МИНОБРНАУКИ РОССИИ

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ
ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
«ЛЭТИ» ИМ. В.И. УЛЬЯНОВА (ЛЕНИНА)
КАФЕДРА ЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ

РЕФЕРАТ
по дисциплине «Актуальные проблемы современного приборостроения»
Тема: Диоды и транзисторы на основе SiC и GaN

Студент гр. 9802 Попов А. П.

Преподаватель Шануренко А. К.

Санкт-Петербург
2021
 ЗАДАНИЕ НА РЕФЕРАТ

Студент Попов А. П.

Группа 9802

Тема реферата: Диоды и транзисторы на основе SiC и GaN

Предполагаемый объем реферата:

Не менее 20 страниц

Студент Попов А. П.

Преподаватель Шануренко А. К

2
 АННОТАЦИЯ

Цель данного реферата – рассмотреть современные способы производства

диодов и транзисторов на основе SiC и GaN, их применение, преимущество и
недостатки в сравнении с другими материалами.

3
 СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ 5

1. КРАТКАЯ ИСТОРИЧЕСКАЯ СПРАВКА 6

1.1. Первые упоминания о SiC и GaN 6
1.2. Первые опыты на SiC 7
1.3. Опыты на GaN и история открытий. 9
2. СОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ SiC и GaN 10
2.1. Методы получения SiC 10
2.2. Методы получения GaN 12
3. СВОЙСТВА МОЛЕКУЛ 13
3.1 Описание молекулы карбида кремния. 13
3.2 Описание молекулы нитрида галлия 16
4. ДИОДЫ И ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ SiC и GaN 17
4.1 p-n, p-n-p и n-p-n переходы, простейшие диоды и транзисторы 17
4.2 Сравнение характеристик полупроводниковых материалов. 20
4.3 Диоды на основе SiC и GaN 22
4.4 Транзисторы на основе SiC и GaN 26
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 28
Список использованных источников 29

4
ВВЕДЕНИЕ.
В современном мире электронная техника и ЭВМ является неотъемлемой
частью общества. Разработка и внедрение ЭВМ во многом лежит на плечах
разработчиков электронной аппаратуры. Для обеспечения работоспособности и
экономической целесообразности производства сложной
многофункциональной электронной аппаратуры, разработчикам электронных
устройств постоянно приходится решать три основные задачи:
1. Уменьшение габаритных размеров.
Уменьшение габаритных размеров не является самоцелью. Это
необходимость, которая позволяет увечить площадь упаковки электронных
компонентов, а соответственно и количество функций устройства, и скорость
исполнения этих функций. На данный момент человечество приближается к
менее чем нанометровым технологическим процессам. К примеру, привычные
процессоры для пользовательских ПК уже создаются на нано транзисторах
размером в 7 нм каждый.
2. Повышение надежности и улучшение характеристик.
Экономически нецелесообразно использовать электронику, быстро выходящую
из строя в нормальном режиме работы или не способную работать в тяжелых
условиях. Материалы, исследуемые в данном реферате, в первую очередь
решают эту проблему.
3. Снижение трудоемкости изготовления.
А значит, и увеличение доступности ЭВМ. К примеру, переключение
«цельных» сборок на модульное производство позволило рассредоточить
производство отдельных модулей электроники и удешевить его производство.
Главным путем решения этих проблем является использование новых
материалов, создание новых технологических процессов и технологий в общем.
Диоды и транзисторы на основе Карбида кремния (SiC) и Нитрида Галлия
(GaN), а также частично упомянутые в этом реферате подложки на их основе и
прочие технологии на основе этих материалов являются перспективным путем
решения как новых проблем, так и уже решенных. Конкретные методы и
5
перспективы решения актуальных проблем электротехники с помощью SiC и
GaN будут рассказаны далее.

