источника. Для этого напряжение на базе VT3 не должно превышать напряжения на
эмиттере VT3. Т.е. Uб3 =< Uэ3 c точностью до 0.7 В. Или Uб3 =
(Uбэ2+Uкэ1)=<(Uкэ2+Uvd). Отсюда видно, что при отсутствии в схеме диода условие
закрывания VT3 не выполняется. В этом режиме Сн разряжается через VT2,
напряжение на выходе низкое.
Во время переходных процессов, VT2 и VT3 работают в активном режиме, т.к. Переход из
открытого в закрытое состояние любого транзистора происходит через активный режим.
Поэтому от источника питания может протекать большой
выходной ток через выходной каскад. Он приводит:
1. Потеря мощности источника питания;
2. Нагрев VT2 и VT3;
3. Создает импульсные помехи в цепях питания из-за
индуктивности
шин питания;
Для ограничения
сквозного тока вводят Рисунок 19: Составной ключ
специальное ограничивающее сопротивление Rогр.
Составной ключ.
E пом = -L diскв/dt

Рисунок 21: Искажения

выходного сигнала
Рисунок 20: Характеристики
сигнала

11
1.10. Многоэмиттерный транзистор
Предназначен для выполнения логических функций И-НЕ в элементе ТТЛ.

1.10.1. Топология МЭТ

Рисунок 23: Схема 4-

эмиттерного транзистора

Рисунок 22: 4-эмиттерный транзистор

От 2 до 8 эмиттеров. Условия работоспособности МЭТ — отсутствие
взаимодействия между эмиттерами. Т.е. Протекание тока через один
переход не должно приводить к изменению тока через другой переход.
Это возможно, т.к. Ток эмиттеров направлен от поверхности вглубь
структуры.

1.10.2. Принцип действия МЭТ

R1 – токо ограничвающее сопротивление в цепи базы. VD1 и VD2 –
эквивалентные диоды, которые в данной схеме имитируют эмиттерные
переходы транзисторов.
1. Хотя бы на один вход МЭТ подан низкий уровень. Тогда с Рисунок 24:
источника питания стекает ток на R1 и на эмиттеры, и Эквивалентная схема.
возвращается в ист. Питания. Оба перехода открыты. Ток Элемент ДТЛ.
ограничивается только сопротивлением R1. Ток входа МЭТ при низком уровне

Рисунок 25: 1 случай Рисунок 26: 2 случай

12
 I0 = (Uп — Uвх0 — Uбэ)/R1. Ток вытекает, имеет отрицательный знак. На базе +0.9 В.
Для открывания цепи коллектора необходимо 2,1 В. Коллекторный переход смещен в
прямом направлении, через него протекает микроток. Транзистор работает в режиме
насыщения.
2. На все входы поданы высокие уровни. Источником сигнала является выходной каскад
ТТЛ элемента (составной транзисторный ключ). На входах устанавливается +4,1
вольта. Эмиттерные переходы смещены в обратном направлении. Коллекторный
переход и оба диода смещены в прямом направлении. На базе устанавливается
напряжение +2,1 В (3*0,7) вследствие нелинейности ВАХ p-n перехода. Таким
образом, коллекторный переход смещен в прямом направлении. Транзистор работает
в инверсном режиме.
Т.о. МЭТ выполняет функции управляемого ключа, который в соответствии с входными
сигналами коммутирует ток в коллекторной цепи.

1.11. Электрические параметры микросхем

Регламентировано ГОСТ. Для всех микросхем.
Коэффициент разветвления. Характеризует нагрузочную способность микросхемы.
Численно равен максимальному числу входов элементов данной серии, которым можно
нагрузить выход данной микросхемы без нарушения его электрического режима. Обычно
коэффициент разветвления 10. В большинстве случаев, этого достаточно, но иногда
необходимо раздавать сигнал на большее число входов (30). Поэтому в каждой выпускаются
элементы с повышенной нагрузочной способностью. Повышенная нагрузочная способность
требуется, если выходы работают на шины. Шина — это способ и конструкция для передачи
информации в параллельном виде, когда источником сигнала является один узел, а
приемников несколько. Передатчики — только одни, приемников несколько.
Повышенная нагрузочная способность элемента требует увеличения площадей транзистора.
Коэффициент объединения по входу. Этот коэффициент равен числу входов по которым
выполняется данная логическая функция (2И, 4И).
Мощность потребления микросхемы. Эта мощность зависит от режима работы
микросхемы (параллельная запись информации, работа АЛУ, передача информации на
шину). Указывают также среднюю мощность потребления.
Статическая передаточная характеристика. Рассматривается
обычно для элементов малой степени интеграции, а также при расчетах
электрической части интерфейса. Логический интерфейс — коды.
Электрический интерфейс — линии связи (электрические).
Конструктивная часть интерфейса.
Статическая помехоустойчивость. Рассматривается по отношению к Рисунок 27:
сигналу, длительность которых значительно превышает длительность Статическая
переходных процессов. Различают статическую помехоустойчивость передаточная
по высокому и низкому уровню. характеристика
1. Статическая помехоустойчивость по низкому уровню.U0пом=|U0вых.макс-U0вх.мах|,
где U0вых.макс — максимально допустимое напряжение низкого уровня на выходе
нагруженной микросхемы. U0вх.макс — максимально допустимое входное
напряжение низкого уровня на входе нагружающей микросхемы.

13
2. Статическая помехоустойчивость
по высокому уровню. U1пом=|
U1вых.мин-U1вх.мин|. U1вых.мин —
минимальное допустимое напряжение
низкого уровня на выходе нагруженной
микросхемы. U1вх.мин — минимально
допустимое напряжение высокого уровня
на входе нагружающей микросхеме.

1.12. Динамические
Рисунок 28: Статическая помехоустойчивость
параметры микросхем
1. Энергия переключения. A=P*tзрф. P - Мощность потребления микросхемы. t —
среднее время задержки распространения. tзрф=0,5(tзр01+tзр10).
2. Диаграмма динамической помехоустойчивости. Если
длительность импульса помеха мала (20 нс), то
амплитуда импульса может его превышать. Такие
диаграммы строятся экспериментально для каждой
серии микросхем. По оси абсцисс откладывается
длительность помехи, по оси ординат — допустимая
амплитуда. Смысл такой реакции микросхемы на Рисунок 29: К155
импульсные помехи: для того чтобы переключить
микросхему нужно переключить МЭТ. Для этого необходимо в его базу сообщить
заряд. Ток конечен — время конечно. Чем меньше длительность помехи, тем
большую амплитуду она должна иметь, чтобы сообщить в базу транзистора заряд,
необходимый для его переключения. Чем короче помеха, тем большую амплитуду она
может иметь.
Как правило, диаграмма указывается в хороших руководствах. В учебниках её нет.

