ISSN 2306-­3084. АКТУАЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ МАШИНОВЕДЕНИЯ. 2020.

ВЫПУСК 9

УДК 621.9.06-529

С.Б. ШКОЛЫК
ОАО «Планар», г. Минск, Республика Беларусь

И.Д. ТЫЧИНСКАЯ
ОАО «Планар-СО», г. Минск, Республика Беларусь

А.А. ГЛАЗУНОВА
Объединенный институт машиностроения НАН Беларуси, г. Минск

СОВРЕМЕННЫЕ МАТЕРИАЛЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

ДЛЯ КОСМИЧЕСКОЙ ТЕХНИКИ И ТЕХНОЛОГИИ ИХ ОБРАБОТКИ
В статье рассмотрены современные материалы микроэлектроники для аэрокосмической и военной техники типа
кремний на изоляторе (КНИ) и методические подходы к исследованиям возможностей их лезвийной обработки с ис-
пользованием в качестве режущего инструмента из кубического нитрида бора (КНБ). С этой целью был разработан
комплект специализированной оснастки, включающий высокоскоростной электрошпиндель с аэростатическими
опорами, имеющий систему контроля параметров колебаний вала и программно-управляемую жесткость подшип-
никовых опор, реализуемую путем изменения давления сжатого воздуха; специальную резцовую головку со ступен-
чато-регулируемым углом наклона, выполненную в виде усеченного конуса пластины КНБ; комплект модульных про-
граммно-управляемых средств.

Ключевые слова: инструмент, материалы, микроэлектроника, обработка, технологии

Введение. Для микроэлектроники, работающей менты, определяющие спецификацию микроэлектро­

в открытом космосе, весьма высока вероятность разру­
шающего воздействия потока частиц электронов и бо­
лее тяжелых ядер, а также жесткого излучения гамма-
и рентгеновских лучей [1]. Причем, для сравнения — на
Большом адронном коллайдере протоны имеют энер­
гию 7 ТэВ, в то время как энергия протонов в косми­
ческих лучах может достигать 300 000 000 ТэВ [1]. Су­
ществуют различные пути решения задачи обеспечения
работоспособности интегральных микросхем, состав­
ляющих основу микроэлектроники, однако к одному из
наиболее важных из них можно отнести выбор и созда­
ние полупроводниковых материалов, устойчивых к это­
му воздействию. При этом, вследствие относительно
небольших объемов производства микроэлектроники
для космической техники, стоимость «сложного логиче­
ского микрочипа для космоса может достигать 100 тыс.
долл  США [1]. К этому можно добавить, что «в США
существуют жесткие регламенты, устанавливающие
требования к чипам класса Space или Military,   также
определен круг оборудования, где должны применяться
именно они, а не обычные промышленные микросхе­
мы.  в Европе, и в США существуют нормативные доку­
ники (для ЕКА — это ESCC, для NASA — DSCC)»[1].
В основе наиболее широко используемых материа­
лов для современной полупроводниковой электроники
до настоящего времени остаются кремний (Si) и арсе­
нид галлия (GaAs). Наряду с ними, все в большей мере
находят применение такие материалы, как:
 неплавящийся и имеющий высокую твердость кар­
бид кремния (SiC) гексагонального политипа 4HSiC,
имеющий самую высокую подвижность электронов
и в 3 раза большую (таблица 1), чем у кремния, ширину
запрещенной зоны, и нитрид галлия (GaN) [2, 3], также
обладающий в 3 раза большей, чем у кремния, шириной
запрещенной зоны (см. таблицу 1), «высокое критиче­
ское поле лавинного пробоя (приблизительно в  10 раз
больше, чем у кремния), высокую насыщенную ско­
рость дрейфа электронов (в 2,5 раза больше, чем у крем­
ния и арсенида галлия)»[2];
 КНИ на базе имеющего высокую твердость сапфи­
ра (КНС), на поверхность которого наносится 1,2 мкм
кремния с образованием структуры «кремний на сапфи­
ре» [2]. КНИ обладает чрезвычайно высокой радиацион­
ной стойкостью к ионизирующим излучениям и  быст­