КРАТКАЯ ИСТОРИЧЕСКАЯ СПРАВКА

1.1. Первые упоминания о SiC и GaN

Первое доказанное упоминание Карбида Кремния (SiC) относится к
патенту Эдварда Гудрич Ачесона, американского химика, запатентовавшего
получение порошкообразного Карбида Кремния в печи, получившей его имя
«Печь Ачесона». Изначально этот технологический процесс позволял лишь
получать твердый абразивный порошок с кристаллами размеров до 10*10*3 мм
и примесями 1021 см-3. Печь Ачесона используется в получение синтетического
порошкообразного карбида кремния и по сей день.
Иронично, но открытие синтетического карбида кремния наложило
сомнение на открытие его природного аналога. Природный карбид кремния
был обнаружен 1893 году, незадолго после регистрации патента получения
абразивного порошка, который на тот момент уже использовался в пилах.
Природный SiC был обнаружен в виде небольших шестиугольных
пластинчатых включений в метеорите Каньон Диабло, в Аризоне,
Фердинандом Анри Муассаном. В честь него в 1905 природный карбид
кремния был назван Муассанитом. Но так как используемая в ходе
исследования пила содержала SiC в виде абразивного напыления, вопрос о
открытии Муассанита изначально оспаривался. Несмотря на то, что карбид
кремния используемый в ювелирных изделий получен синтетически, его также
называют Муассанитом.
Использование карбида кремния в качестве абразивного порошка
подразумевает его высокую твердость. Его твердость занимает третье место из
всех известных молекул. Поэтому изначально карбид кремния нашел свое
применение только как абразив. Он обладает и многими другими важными для

6
науки свойствами, но далее все не связанные с электротехникой открытия
будут опущены.
Первые работы по исследованию GaN проводились в Принстонском
университете США в 30–40-х годах 20 века. Когда GaN стал рассматриваться
как самый перспективный материал для создания полупроводниковых
светодиодов в коротковолновой области спектра, исследования были
продолжены в лаборатории компании Radio Corporation of America (RCA). Для
получения данного материала использовали реакцию аммиака с жидким
галлием, протекающую при повышенной температуре. В качестве подложки
для выращивания структур GaN выбрали сапфир. Исследование выращенных
пленок показало, что без легирования они обладают проводимостью n-типа, а
для получения p-n-перехода требовалось подобрать соответствующую примесь,
позволяющую получить материал p-типа. В качестве такой примеси
использовали цинк, но технологическая сложность состояла в том, что при
высоких концентрациях цинка пленки GaN становились диэлектриками. О
важности и устройстве p-n переходов будут рассказано в соответствующем
разделе реферата.

1.2. Первые опыты на SiC

В 1907 Генри Джозеф Раунд наблюдал свечение при прохождении тока
через кристалл SiC. На катоде наблюдалось желтое, зеленое и оранжевое
излучение. Данный эксперимент можно считать созданием первого в мире
светодиода.

7
 Рисунок 1. Повторение эксперимента Раунда

С 1923 по 1940 Олег Владимирович Лосев, советский ученый, в ходе

серий экспериментов над Карбидом Кремния установил множество важных
свойств и сделал некоторые открытия. Он установил, что один из типов
свечения связан с наличием на поверхности кристалла особого «активного
слоя». Позже он показал, что проводимость этого слоя – электронная (n), а
проводимость объема образца – дырочная (p). Он также установил связь между
выпрямлением и электролюминесценцией. Кроме того, он наблюдал изменение
цвета свечения при увеличении плотности тока через кристалл.
Таким образом, два важнейших для полупроводниковой электроники
явления – электролюминесценция и выпрямительные свойства p – n структур -
впервые были обнаружены на кристаллах SiC. Но в то время в
радиотехнической промышленности широко применялись электровакуумные
приборы, и эти открытия остались незамеченными.
Забегая вперед в истории и в другие разделы реферата, отметим
достижения университета СПбГЭТУ «ЛЭТИ» в исследования Карбида
Кремния.

8
 В СПбГЭТУ «ЛЭТИ»:
• впервые экспериментально показана возможность создания
фотоприёмных устройств ультрафиолетового диапазона на основе
нанопористого SiC
• освоен экспериментальный выпуск 6H и 4H-SiC подложек
диметром 50-75 мм
• обнаружен и исследован устойчивый, обратимый ростовый
структурный изоморфизм в системе SiC-AlN
На этом историю открытия Карбида Кремния можно считать оконченной,
так как дальнейшие открытия лучше рассматривать со стороны способов
получения Карбида Кремния.

1.3. Опыты на GaN и история открытий.