1.12.1. Параметры импульсных сигналов

T задержки включения. Выход микросхемы считается включенным, если на нем низкий
уровень. Соединение с нулем обеспечивает большую определенность уровня, в отличием от
нестабильного высокого уровня при соединении с питанием.

14
 Рисунок 30: Входной и выходной импульсные сигналы
T задержки выключения.
Т.к. Время задержки фронтов на входе и выходе может сильно отличаться, используют
параметр t задержки распространения.
Длительность фронтов выходного сигнала не связана с длительностью
фронтов выходного сигнала и определяется собственными
динамическими параметрами микросхемы.
Времена переключения микросхем определяют предельные рабочие
частоты.
При уменьшении питания микросхем, достигаются две цели:
Рисунок 31:
1. Уменьшаются длительности фронтов при том же Зависимость
быстродействии транзисторов микросхемы. Это возможно, при длительности фронта
использовании КМДП элементной базы. В ТТЛ — такое не от логического
работает. перепада

2. Уменьшение рассеиваемой мощности.

15
2. ТТЛ
Назначение элементов.
VD1...VD3 Защитные диоды
(антизвонные). При стандартных
входных уровнях сигнала эти диоды не
оказывают воздействия на работу
схемы, т.к. они закрыты.
Устанавливаются на входы всех без
исключения микросхем. На схемах, как
правило, не изображаются. Они
защищают затворы КМДП элементов от
статического электричества.
VT1 — МЭТ, выполняет логическую Рисунок 32: K155/133 74
функцию.
V12 — ключ-звезда. Представляет собой комбинацию ключа ОЭ и ОК. Имеет 2 выхода. В
нем совмещены функции инвертирования сигнала. Формирует двухтактный сигнал.
VD обеспечивает запирание транзистора VT3.
VT3 – каскад p с ОК.
VT4 — каскад ОЭ (ключ).
R4 — токоограничивающее сопротивление. Ограничивает сквозной ток на время
переключения выходного каскада, когда VT3 и VT4 работают в активном режиме.
1. Хотя бы на один вход подан низкий уровень. Эмиттерный переход VT1 смещен в
прямом направлении. Через него вытекает ток, который ограничен сопротивлением
R1. Напряжение на базе Uб1 =Uб0+Uбэ,1~=0,2+0,7 = 0,9 В. Такого напряжения не
достаточно для открывания двух переходов: коллекторного VT1 и эмиттерного VT2.
Ip-n=Ik0(e^(Up-n/фиt)-1); Iк0=10-10А, фиt=26*10-3.Из-за нелинейной ВАХ pn-перехода.

2.1.1.На вход подан низкий уровень

Выходное напряжение
U1=Uп-(Iк0+Iб3)R2-Uбэ3-Uvd
~=5-0.7-0.7=3.6В — напряжение на выходе ТТЛ элемента, это
недостаток, т.к. Получается что 1,4 В падает на внутренних
элементах схемы.
Входной ток
Iвх0=Ur1/R1=(Uп-Uвх0-Uбэ1)/R1=(5-0.2-0.7)/40000~=1мА
Знак минус имеет не алгебраический смысл (т.к. Ток втекает в
узел). С учетом разброса параметров и изменений температуры, в
паспортах на стандартную серию указывают Iвх при низком
Рисунок 33: Эквивалентная
уровне -1.6 мА (с запасом). Если низкий уровень подан на схема МЭТ. На входе низкий
несколько входов, то Iвх0 распределяется между ними. уровень.

2.1.2.На все входы подан высокий уровень

Смещение на эмиттерном переходе обратное, на коллекторном прямое. Транзистор работает

16
 в инверсном режиме. Потенциал на базе
высокий. Из коллектора VT1вытекает ток,
достаточный для открывания VT2 и VT4. На
выходе элемента низкий уровень, который
равен Uкэн4~=0.1...0.25 В.
Рассчитаем входной ток. Iб1=Ur1/R1=(Uп-
Uбк1-Uбэ2-Uбэ4)/R1=(5-0.7-0.7-0.7)/40000
Транзистор работает в инверсном режиме,
поэтому ток эмиттера связан током базы
через инверсный коэффициент передачи.
Iэ1=Iвх1=βi*Iб1=0.05*0.65*0.001=33 мкА
В инверсном режиме коллектор и эмиттер
меняются местами. Из-за особенностей
эпитаксиально планарного транзистора,
инверсный коэффициент передачи по току
Рисунок 34: Эквивалентная схема МЭТ. На всех входах такой низкий. Коллектор является плохим
высокий уровень. инжектором из-за малого легирования, а
эмиттер не эффективно собирает электроны из-за малой площади. Поэтому βi = 0.05. Вход
ТТЛ элемента существенно не линейный.
Из-за изменения параметров входов элемента при переключениях его согласование с
длинными линиями затруднительно. Аналогично к выходу ТТЛ элемента.

2.1.3.Передаточная характеристика ТТЛ элемента

Необходима чтобы обеспечить правильные режимы в электрической схеме. Передаточная
характеристика — зависимость напряжения выхода от входа.
1. Участок 1. Эмиттерный переход VT1 открыт, т.к. На входе низкий уровень. VT2 и
VT4 закрыты. Поэтому на выходе высокий уровень.
2. Участок 2. Uвх > 0.7 В. (низкий уровень по паспорту от 0 до 0.4). Ток коллектора
МЭТ увеличивается, VT2 начинает открываться, однако VT4 еще закрыт. При
увеличении Uвх увеличивается Iк2, Iэ2, поскольку VT2 перешел в активный режим.
Выходное напряжение уменьшается. Uвых=Uп-(Iк02+Iб3)R2-Uбэ3-Uvd. Iк02 → Iк2.
Режим усиления. Наличие участка 2 приводит к
ухудшению помехоустойчивости элементов,
поскольку он работает как инвертирующий
усилитель с к~=2. Т.е. Помехи любого вида со
входа проникают на выход. Теряет формирующие
свойства.
3. Участок 3. Uвх между 1.4 и 1.6. Транзисторы VT234
работают в активном режиме. Входное
сопротивление уменьшается. Поэтому его входное
сопротивление шунтирует сопротивление R3.
Эквивалентное сопротивление в эмиттерной цепи Рисунок 35: Передаточная
VT3 представляет собой сопротивление характеристика ТТЛ элемента
последовательной отрицательной обратной связи по
току усилительном каскаде VT2. Глубина отрицательной обратной связи
уменьшается, усиление каскада на VT2 увеличивается, ток коллектора Iк2 резко
увеличивается. Uвых резко уменьшается. Поэтому участок 3 имеет большую
крутизну. «хороший участок». Идеальная характеристика должна иметь еще большую