Таблица 1 — Физические параметры кремния и SiC [2]

Политип 3С(b) 4Н 6Н(a)

Кристаллическая структура цинковая обманка гексагональная гексагональная
Пространственная группа T – F43m
2
d C – P 63mc
4
6n C6n4 – P 63mc
Символ Пирсона cF 8 hP8 hP12
Постоянные решетки, Å 4,3596 3,0730;10,053 3,0810;15,12
Плотность, г/см3 3,21 3,21 3,21
Ширина запрещенной зоны, эВ 2,36 3,23 3,05
МОС, ГПа 250 220 220
Теплопроводность, Вт/(см·К) 3,6 3,7 4,9

284
 МАШИНОСТРОИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ

родействием, но имеет большую стоимость, вследствие

чего ориентирован на аэрокосмическое и военное элек­
тронное оборудование [4];
 в таком бурно развивающемся направлении микро­
электроники, как микросистемотехника, наряду с крем­
нием, широко используется множество пьезоэлектри­
ческих материалов: ниобат лития (таблица 2), танталат
лития, лангосит, ланготат, а также различные сорта
кварца. Эти материалы обладают физико-химическими
свойствами, затрудняющими их обработку традици­
онными методами и манипулирование ими в  процес­ а
се производства изделий микросистемотехники: они
хрупки, разрушаются при незначительных тепловых
воздействиях, некоторые имеют пиротехнический эф­
фект [5, 6]. Это выдвигает особые требования к обору­
дованию, инструментам и технологическим режимам
для их обработки.
В связи с чрезвычайно высокой твердостью данных
материалов (см. таблицы 1, 2) возникают определенные
технологические проблемы с обработкой материалов
типа карбида кремния, поскольку для этого необходим
более твердый режущий инструмент [8]. Ко второй проб­
леме можно отнести относительно высокую хрупкость
этих материалов [12–16], к третьей — возникновение
внутренних напряжений при механической обработке,
отрицательно сказывающихся на служебных свойствах
изделий микроэлектроники.
Цель исследований — разработка методических под­
ходов и оснастки для исследований процессов обработ­
ки лезвийной планаризацией таких материалов изоля­
торов КНИ, как сапфир.
б
Методика исследований. В качестве базового режу­
щего материала обработки таких материалов изоляторов Рисунок 1 — Условная схема планаризации пластины (а)
КНИ, как сапфир, может быть использован кубический и траектория движения резца со вставкой КНБ (б ):
1 — основание; 2 — опора с антифрикционным покрытием;
карбонитрид бора (BC2N), имеющий твердость, достига­ 3 — подвижный стол; 4 — обрабатываемая пластина;
ющую до 750 ГПа, вторую после алмаза [17]. В качестве 5 — шпиндель; 6 — алмазный резец, установленный на валу
объекта исследований принята схема планаризации пла­ шпинделя; 7 — консоль для крепления шпинделя
стины на столе установки, показанная на рисунке 1.
Исследования процессов лезвийной обработки твер­ возникновения возможных резонансов, жесткости си­
дых материалов с использованием в качестве режущего стемы «обрабатываемая заготовка — инструмент — рез­
материала КНБ наиболее широко проводились в Ин­ цовая головка — шпиндель» был разработан специаль­
ституте сверхтвердых материалов им. В.Н. Вакуля НАН ный скоростной (до 5 000 об/мин) электрошпиндель на
Украины [15]. В результате анализа полученных при этом аэростатических опорах с управляемым положением
данных было установлено, что при исследованиях про­ вала относительно корпуса, контролем его колебаний
цессов резания таких материалов, как сапфир, сверх­ и регулируемой жесткостью подшипниковых опор дав­
твердыми режущими пластинами КНБ целесообразно лением сжатого воздуха в аэростатических опорах с ис­
обеспечение при лезвийной обработке: пользованием модульных программно-уп­равляемых
 высокой плавности и управляемой, с учетом возмож­ средств, схема которых показана на рисунке 2 (раз­
ных резонансов, жесткости системы «обрабатываемая за­ работка модульных программно-аппаратных средств
готовка — инструмент — резцовая головка — шпиндель»; осуществлялась кандидатом технических наук Папи­
 программно-управляемых скоростей обработки 500 м/мин ной С.С.), общий вид — на рисунке 3.
и более; Возможность управления углами резания в соче­
 возможностей управления углами резания. тании с обеспечением высокой жесткости системы
Результаты исследований и их обсуждение. Для дос­ «резцовая головка — державка — пластина КНБ» была
тижения высокой плавности и управляемой, с учетом обеспечена путем подбора угла конусности 2a пластины
Таблица 2 — Физические параметры ниобата лития [6] КНБ, выполненной в виде усеченного конуса, и изме­
нения угла наклона b опорной поверхности в державке
Класс симметрии 3M пластины КНБ (рисунок 4).
Основные выводы и результаты. В статье рассмотре­
Химическая формула LiNbO3
ны современные материалы микроэлектроники типа
Твердость по Моосу 5–5,5 КНИ с подложкой из пластины сапфира (КНС), ис­
Плотность (г/см )3
4,7 пользуемые в аэрокосмической и военной технике, их
особенности и проблемы технологий обработки, свя­
Пространственная группа R3с занные с высокой твердостью.