В начале семидесятых годов в лаборатории RCA были получены
структуры металл–диэлектрик–полупроводник (МДП), в которых наблюдалась
электролюминесценция голубого (с длиной волны 475 нм) и зеленого цвета
свечения. Эти МДП-структуры стали первыми светодиодами на основе GaN.
В дальнейшем технологи заменили цинк магнием. В результате удалось
получить структуру, излучающую свет в голубом и фиолетовом (с длиной
волны 430 нм) диапазонах. К сожалению, такие светодиоды обладали очень
низким квантовым выходом и эффективностью, поэтому работы по GaN были
приостановлены почти на десять лет.
В 80-х годах XX в. работ по GaN в Европе и США практически не было.
Но их продолжали вести исследователи в Советском Союзе и Японии. В начале
80-х приоритетными были работы исследователей МГУ им. М. В. Ломоносова
Г. В. Сапарина и М. В. Чукичева по активации люминесценции в GaN,
проводившиеся на физическом факультете, и работы исследовательской группы
В. Г. Сидорова в Ленинградском политехническом институте (ныне Санкт-
Петербургский технический университет)

9
 Японским исследователям из университета Нагойи под руководством
профессора Исаму Акасаки в конце 80-х гг. удалось получить светодиод на
основе GaN со слоем p-типа. Стойкие акцепторы магния активировались при
облучении структур GaN электронным пучком; возможность этого в GaN-
структурах с акцепторами цинка показали в своих работах исследователи из
МГУ в начале десятилетия. Дополнительное легирование p-слоя GaN позволяет
улучшать эффективность активации глубоких акцепторов. Этот прорыв открыл
дорогу к использованию GaN-структур с p-n-переходом в оптоэлектронике, да
и в электронике в целом.
Дальнейшая история GaN касается наших дней и поражает
перспективами развития. Заголовки журналов по электронике пестрят самыми
разными заявлениями: «Эра безкремниевой электроники», «Нитрид Галия
способ жить в человеческом теле», «Зарядные устройства на Нитриде Галлия»,
«Замена Кремнию» и так далее. Пускай такие заголовки не всегда близки к
действительности, точно можно сказать, что самый важный виток в развитии
электроники для этого материала только начинается в наше время.

2. CОВРЕМЕННЫЕ МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ SiC и GaN

2.1. Методы получения SiC

В первую очередь стоит снова упомянуть, что печь Ачесона до сих пор
используется для получения абразивного порошка Карбида Кремния. Но
очевидно, этот метод не применим в производстве электроники.
В 1955 году Ян Энтони Лели из «Philips Electronics» подал патент на
сублимационный метод получения кристаллов Карбида Кремния, который
теперь называется «методом Лели». Монокристаллы SiC в таком процессе
выращивались в результате перегонки SiC из более горячих в более холодные
области реактора. Порошок карбида кремния загружают в графитовый тигель,
который продувают газообразным аргоном и нагревают примерно до 2500 ° C.
10
Карбид кремния у внешних стенок тигля сублимируется и осаждается на
графитовом стержне около центра тигля, который имеет более низкую
температуру.

Рисунок 2. Фотография тигля. 1 – тигель. 2 – шихта, 3 SiC –

монокристаллы.
Этот метод позволил получить политипно-однородные кристаллы
неправильной шестиугольной формы. С куда более чистыми образцами удалось
установить, что Карбид Кремния – полупроводник с непрямой зонной
структурой. Также было открыто множество других свойств и характеристик, о
которых будет рассказано позже. Важным для электроники является то, что
Карбид Кремния имеет высокую температуру роста (>2000о C), тяжело
обрабатывается и плохо травится. Отчего промышленность 50-х годов снова
потеряла к нему интерес.
В 1970 году Ю. А. Водаков и Е. П. Мохов предложили сублимационный
сэндвич-метод выращивания эпитаксиальных (наращенных на материале) слоев
SiC. Этим методом удавалось управляемо получить слои n- и p- проводимости,
то есть создавать p-n структуры. Основной особенностью сэндвич-метода или
метода малых промежутков является то, что источником и затравкой служат
11
кристаллы полупроводникового материала. Процесс выращивания кристаллов
здесь и далее не будет рассматриваться подробно, так как это область
исследования других дисциплин, изучаемых на старших курсах.
С использованием затравок удалось добиться создания больших
монокристаллов. Цветков В. Ф. и Таиров Ю. М. в 1979 году предложили метод
«Физического транспорта паров» (Physical Vapor Transport - PVT). Также этот
метод называют «модифицированным методом Лели».
На основе этих технологий и их модификаций в ФТИ им. Иоффе к
середине 80-х годов было разработано несколько SiC-полупроводниковых
приборов и проведены обширные исследования электрофизических свойств
Карбида Кремния.
Самым современным и эффективным методом эпитаксии плёнок 3C-SiC
является газотранспортный метод С. Нишино. Применение стандартного
технологического оборудования и подложек большого размера открыло
возможность использовать полученные результаты для создания коммерческих
изделий. Было создано несколько типов полевых транзисторов. Хотя их
характеристики оказались не удовлетворительными по сравнению с
современным применением. Обычно такие пленки 3C-SiC используют для
создания мембран и тензодатчиков (измеритель уровня деформации).
Вскоре были отработаны режимы роста 6H-SiC пленок на подложках 6H-
SiC. Комбинация модифицированного метода Лели, газотранспортной
эпитаксии с последующим плазмохимическим травлением и металлизацией
поверхности позволило создавать качественные SiC приборы:
светодиоды синей области спектра, фотоприемники УФ-диапазона,
выпрямительные диоды, полевые и биполярные транзисторы, тиристоры.