17
 крутизну, тогда ТТЛ элемент обладал бы идеальными
формирующими свойствами.
4. Участок 4. Uвх>1.6 В. Транзисторы VT2 и VT4 насыщаются, VT3
и VD закрываются. При дальнейшем увеличении Uвх, Uвых не
изменяется.
Т.о. Недостатком стандартного ТТЛ элемента является участок 2, из-за
плохой помехоустойчивости. В настоящее время, выпускаются ТТЛ
элементы с корректирующей цепочкой. Параметры корректирующей
цепочки рассчитаны таким образом, чтобы увеличить порог открывания
VT2. Рисунок 36:
Корректирующая
цепочка (выделена)
2.1.4.Модификации элементов ТТЛ

Рисунок 37: Маломощный элемент ТТЛ

Целью модификаций являются изменения соотношений потребляемой мощности и времени
переключения. Этот параметр называется энергией переключения. Была создана
микромощная серия (для маломощных систем) и мощная серия (для максимального
увеличения быстродействия для стационарных систем).
Отличаются параметрами сопротивлений. Схема маломощного ТТЛ элемента.
Параметр Маломощные Стандартные Мощные
134 74L 133/155 74 131 74Н
Iпотр, мА 0.2 2 4
tз.распростр.ф., нс 33 13 6
А (энергия 6,6 26 24
переключения), пДж

2.1.5.Способы подачи статических логических уровней на входы

ТТЛ
Используется для уменьшения числа входов (если нужно 5 входов, а есть 8).
Способы подачи статической единицы.

18
 1. Оставить не подключенным. На не подключенном входе высокий
уровень. Помехоустойчивость элемента оказывается низкой. Поскольку
помехи, проникающие по цепям питания и другим входам, могут
привести к ложным переключениям.
2. Подключить к вспомогательному источнику питания напряжение U=+(2.4...3.6)В.
Однако, он требует разведения по всей печатной плате или по всему кристаллу
специальной цепи этого источника.
3. Подать статический уровень через специальный резистор. До 10 входов стандартной
серии можно подключить к специальному резистору. Если входные токи элемента
другой серии меньше или больше, то сопротивление резистора можно
увеличить или уменьшить. Подключать неиспользуемый вывод к цепи
+5 недопустимо. Потому что, при включении источника питания, на их
выходе допускается бросок напряжения до 7,5 вольт, и переход база-
эмиттер МЭТ может быть пробит, также могут образовываться колебательные
движения.
Способы подачи статического нуля.
Проблем не возникает. Ноль подключается напрямую ко входам микросхемы.

2.2. Элементы с открытым коллектором

К155 ЛА7: 2х4 И-НЕ
ЛА8: 4х2 И-НЕ
Элементы используются для:
1. Управления внешними устройствами (индикаторы,
реле, интерфейсы).
2. Для переходов на уровень КМДП элементов малой
степени интеграции. (Uп =+15В). Рисунок 38: Элемент с открытым
3. Расширения логических возможностей базового коллектором
набора элементов.
Элементы допускают параллельное подключения нескольких
выходов к общей нагрузке. Такое объединение называют
монтажной или проводной логикой. Монтажная логика
широко используется при построении схем БИС. Для того
чтобы обеспечить работоспособность монтажных элементов
приходится использовать нагрузочное (подтягивающее)
сопротивление R.
Существуют элементы ТТЛ с тремя видами выходов: ТТЛ
выход(на основе составного транзисторного ключа), выход с
открытым коллектором (ОК), выход с Z-состоянием. Все
выходы используются в конструировании вычислительной
аппаратуры. Применение выхода зависит от особенностей Рисунок 39: Монтажное И
данной схемы. Шина ISA использовала выходы всех трех
видов. В шине PCI также используется несколько видов выходов.

19
2.2.1.Принцип действия
Если на выходе одного элемента низкий уровень, то на выходе схемы Y
тоже низкий уровень. Для того чтобы на выходе Y был высокий уровень,
необходимо, что бы на всех выходах Yi также был высокий уровень. Y =
y1 * y2 *...* yn - монтажное И.
В свою очередь, каждый элемент выполняет логическую операцию И-
НЕ. y1 = |(x1x2), y2=|(x3x4), |yn=|(|xj|xk), |-не.
Использовав правило де Моргана, Y=|(x1x2)|(x3x4)...|(xjxk)=|
(x1x2+x3x4+...+xjxk)
|y1|y2=|(y1+y2). Рисунок 40: Низкий
Используется, например, в демультиплексорах. уровень на одном из
выходов.
Использование монтажной логики уменьшает количество используемых
логических элементов, а также улучшает быстродействие результирующей схемы за счет
уменьшения общего числа элементов.
Величина подтягивающего сопротивления выбирается непроизвольно, а рассчитывается для
конкретной схемы. Рассчитаем.
При высоком напряжении на всех выходах (при закрытых выходных транзисторах VT3). Из
условия обеспечения заданного входного напряжения при высоком уровне Rmax <=(Uп1-
Uвых1)/(Кразв*Iвых 1+КобIвх1)
В числителе падение напряжения на сопротивлении от суммарного тока нескольких
выходов. Коб - коэффициент объединения. В знаменателе - суммарный ток, который
протекает через все входы.
Оценим: (5-3.6)/(3*40*10^-6 + 3*40*10^-6) ~= 5.8 кОм
При высоком напряжении на одном из выходов. На выходе одного из
элементов открыт транзистор. На общем выходе Y устанавливается
низкий уровень. Из условия обеспечения требуемого уровня
выходного сопротивления при низком уровне Rmin >= (Uп-Uвх0)/
(Iвых0.max-КобIвх0). Через сопротивления течет ток выхода за
вычетом тока входов. Если сопротивления будет меньше, то тогда
будет протекать слишком большой ток в открытый транзистор.
Транзистор будет пробит.
Оценим: (5-0.4)/(30*10^-3 - 3* 10^-3)~=0.17 кОм
Для требуемого числа выходов и входов можно определить диапазон
сопротивления R>= 5.8 кОм, R <= 0.17 кОм. Рисунок 41: Высокое
напряжение на одном из
Применение: управление внешними устройствами, в этом случае выходов
элементы работают в составе контроллеров.
При подключении нагрузки необходимо учитывать её индуктивный характер. Если ток
I0вых резко прервать, то возникает ЭДС самоиндукции. e=-Ldi/dt, L=0.01 Гн I0вых=10*10^-3,
Δt=10*10^-9. Если ток резко прервать, то по закону коммутации, он начинает протекать
через открывающийся диод, энергия рассеивается в нем. W=L*I^2/2.