285
 ISSN 2306-­3084. АКТУАЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ МАШИНОВЕДЕНИЯ. 2020. ВЫПУСК 9

Рисунок 2 — Схема модульных программно-управляемых средств

а б
Рисунок 3 — Общий вид модульных программно-управляемых средств:
а — модуль контроля и управления; б — модуль стабилизации температуры электрошпинделя

Показано, что в качестве одной из возможных

Рисунок 4 — Схема крепления конусообразной пластины КНБ
в резцовой головке: a — специально подобранный угол уклона
пластины КНБ, выполненной в виде усеченного конуса;
b – угол наклона опорной поверхности державки пластины КНБ
технологий может быть использована лезвийная об­
работка с использованием модификации КНБ типа
кубический карбонитрид бора (BC2N), имеющего
твердость, достигающую 750 ГПа, превышающую
твердость сапфира.
Для исследований и реализации такого процесса
необходима специализированная оснастка, для чего
были разаботаны высокоскоростной электрошпиндель
с аэростатическими опорами, имеющий систему кон­
троля параметров колебаний вала и программно-управ­
ляемую жесткость подшипниковых опор, реализуемую
путем изменения давления сжатого воздуха; специ­
альная резцовая головка со ступенчато-регулируемым
углом наклона пластины из КНБ, выполненная в виде
усеченного конуса; комплект модульных программ­
но-управляемых средств.