2.2. Методы получения GaN

В настоящее время известны четыре способа получения нитрида галия:
1. Непосредственный синтез азотированием галлия. Кристаллы нитрида
галлия выращивают прямым синтезом из элементов N и Ga при давлении
12
 100 атм в атмосфере азота N2 и температуре 750 °C. Повышенное
давления газовой среды необходимо для осуществления реакции галлия и
азота при относительно невысоких температурах; в условиях низкого
давления галлий не вступает в реакцию с азотом ниже 1000 °C.
2. Нагревание Ga в токе NH3 при температуре 1200 °C.
3. Разложение (NH4)3GaF6 (GaCl.NH3) в токе NH3 при температуре 900 °C
4. Восстановление оксида Галлия с азотированием при температуре 1100-
1200 °C
На данный момент подавляющее большинство методов синтеза Нитрида
Галлия основано на реакции взаимодействия аммиака с Галлийсодержащим
порошком. Но высокая температура и длительность процесса ограничивает
его применение в широких масштабах.
Перспективным методом синтеза может быть высокотемпературное
горение смеси порошкообразного оксида Галлия с нанопорошком алюминия
в атмосфере воздуха.

3. СВОЙСТВА МОЛЕКУЛ
3.1 Описание молекулы карбида кремния.

Свойства карбида кремния сильно зависят от его кристаллической

структуры. На данный момент известно примерно 250 кристаллических форм
карбида кремния, из них обширное применение имеет 3.
Молекула SiC образована ковалентной связью с тетраэдрической
координацией атомов. Гибридизация валентных электронов углеродного атома
сопровождается искажением их электронных облаков. Вместо конфигурации,
свойственных s- и p-состояниям, облака каждого электрона при sp3-
гибридизации приобретают резко ассиметричную форму, вытянутую в одну
сторону от ядра атома и одинаковую для всех четырёх электронов.
Аналогичная картина наблюдается в кристаллических веществах с
тетраэдрической координацией атомов, к которой относится и SiC.
13
 Как известно ковалентная связь характеризуется высокой прочностью,
что означает высокую твердость и высокую температуру плавления.
Полиморфизм SiC характеризуется большим количеством схожих
кристаллических структур, называемых политипами. Они являются вариациями
одного и того же химического соединения, которые идентичны в двух
измерениях, но отличаются в третьем. Таким образом, их можно рассматривать
как слои, сложенные в стопку в определённой последовательности.
Альфа-карбид кремния (α-SiC) является наиболее часто встречающимся
полиморфом. Эта модификация образуется при температуре свыше 1700 °C и
имеет гексагональную решётку, кристаллическая структура типа вюрцита.
Бета-модификация (β-SiC), с кристаллической структурой типа цинковой
обманки (аналог структуры алмаза), образуется при температурах ниже
1700 °C. До недавнего времени бета-форма имела сравнительно небольшое
коммерческое использование, однако в настоящее время в связи с
использованием его в качестве гетерогенных катализаторов интерес к ней
увеличивается. Нагревание бета-формы до температур свыше 1700 °C способно
приводить к постепенному переходу кубической бета-формы в гексагональную
(2Н, 4Н, 6Н, 8Н) и ромбичеcкую (15R).
Чистый карбид кремния бесцветен. Его оттенки от коричневого до
чёрного цвета связаны с примесями железа. Радужный блеск кристаллов
обусловливается тем, что при контакте с воздухом на их поверхности
образуется плёнка из диоксида кремния, что приводит к пассивированию
внешнего слоя.
Карбид кремния является весьма инертным химическим веществом:
практически не взаимодействует с большинством кислот, кроме
концентрированных фтористоводородной (плавиковой), азотной и
ортофосфорной кислот. Способен выдерживать нагревание на открытом
воздухе до температур порядка 1500 °C. Карбид кремния не плавится при
любом известном давлении, но способен сублимировать при температурах
свыше 1700 °C.
14
Рисунок 3. Схематичное изображение (β) 3C – SiC структуры