20
Для индикации. Лампа накаливания имеет высокую температуру в
нагретом состоянии. В холодном состоянии сопротивление в 10 раз
меньше, чем в нагретом. R подг - сопротивление подготовки, через него
всегда течет ток подготовки. Его выбирают так, чтобы свечение лампы
имело темно-вишнёвый цвет (примерно 400 градусов).
Светодиодная индикация LED
Рисунок 43:
Uвых - высокий уровень, смещения нет. Транзистор закрыт, ток не течет. Управление
Рисунок 42:
Uвых - низкий уровень, ток есть. внешними
Световая
устройствами
индикация
Прямое управление. Светодиоды излучают, если через них протекает
прямой ток. В базе диода происходит интенсивная рекомбинация, и энергия
высвобождаемая при образовании электронно-дырочных пар лежит в
видимой части спектра.
Включение ограничивающего сопротивления обязательно. Рисунок 44:
Rогр = Ur/Ivd=(Uп-Uvd)/Ivd = (5 - 1.1)/(10*10^-3)=0.4*10^3 Ом Светодиодная
подсветка

2.2.2.Элемент с тремя состояниями выходов (с Z-состоянием)

Называют с высокоимпедансным состоянием. Импеданс - полное комплексное
сопротивление. 3й вид выходов. Элемент на выходе может иметь высокий уровень U1,
низкий уровень U0, а также отключенное состояние. Используются элементы для
уплотнения каналов передачи информации, когда информация может передаваться в двух
направлениях. А также для работы нескольких элементов на общую нагрузку. Выпускаются
во всех сериях.
EZ - enable Z. Активный уровень на входе EZ разрешает отключенное состояние выхода.
Может быть прямой EZ = "1" - Z-сост. Может быть инверсным |EZ="1" - нормальное
состояние.

2.2.3.Элементы с Z-состоянием
Примеры использования элементов с Z-состоянием.

2.2.4.Работа на общую нагрузку

Если ЕZ = 1, У элемента Д1 запрещено открытое состояние выхода. При работе на общую

шину N элементов, только 1 находится в рабочем состоянии, остальные в Z-состоянии (по

21
сути, мультиплексор).
Двунаправленная передача данных

Если EZ=1, разрешено состояние Z элемента Д1, его выход закрыт. У элемента Д2 открыт.
Поэтому сигнал Х2 передается налево. ЕZ=0, Д2 имеет включенный выход, а выход элемента
Д1 подключен к линии, и по ней передается сигнал Х1. Контроллер шины выполняет
функцию управления передачей информации от одного активного устройства одному или
нескольким приёмникам.

2.2.5.Схема элемента с Z-состоянием

Состав:
VT1 — ключ ОБ, используемый для управления каналом EZ.
VT2 — эмиттерный повторитель. Позволяет уменьшить ток, отбираемый от коллектора VT1.
R токо ограничивающее.
VT3 — ключ ОЭ, управляющий включением МЭТ VT4.
VT4 — МЭТ, который выполняет логическую функцию.
Остальные элементы — как в стандартном ТТЛ элемент.
Принцип действия:
EZ=0. Ток вытекает из эмиттера VT1, VT2 закрыт, VT3 закрыт, VD1 закрыт. VD1 закрыт,
потому что его база (катод) отключен от 0В). Канал EZ не влияет на работу элемента,
элемент выполняет функцию 2И-НЕ.

22
EZ=1. VT1 работает в инверсном режиме, ток вытекает из коллектора VT1, VT2 открыт.
Поэтому VT3 открыт.
Открывается VD1. В точке A устанавливается потенциал Uа=Uкэ3+Uvd~=0.9, а точка A это
база VT6, не выполняется условие открывания транзистора, VT6 закрыт независимо от
значений входных сигналов.
Поскольку VT3 открыт, через него стекает ток с эмиттера VT4. Поэтому ток из коллектора
VT4 не вытекает и транзистор VT5 закрыт. Также закрыт транзистор VT7. Оба выходных
транзистора закрыты (VT6 и VT7). Выход элемента находится в Z-состоянии.

2.2.6.Элемент И-ИЛИ-НЕ

Состав:
VT1 и VT4 — МЭТ, выполняют функцию 2И-НЕ.
VT2 и VT3 — ключ звезда, соединены при помощи монтажного ИЛИ.
VT5 и VT6 – составной транзисторный ключ.
X1 X2 X3 X4 Y
0 0 0 0 1
0 1 0 1 1
0 0 1 1 0
Y = |(X1X2 + X3X4)
Также элемент используется в составе БИС.
Для расширения функциональности входных элементов в них
предусмотрены дополнительные входы К и Е. К ним
подключается логический расширитель.
Транзистор VT2 в логическом расширителе выполняет
функцию ключа-звезды.

23
3. Элементы ТТЛШ

3.1. Ключ с нелинейной обратной связью

При увеличении входного сигнала ток базы увеличивается. Uвх> 0.7 В. Напряжение на
коллекторном переходе уменьшается. Uк = Uп — IкRк. Когда напряжение на диоде обратной
связи достигает порога его открывания, то часть входного тока транзистора ответвляется в
параллельную цепь, состоящую из источника смещения и диода. Uvd >= Uпр ~= 0.7В.
Избыточный входной ток поступает непосредственно в коллектор, минуя базу, поэтому
насыщение транзистора не наступает.

1.
Увеличение токов коллектора, вызванное увеличением тока диода, приводит к уменьшению
отпирающего тока базы, то есть действует отрицательная обратная связь по току. Транзистор
не насыщается. Поэтому избыточные носители в его базе не накапливаются, время
рассасывания при закрывании транзистора = 0. Недостаток схемы — наличие специального
не заземленного источника Eф ( фиксации). Этот источник можно исключить из схемы, если
учесть, что транзистор переходит в режим двойной инжекции про напряжении Uбк~=0.7В.
Таким образом, если диод будет открываться при напряжении меньше 0.7 В, то источник
фиксации не потребуется. В ключах используются диоды Шоттки со структурой металл-
полупроводник. В этих диодах накопления избыточных зарядов в базе не происходит,
поскольку прямой ток в них представляет собой переход основных носителей из
полупроводника в металл (эмиссия). Время закрывания диодов Шоттки порядка 0.1 нс. В то
время как у кремниевых диодов от 1 до 100 нс. Прямое падение на диодах Шоттки порядка
0.2-0.4 В. Недостаток — сравнительное большие обратные токи (на три порядка больше, чем
у кремниевых) 10^-9-10^-12.