286
 МАШИНОСТРОИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ

Список литературы
1. Микросхемы для космоса [Электронный ресурс]. — Ре­
жим доступа: https://academcity.org/content/mikroshemy-
dlya-kosmosa. — Дата доступа: 20.07.2020.
2. Перспективы использования широкозонных полупровод­
никовых материалов в современной электронике [Элек­
тронный ресурс] / В.В. Чибиркин [и др.] // ОАО «Элек­
тровыпрямитель». — Режим доступа: http://geum.ru/next/
art-144304.php. — Дата доступа: 09.07.2020.
3. Dietrich s. prospects of sic power devices from the state of the
art to future trends // Psim 2002: Power electronics conference.
May 14–16, 2002, Nürnberg, Germany.
4. Вопросы конструирования датчиков для измерения
давления высокотемпературных сред / П.Г. Михайлов
[и  др.]  // Измерение. Мониторинг. Управление. Кон­
троль. — 2015. — № 2(12). — С. 10–17.
5. Баринов, И.Н. Разработка и изготовление микроэлек­
тронных датчиков давления для особо жестких условий
эксплуатации / И.Н. Баринов [и др.] // Датчики и систе­
мы. — 2014. — № 2. — С. 49–61.
6. Каталог ОАО «Фомос-Материалс», группа предприятий
«Пьезо» [Электронный ресурс]. — Режим доступа: http://
www.newpiezo.com. — Дата доступа: 20.07.2020.
7. Википедия [Электронный ресурс]. — Режим доступа:
https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%9A%D1%80%D0%B5%
D0%BC%D0%BD%D0%B8%D0%B9_%D0%BD%D0%B0
_%D0%B8%D0%B7%D0%BE%D0%BB%D1%8F%D1%82
%D0%BE%D1%80%D0%B5. — Дата доступа: 20.07.2020.
8. База знаний — кристаллы. Каталог [Электронный ре­
сурс]. — Режим доступа: https://newpiezo.com/knowledge_
base/crystals. — Дата доступа: 20.07.2020.
9. Влияние структуры и механических свойств приповерх­
ностного слоя монокристалла ниобата лития на процесс
производства интегрально-оптических схем / А.В. Со­
сунов [и др.] // АВТОМЕТРИЯ. — 2017. — Т. 53, № 1. —
С. 100–106.
10. Каталог ОАО «Фомос-Материалс». Танталат лития [Элек­
тронный ресурс]. — Режим доступа: https://newpiezo.com/
knowledge_base/crystals/tantalat-litiya/. — Дата доступа:
20.07.2020.
11. Российская микроэлектроника для космоса: кто и что
производит [Электронный ресурс]. — Режим доступа:
http://odnako.su/hi-tech/pc-hardware/-75030-rossiyskaya-
mikroelektronika-dlya-kosmosa-kto-i-chto-proizvodit. —
Дата доступа: 20.07.2020.
12. Перспективы и тенденции развития микроэлектрони­
ки [Электронный ресурс]. — Режим доступа: https://
studopedia.org/12-3700.html. — Дата доступа: 17.07.2020.
13. Учебные материалы для студентов [Электронный ре­
сурс]. — Режим доступа: https://studme.org/73733/tehnika/
sverhtverdye_materialy_osnove_almaza_ kubicheskogo_nitrida_
bora_lezviynogo_instrumenta. — Дата доступа: 17.07.2020.
14. Наука. Каталог [Электронный ресурс]. — Режим досту­па:
http://naukarus.com/tverdost-sapfira-v-razlichnyh-
kristallograficheskih-napravleniyah. — Дата доступа:
17.07.2020.
15. Синани, А.Б. / А.Б. Синани, А.С. Власов, Е.Л. Зильбер­
бранд // Изв. РАН. Сер. физ. — 2004. — Т. 68, № 6. —
С. 8–10.
16. Dobrovinskaya, E. Sapphire in Science and Engineering /
E.  Dobrovinskaya, L. Lytvynov, V. Pischik. — Kharkov: STC
Institute of Single Crystal NAS of Ukraine, 2007. — 480 p.
17. Сверхтвердые материалы. Получение и применение: в 6 т. /
под общ. ред. Н.В. Новикова. — Киев: ИСМ им. В.Н. Бакуля:
ИПЦ «Алкон» НАНУ, 2006. — Т. 5: Обработка материалов лез­
вийным инструментом / Под. ред. С.А. Клименко. — Киев:
ИСМ им. В.Н. Бакуля: ИПЦ «Алкон» НАНУ, 2006. — 316 с.

Shkolyk S.B., Tychynska I.D., Hlazunova H.A.

Modern microelectronic materials for space technology and technologies for their processing
The article discusses modern materials of microelectronics for aerospace and military equipment such as silicon-on-insulator and meth­
odological approaches to studying the possibilities of their blade processing using cubic boron nitride (CBN) as a cutting tool. For this pur­
pose, a set of specialized equipment was developed, including: a high-speed electrospindle with aerostatic supports, which has a system for
monitoring the parameters of shaft oscillations and program-controlled stiffness of bearing supports, realized by changing the compressed air
pressure; a special cutting head with a step-adjustable inclination angle made in the form of a truncated cone of the CBN plate; set of modular
software-controlled tools.
Поступила в редакцию 22.07.2020.

287