Рисунок 4. Схематичное изображение 4H – SiC структуры

Рисунок 5. Схематичное изображение 6H – SiC структуры

15
3.2. Описание молекулы нитрида галлия
По физическим свойствам нитрид галлия во многом схож с карбидом
кремния. Это также бинарное ковалентное соединение с кристаллической
структурой типа вюрцита, но без полиморфизма.

Рисунок 6. Элементарная ячейка GaN. Зеленые атомы – Ga. Коричневые –

N.
GaN тугоплавок, тверд, обладает высокой теплопроводностью, но ниже,
чем у карбида кремния. При нормальных условиях – бесцветный прозрачный
кристалл.
Дальнейшее рассмотрение свойств, в первую очередь, важных для
электротехники, бессмысленно без уточнения применения этих свойств.
Поэтому, прежде чем рассматривать эти свойства, в данном реферате будут
рассмотрены устройства на основе SiC и GaN, а после они будут сравнены с
кремниевыми и GaNAl устройствами с рассмотрением характеристик молекул и
веществ.

16
 4. ДИОДЫ И ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ SiC и GaN

4.1. p-n, p-n-p и n-p-n переходы, диоды и транзисторы

Не смотря на, казалось бы, общедоступное и необходимое понимание
принципа работы p-n, n-p-n и p-n-p переходов, в курсе обучения они пока не
были рассмотрены. Поэтому, прежде чем рассказывать о особенностях
устройства переходов в полупроводниковых компонентах на основе карбида
кремния и нитрида галлия, нужно вкратце рассказать о переходах в общем.
p-n переход другими словами можно назвать «электронно-дырочным
переходом», от английского p – positive (положительная/дырочная) и n –
negative (отрицательная/отрицательная) область. Соответственно p-n переход –
это область соприкосновения полупроводников с указанными типами
проводимости. Простейшим устройством основанным на p-n переходе является
диод.

Рисунок 7. Схематическое устройство диода и его обозначение на

принципиальных электрических схемах.

В зависимости от материалов, используемых при создании p-n переходов,

примесей в них и легирования получен огромный набор самых разных диодов

17
для различных целей. В данном реферате будут рассмотрены только самые
подходящие диоды и транзисторы для карбида кремния и нитрида галлия.
Рассмотрим работу p-n перехода на основе выпрямительного диода.
Если к аноду диода приложить внешнее напряжение по направлению к
катоду (против направления поля в переходе), то динамическое равновесие
нарушится и диффузный ток (усредненный в одном направлении) начнет
преобладать над дрейфовым (хаотичным движением электронов), быстро
нарастая с увеличением напряжения. Это явление называется прямым
смещением. Диод не идеален, поэтому обладает некоторым сопротивлением и
вносит изменения в протекающий через себя ток. При достижении
определенный силы тока диод не сможет рассеять мощность и выйдет из строя.
Сила тока, при которой происходит выход из строя диода при постоянной и
длительной работе называется максимальным прямым током Iпр. макс.
Если к катоду диода приложить внешнее напряжение по направлению к
аноду (по направлению поля в переходе), то это приведет к увеличению
толщины слоев пространственного заряда. Сопротивление на диоде увеличится,
малый дрейфовый ток будет преобладать над диффузным при идеальном диоде.
Это явление называется обратным смещением. В реальном же диоде малый
диффузный ток присутствует, и называется током утечки (или обратным током)
Iут. Важно подбирать диоды так, чтобы ток утечки не влиял на работу цепи
существенно. При увеличении напряжения под воздействием внешнего поля p-
n барьер будет «пробит» и ток потечет через пробитый диод. Такое напряжение
называют напряжением пробоя Uпр,, а тип пробоя - лавинным. При еще
большем увеличении обратного напряжения резко увеличится сопротивление
на диоде, и он просто сгорит, не сумев рассеять приложенную мощность. Такой
пробой называется тепловым или невосстановимым.
Простейший пример применения выпрямительных диодов – диодный
мост, преобразующий ток переменного напряжения в постоянное.
Помимо p-n перехода, можно создать комбинацию из переходов p-n-p и n-
p-n. Простейшими устройствами использующие свойства данных переходов
18
называются биполярными транзисторами с каналами N типа и P типа
проводимости соответственно.
Рисунок 8. NPN биполярный транзистор и его
обозначение на схеме