3.2. Схема транзистора Шоттки

24
Выполнен на основе эпитаксиально-планарной структуры. Контакт алюминий — p — слой
базы является не выпрямляющим. Омический контакт. Эмиттер контактирует с n слоем,
метал с полуметаллом образует невыпрямляющий контакт, аналогично коллектор. Al- n+ - не
выпрямляющий. Al — n с малой степенью легирования является выпрямляющим.
Транзисторы Шоттки приобрели необходимые электрические параметры при внедрении в
технологию в процессах ионного легирования, ионной очистки поверхности.

3.3. Элементы ТТЛШ

В настоящее время их полностью заменили элементы ТТЛ. Замена произошла
безболезненно, т.к. Их функциональные параметры аналогичны. Серии элементов ТТЛШ
выпускаются в тех же корпусах, что и ТТЛ и с теми же выводами. Электрически и
функционально взаимозаменяемы. К555 — общего применения. 74LS (Low Schottky).

25
Логическую функцию выполняют диоды VD1-VD3.Эта схема является аналогом МЭТ. VT3
VT4 VT5 выходной транзисторный каскад (составной транзисторный ключ).
Его функции:
1. Увеличение коэффициента передачи → улучшается фронт. Переход база-эмиттер VT4
выполняет функцию диода смещения. Элемент серии 555 имеет такое же
быстродействие, как и элемент серии 155, но его потребление в 5 раз меньше.
Выпущены серии элементов ТТЛШ, которые имеют такое же быстродействие, как и
ТТЛ, но энергопотребление в пять раз меньше.
Интегральные параметры, характеризующие совершенство серии микросхем — энергия
переключения. Aпер = Pпотр * t пер. U0ттлш~=0.4 В, U0ттл ~= 0.15 В.
555 LS — сильное нагревание.
1533 ALS advanced ls
1531 FAST Fairchild - Имеют такую же схемотехнику, как и ТТЛШ, однако в их схеме
использован дополнительный эмиттерный повторитель. Для уменьшения Iвх0.
Iвх0 = 0.15 мА (за счет использования эмиттерного повторителя). Использована новая
технология Изопланар 2.

26
Технология позволила:
1. Уменьшить площадь транзистора за счет того, что его периферийная зона
преобразуется в область SiO2.
2. Улучшить изоляцию, т.к. Через слой SiO2 не протекают такие токи, как через обратно
смещенный пн переход.
3. Уменьшить паразитные емкости, поскольку изолирующий обратно смещенный пн
переход расположен только на дне структуры.

4. Элементы КМДП
Выполняются большие интегральные схемы (БИС). Основа вычислительных узлов.
Преимущество элементов КМДП:
1. Меньшая потребляемая мощность до частот порядка 1 Ггц. При больших частотах
мощности сравниваются.
2. Больший диапазон напряжений питания. Возможность питания от не
стабилизированного источника. (ТТЛ — не допустимо, U питания = +5В +- 5% (+-
10%).
3. Большое входное сопротивление ( 10^6 — 10^8 Ом). Поэтому статические токи
ничтожно малы.
4. Отсутствие потребление мощности от источника питания в статическом режиме.
5. В связи с малыми входными токами, большая нагрузочная способность. До 100
входов в статике и на НЧ.
6. Слабая зависимость статических характеристик от температуры.
Недостатки КМДП:
1. Большое выходное сопротивление (1-10кОм) (у биполярных 5-20 Ом).

27
 2. Поэтому большое влияние на динамические параметры емкостей нагрузки и монтажа.
3. Чувствительность к статическому электричеству и потенциальная опасность эффекта
защелкивания.

5. Полевые транзисторы
Ток в полевых транзисторах представляет собой движение основных зарядов в канале.
Процессы диффузии отсутствуют (также инжекция). Ток стока всех полевых транзисторов
управляется за счет изменения концентрации носителей (модуляция проводимости) в канале.
Она осуществляется электрическим полем затвора подложки.
Существуют полевые транзисторы, их называют «транзисторы, с управляющим pn-
переходом, и МДП транзисторы (МОП) металл-диэлектрик-полупроводник. Затвор
изготовлен из металла. Все виды МДП транзисторов изготавливаются с каналами либо n
типа, либо p типа. Главная характеристика (p-канальный, n-канальный). В зависимости от
конструкции и принципов действия существует 6 типов транзисторов.
С каналом n-типа С каналом p-типа
Положительная полярность на стоке Отрицательная полярность на стоке
С увеличением Uз ток стока увеличивается С увеличением Uз ток стока уменьшается

Применяются в усилителях.
С встроенным каналом

С индуцированным каналом

Если на затвор подан нулевой потенциал, то канал уже существует, он выполнен в виде
легированного слоя, ток уже будет течь. Потенциал увеличивается — ток увеличивается.
На затвор можно подавать и плюс и минус.
У всех полупроводниковых приборов стрелки направлены из p области в n.
Транзисторы с управляющим pn переходом работают только в режиме обеднения канала
носителями. Управляющий переход должен быть смещен в обратном направлении. Чтобы
его открыть нужно увеличить отрицательный потенциал.

28
6. Принцип действия МДП транзистора с индуцированным
n-каналом

Вся поверхность покрывается окислом Si02, для того чтобы по верху можно было напылить
металлическую разводку исток и сток. Для того чтобы обеспечить большую напряженность
поля, стравливается диэлектрик перед напылением затворов до толщины десятых долей
микрометра. Принципиальной особенностью конструкции является перекрытие затвором
длины канала. Микрошлиф. E = U/d

6.1. Принцип действия

а) Режим обеднения. Uзи < 0. Не используется в реальных устройствах. В п-зоне избыток
положительных дырок, на затвор подается отрицательный потенциал,
дырки к нему притягиваются, и дырочная проводимость в подзатворной
области увеличивается, элемент закрывается еще больше. Подзатворная
область образует обратно смещенный переход с n+ областями истока, n
стока. Канал отсутствует.
б) Uзи>= 0, Uзи < Uпор. Подается положительный потенциал. Дырки
отталкиваются от приповерхностного слоя вглубь подложки, однако
проводимость слоя сохраняет дырочный тип, канал не образуется.
в) Uзи>Uпор. Дырки отталкиваются внутрь от подложки, напряженность поля достаточна
для того, чтобы концентрация дырок в приповерхностном слое становится меньше
концентрации электронов, полупроводник меняет тип проводимости в связи с воздействием
электрического поля на свободные носители. Образуется инверсионный приповерхностный
слой. Образуется канал, которые соединяет области истока и стока.

Из конструкции видно:
1. Для изготовления одиночного транзистора требуется всего 1n диффузионный
процесс.
2. В структуре транзистора не требуется дополнительная, специальная изоляция от
подложки, поскольку затвор, исток, сток и канал в рабочем режиме изолированы от
нее обратно смещенным pn переходом.
Для изготовление комплементарной пары требуется одна дополнительная n диффузия в
подложку. Толщина подложки определяется технологически (чтобы не был слишком
хрупким).

29
6.2. Ключи на МДП транзисторах

6.2.1.Ключ на p-канальном транзисторе

Недостатки:
1. Напряжение на выходе значительно меньше напряжения питания.
Uвых 1= Uпит*Rс/(Rc+rк) = 10/(10+1)*Uпит ~=0.9 Uпит. Rc = 10
кОм.
2. Рассеивание мощности на истоке. Экономичность мала.

6.2.2.Ключ на n-канальном транзисторе

Если транзистор отрыт то на выходе должен быть низкий
потенциал.
Недостаток с точки зрения помехоустойчивости.
Uвых0 = Uпит * rк/(Rc+rк)
Невысокое быстродействие. Изменение заряда на емкости
нагрузки происходит через пассивное сопротивление Rс
(стока) в обоих ключах. Емкости затворов, паразитные емкости
монтажа. Могут достигать десятков пФ.
Rc = 10 кОм
Сн = Свх+См = 30пФ.
Tф01 = 2.2*Rc*Cн = 2.2*10*10^3*30*10^-12 = 0.66 мкс (fmax = 1.5МГц);
В микросхемотехнике не используются.

6.3. Инвертор КМДП. Комплементарный ключ

В схеме отсутствуют пассивные сопротивления.
На входах всех микросхем устанавливаются защитные
цепочки. Их функции:
1. Защищают от статического электричества и
выбросов входного напряжения обоих
полярностей. На схемах не изображаются
никогда.
2. Внутри БИС цепочки не используются. Они
включаются только к выводам, ко входам.
3. Защита от статики — обязательна при работе с
МДП элементами!
4. Уменьшение входных сопротивлений МДП микросхем и, что существенно,
увеличивает входную мощность на два порядка.

30
6.3.1.Принцип действия КМДП ключа
1. На входе высокий уровень. Uвх = Uвх1.
VT2 открыт, VT1 закрыт. На выходе низкий
уровень. Uвых практически равно нулю
I~10пА. Uвых~10мкВ.
2.
3. Uвх = Uвх0. На входе низкий уровень. VT2
закрыт. Транзистор отсчитывает напряжение на затворе
относительно потенциала подложки. На затворе Uзvt-Uп = -5 В.
Поэтому VT1 открыт. Его характеристики в этом режиме
симметричны. Uвых = +5. U~10мкВ (из-за токов утечки).
КМПД ключ обеспечивает близкие к идеальному статические уровни на
выходе.

6.4. Двунаправленный ключ

Уникальный. В биполярной технологии аналогов не существует. Используется для
коммутации аналоговых сигналов, причем двух полярных. Может использоваться для
коммутации и цифровых сигналов (одно полярных, с фиксированными уровнями). При
коммутации аналоговых сигналов важна величина нелинейных искажений. При коммутации
цифровых сигналов искажения не важны, поэтому характеристики ключей могут быть
нелинейны.

В ключе оба транзистора

открываются синхронно.
Входной сигнал подается
на объеденные истоки и
стоки. Входы и выходы
этих ключей не
отличаются. Поэтому
ключи называются
полноправными. У них нет
собственно входов и
выходов.

Если изменяется потенциал на стоке n-канального транзистора, меняется потенциал

подложки p-канального транзистора, а на затвор подается фиксированный сигнал.
Uвых = E(Rн/(Ri+Rкл+Rн)

31
6.5. Особенность использования в аналоговых схемах
Имеет место паразитная модуляция сопротивления
открытого ключа входным сигналам. Это приводит к
появлению нелинейных искажений. Для того,
чтобы держать под контролем эту ситуацию, чтобы
сопротивление ключа составляло не более 1% от
сопротивления нагрузки.
Вывод: аналоговые ключи должны работать только на
высокоомную нагрузку.
Применение в цифровой схемотехнике: широко
используется для построения селекторов —
демультиплексоров. Большинство таких микросхем
выпускается в КМДП базисе.

7. Базисные логические элементы в КМДП

7.1. Элемент 2И-НЕ (стрелка Пирса)

Принцип действия:
X X Y
1 2
0 0 1 VT4 закрыт, VT1 открыт, VT3 закрыт, VT2 открыт

1 1 0 VT4 открыт, VT1 закрыт, VT3 открыт, VT2 закрыт

0 1 1 VT4 закрыт, VT1 открыт, VT3 открыт, VT2закрыт

1 0 1 VT4 открыт, VT1 закрыт, VT3 закрыт, VT2 открыт

7.2. 2-х входовый элемент ИЛИ-НЕ (штрих Шеффера)

32
X X Y
1 2
0 0 1 VT1 закрыт, VT2 открыт, VT3 открыт, VT4 закрыт

1 1 0 VT1 открыт, VT2 закрыт, VT3 закрыт, VT4 открыт

0 1 0 VT1 закрыт, VT2 открыт, VT3 закрыт, VT2 открыт

1 0 1 VT1 открыт, VT2 закрыт, VT3 открыт, VT4 закрыт

7.3. Инвертор с тремя состояниями выхода

Вх EZ !EZ Вых
0 0 1 Z VT1 закрыт, VT2 открыт, VT3 закрыт, VT4 закрыт

1 0 1 Z VT1 закрыт, VT2 закрыт, VT3открыт, VT4 закрыт

1 1 0 0 VT1 открыт, VT2 закрыт, VT3 открыт, VT4 открыт

0 1 0 1 VT1 открыт, VT2 открыт, VT3 закрыт, VT4 открыт

33
EZ – enable Z – разрешение отключенного состояния выхода.

8. Запоминающие устройства
Полупроводниковые ЗУ относятся к схемотехнике, остальные относятся к внешним ЗУ.
Эффект Джозеффсона основывается на появлении туннельного эффекта в тонких пленках
при низких температурах.
Сверхоперативные ЗУ - быстродействие процессора, обычно размещаются в корпусе
процессора, выполняются по статической схеме, одна ячейка на 6 транзисторах, время
обращения — доли наносекунд.
Оперативные ЗУ — располагаются на системной плате, большие объемы.
Внешние ЗУ - полупроводниковые или магнитные ЗУ. Выполняются в виде модуля.
По организации обращения к ЗУ:
1. ЗУ с произвольным доступом.
2. Ассоциативные ЗУ — обращение к ним не по адресу, а по признаку сохраняемой
информации. Этот признак записывается вместе с данными в ЗУ. При выборке,
контроллер ассоциативного ЗУ просматривает эти данные и выбирает блок данных,
снабженных данным признаком. Имеет преимущество когда необходимо записывать
или считывать блоки информации; при параллельном считывании больших массивов
родственных данных.
По возможности записи информации:
1. Оперативные ЗУ (запись и считывание в произвольный момент времени).
2. Постоянные ЗУ (информация записывается при изготовлении и не стирается при
отключении питания).
3. Программируемые ЗУ.
4. Репрограммируемые допускают стирание информации и повторную запись. С УФ
стиранием информации и с электрическим стиранием информации (флеш память).
ЗУ в системе организованы по иерархическому принципу. Таким образом, чтобы всё ЗУ
имело большую емкость внешнего и высокое быстродействие сверхоперативного ЗУ.
Кеширование — способ организации памяти, основанным на упреждающем считывании
информации. Информация еще не запрошена, а управляющая система (операционная) уже
считывает блок данных для последующей работы.
Условные обозначения
Отечественные микр. ЗУ Международное обозначение Наименование
РУ (ЗУ с произвольной RAM(d) Random Access Memory
выборкой, оперативное ЗУ)
РЕ (Память только для ROM Read Only Memory
чтения, масочное ПЗУ)
РТ(постоянное ЗУ с PROM Programmable Read Only
возможностью однократного Мemory
электрического
программирования ( с

34
пережигаемыми
перемычками)
РФ(ПЗУ с ультрафиолетовым EPROM Erasable...
стиранием и электрической
записью информации)
РР(ПЗУ с возможностью EEPROM Electrical Erasement
многократного
электрического
программирования, с
электрическим стиранием)
РА(Ассоциативная память) CAM Content-addressable memory
РУ(Энергонезависимое ОЗУ) VVRAM Non-vovolative memory

8.1. Основные параметры микросхем ЗУ

1. Функциональное назначение и тип элементной базы (КМОП, КМДП-МОП)
2. Информационная емкость и способ организации.
3. Время записи и время считывания.
4. Удельное (на единицу емкости) энергопотребление. Различают: в режиме хранения и
в режиме обращения.
5. Допустимое число циклов перезаписи для репрограммируемых ПЗУ.
Микросхемы ПЗУ выпускают сериями.
Серия представляет собой набор микросхем, имеющих одинаковое конструктивно-
технологическое исполнение (кристалл), одинаковое напряжение питания,
эксплуатационные параметры, иногда одинаковый корпуса.
Обозначение выводов микросхем памяти.
А — адрес
DI – Date Into – входные данные
DO – Date Output — выходные данные
DIO — Date Input-Output – комбинированная магистраль
C – clock — тактовый сигнал
CA – column adress — адрес столбца
RA – Row Adress — адрес строки
CEO – Clock Enable Output — строб разрешения выхода
WR/RD – write-read — единица чтения и записи
REF – refresh – регенерация
CS – Chip ( Cristal) Select — выбор кристалла
PCM – запись ППЗУ и РПЗУ
ER — Erase — очищение ячеек РПЗУ с электрическим стиранием
Напряжение питание Vcc, Vpp, Vss, Vgg, Vbb.

35
Обозначение выходов:
Выход с тремя состояниями.
Выход с общим эмиттером (n-p-n)
Выход с общим коллектором (n-p-n)
Пример обозначений ПЗУ

Иллюстрация 1: Пример ПЗУ

256 состояний на входе.
11.12.09

8.2. Постоянные запоминающие устройства

Не возможно изменить информацию после записи, сохраняют информацию после
отключения питания.
ПЗУ:
1. Масочные;
2. Однократно программируемые;
1. С пережигаемыми перемычками;
2. С пробоем p-n перехода.
3. Репрограммируемые.

36
 1. УФ стирание;
2. Электрическое стирание;

8.2.1.Масочные ПЗУ
Первые из полупроводниковых ПЗУ. Запись информации выполняется на заводе-
изготовителе, по таблицам, предоставляемым заказчиком. Все операции по изготовлению
ПЗУ входят в стандартный цикл, за исключение одной: стравливание диэлектрика под
затворами будущих транзисторов для возможности записи нулей. Такие ПЗУ иногда
называют заказными. Для операции стравливания диэлектрика и записи нулей и единиц
требуется изготовление фотошаблона и маски индивидуальной. Поэтому применение таких
ПЗУ экономически целесообразно при большой серийности. Используются в тех случаях,
когда необходимо обеспечить высокую надежность информации и когда выпускается
большая серия изделий (стиральных машин или контроллеров). Такие ПЗУ встраиваются и в
БИС микропроцессор, если микропроцессор специализированный.
Структурная схема (схема шин).

37
Заштрихованным обозначены зоны, в которых слой SiO2 стравлен с одного микрометра до
сотой микрометра. Затем напылены металлические шины-затворы. Если диэлектрик не
стравлен то стоко-затворная характеристика имеет вид параболы. При стравленном
диэлектрике напряжение меньше, характеристики имеют одинаковый вид.
В результате, код записанный в матрицу:
0 1 0
1 0 1
0 1 1
При опросе по У1,VT1 открывается и шина Х1 соединяется с нулем, на ней формируется
низкий уровень.

8.3. ПЗУ с пережигаемыми перемычками.

Схема одной ячейки:

Диод используется для развязки данной разрядной шины с другими адресными шинами при

38
считывании информации по данной разрядной шине.
Транзистор введен в конструкцию для уменьшения тока опроса (адресной шины).
Упрощаются формирователи, функция усиления тока опроса передается на транзисторы,
расположенные по всей поверхности. Перемычка изготавливается из тонкой пленки нихрома
(никель хромовый сплав высокого сопротивления). Для пережигания перемычки через
запоминающую ячейку пропускается импульс тока, который создает в пленке плотность
j=Iпр/S ~ 10^5 А/мм^2. Смысл в том, что короткий импульс большой (десятки миллиампер)
не успевает разогреть диод, но успевает разогреть пленку. Корпуса БИС выполняются в виде
металлических крышек, разрыв пленки носит взрывной характер, и все оседает на крышке.
Программирование выполняется в специальных стендах. Стенды универсальные, позволяют
программировать несколько типов ПЗУ.

8.3.1.Репрограммируемые ПЗУ
Выпускаются двух типов. Принцип действия РПЗУ основан на изменении порогового
напряжения МДП транзистора при программировании.
1. Репрограммируемые ПЗУ на лавинно-инжекционных транзисторах с плавающим
затвором (с ультрафиолетовым стиранием). Запоминающим элементов является МДП
транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом. Металлический
затвор расположен в толще диэлектрика (SiO2) и не имеет выводов. Поэтому затвор
называется плавающим, что отражено в названии ПЗУ.
Конструкция:

Запись информации: металл = шина, к нему подключен источник. Подается

повышенное обратное импульсное напряжение 25 В на p-n переход, образованный
стоком и подложкой. Отрицательные электроны начинают двигаться, и в силу
рассеивания, часть их оседает на плавающем затворе в следствие лавинного пробоя
подзатворного диэлектрика. В рабочем режиме на плавающем затворе оказывается
отрицательный потенциал, который повышает пороговое напряжение. При опросе он
откроется. Если накоплен отрицательный заряд, характеристика смещается право и
при попытки считывания он не откроется. В схему ПЗУ транзистор включается
следующим образом:
При считывании на АШ подается положительный импульс, ток с АШ на ноль
отбирается в зависимости от того, запрограммирован Т2 или нет.

39
 В настоящее время такие ПЗУ строятся на двухзатворном транзисторе.

По плотности упаковки информации эти ПЗУ сопоставимы с динамическими ОЗУ. Стирание

информации выполняется одновременно из всех запоминающих элементов облучением
ультрафиолетом в коротковолновой области. При этом фотоны ионизируют некоторые
атомы Si в подзатворной области. Заряд с затвора стекает на подложку.

40
Поскольку происходит ионизация, электроны могут уйти, поэтому число стираний не
должно быть больше 100. Такие ПЗУ обеспечивают хранение до 10 лет (реально — больше).
Используются очень широко, т.к. Программирование выполняется на рабочем месте, но для
программирования необходим особый стенд. После стирания информации выполняется
диагностика. Процент успешного программирования — 99 из 100.

8.3.2.РПЗУ с электрическим стиранием информации

Выполняются на транзисторах со структурой металл-нитрид кремния-оксид-полупроводник.
МНОП.
Структура:
Заряд накапливается на ловушках на
границе Si3N4 и SiO2. Ловушки — это
энергетические уровни, которые
образуются из-за разности периодов
кристаллической решетки. Накопление
стекания зарядов с ловушек на
подложку происходит через слой SiO2
толщиной 4-5 нм в следствие
туннельного эффекта.

8.4. Оперативные
запоминающие
устройства
ОЗУ предназначены для
кратковременного хранения часто
обновляемой информации. Свойство — возможность быстрого обращения, единицы
наносекунд. Обращение — чтение или запись, чтение и запись — цикл обращения. При
выключении питания информация теряется.
Оперативные ЗУ делятся на два типа:
1. Статические. Используются как системные, в составе устройств компьютера.
Сверхоперативные или буферные ЗУ, в них записываются промежуточные результаты
вычислений, информация часто обновляется. К этой группе относится кеш-память, но
она предполагает опережающее чтение. Малый объем.

41
 2. Динамические. Используются в качестве системной оперативной памяти, можно
сказать что это второй уровень оперативных ЗУ. Основные требования — большая
емкость, работа через системную шину. Цикл обращения определяется протоколом
шины. Цель использования динамических ЗУ — увеличение удельной емкости.
Большая емкость динамических ЗУ достигается за счет использования всего одного
транзистора на один бит информации, в то время как в статических используется
шесть транзисторов. Удельная емкость динамических ОЗУ на порядок больше, чем
статических. Существенный недостаток динамических ЗУ — необходимость
периодической регенерации информации. Сама информация динамических ЗУ
накапливается в виде зарядов на затворе МДП транзистора. Из-за токов утечки этот
заряд быстро стекает (до единицы секунд), поэтому информацию нужно
периодически обновлять. Обновление происходит за 2 тактах, первый такт —
считывание из банка данных в промежуточную память, второй — считывание в ЗУ.
Refresh — если сигнал выставлен на шине, то обмен по шине прекращается.
Регенерация выполняется по блочно. Быстродействие уменьшилось по сравнению со
статическими ЗУ.

8.5. Схемотехника статических ЗУ

В настоящее время, используются статические ЗУ на КМПД транзисторах.

Ключ коммутирует шину на ноль или единицу.

Состав:
Запоминающий элемент состоит из перекрестно соединенных инверторов, которые образуют
триггер(транзисторыVT2,3,4,5). VT1, VT6 ключи для записи\считывания информации. S1 и
S2 контроллеры для записи в ЗУ.
Запись:
На РШ1 и РШ0 подаются противофазные сигналы, с помощью ключей К1 и К2. С некоторой
задержкой на АШ подается импульс. При этом открывается один из транзисторов VT1\VT6,

42
затвор которого имеет больший потенциал, в сравнение с истоком. Потенциал с РШ или
подтверждает состояние триггера или переключает его. Недостаток такого элемента —
наличие двух разрядных шин, что усложняет трассировку кристалла и требует много
дополнительных ключей.
Считывание:
Перед считыванием разрядные шины заряжаются до высокого потенциала за счет
размыкания S1 и S2, на АШ подается высокий потенциал. Открывается один из транзисторов
VT1\VT6, и подключает плечо триггера, имеющее низкий потенциал на выходе, к
соответствующей разрядной шине. К этому моменту S1, S2 разомкнуты. В подключенной к
триггеру РШ возникает импульс тока из-за наличия емкости Сш. Он формируется
усилителем считывания и подается на выход. При считывании информация в триггере не
теряется.
Режим хранения;
Информация на РШ 1\0 изменяется непрерывно. Однако ячейка закрыта, поскольку
обращения к ней АШ не происходит. Поскольку информация хранится в с течение времени,
он подписывается.

8.6. Динамические ЗУ
Элемент памяти .

С- полезная емкость, в ее заряде хранится информация. Для увеличения емкости С на стоке

выполняется металлическая аппликация. Затвор или адресная шина уходит за плоскость
чертежа. Разрядная шина в плоскости чертежа. Диэлектрик наносится на поверхность за 2
цикла.
Информация сохраняется в емкости стока относительно подложки. На исток подается 1 или
0, на АШ подается положительный импульс (всегда положительный), емкость заряжается,
или разряжается. При хранении информации, информация на РШ может изменяться, однако
обращения к АШ не происходит. Обращение к каждой ячейке происходит в зависимости от
организации памяти (матричная, строчная, комбинированная). Записывать можно только
целиком строку.

43
При считывании РШ подключается к усилителю считывания, усилитель считывания
открывается и опрос подается на АШ. Выходная информация появляется на всех РШ данной
строки.
Особенности:
Очень маленькая амплитуда считываемого сигнала. Т.к. Образуется емкостной делитель
напряжения. Перепад импульса напряжения Uрш = Uсток – Ci/(Ci+Cрш). Амплитуда сигнала
составляет микровольты.
Регенерация:
Заряд на стоке теряется за счет обратного тока закрытого p-n перехода сток-подложка.
Регенерация выполняется путем считывания информации (т.к. Здесь затвор открыт заряд
стекает, а в постоянных ЗУ затвор плавающий, находится в толще диэлектрика).

44