Рисунок 9. PNP биполярный транзистор

транзистор и его обозначение на схеме

Устройство транзисторов еще более понятно после ознакомления с

устройством диодов. Рассмотрим их устройство на примере биполярного
транзистора. В основе лежат все те же p-n переходы, только после p-n перехода
добавляется еще один слой полупроводника p типа, либо аналогично с n-p-n.
Порядок расположения разных слоев влияет на положение слоя p-n, который
все так же подвержен прямому и обратному смещению.
Биполярный транзистор состоит из трех функциональных элементов.
Эмиттер, Коллектор и База. Эмиттер и коллектор имеют проводимость
одинакового типа n или p, база – отличную от них. В зависимости от способов
подключения биполярный транзистор может выполнять различные функции, но
рассматривать их сейчас мы не будем.
Рассмотрим NPN биполярный транзистор. В связи с наличием двух p-n
переходов в разном направлении ток от коллектора к эмиттеру течь не будет по
19
причине наличия хотя бы одного потенциального барьера. Вне зависимости от
полюсов. Но если на тонкий P слой подать ток той же полярности что и на
эмиттере, то электроны N области эмиттера устремятся в P область базы и
начнут движение по дыркам. Но так как P слой тонкий и свободных дырок для
всех электронов не хватает, то они остаются в P области, которая практически
превращается в N область. На базе практически формируется N область, но и на
коллекторе N область, также от эмиттера имеется разность потенциалов. В
итоге те электроны что не смогли уйти по базе отправляются в коллектор.
Притом количество электронов, а значит и сила тока будет прямо
пропорционально зависеть от приложенному к управляющей цепи (базе) току.

4.2. Сравнение характеристик полупроводниковых материалов.

Подведем краткий итог всего рассмотренного материала. Карбид кремния и
нитрид галлия – сложные в получении молекулы с ковалентной связью,
обладающие отличными физическими свойствами. На их основе можно
создавать вещества и их комбинации с p-n переходами, что является основным
компонентом в устройстве транзисторов и диодов, столь важных и нужных для
электроники.
Так в чем же заключается их особенность для электроники? Чтобы получить
ответ на этот вопрос, нужно сравнить компоненты на их основе с другими
популярными материалами. И первым из них, конечно, будет кремний.
У карбида кремния по сравнению с кремнием:
в несколько раз большая ширина запрещённой зоны;
в 10 раз большая электрическая прочность;
высокие допустимые рабочие температуры (до 600 °C, теоретически – до
1000°C);
теплопроводность в 3 раза больше, чем у кремния, и почти в 10 раз
больше, чем у арсенида галлия;
устойчивость к воздействию радиации;

20
 стабильность электрических характеристик при изменении температуры и
отсутствие дрейфа параметров во времени.
наличие собственной (из того же материала) подложки большого размера
Казалось бы, куда более сложный технологический процесс получения
карбида кремния делает из него пускай и хороший, но все же дорогой материал
для производства полупроводниковой электроники, но его великолепные
характеристики позволяют ему избавиться от большой, по сравнению с самим
компонентом, упаковки, защищающей компонент от внешних воздействий. А
высокая теплопроводность позволяет во многих случаях избавить от
необходимости добавлять в электронный прибор отдельное охлаждение. В
итоге во многих областях применения карбид кремния не только эффективнее
кремния, но еще и дешевле его.

Таблица 1. Сравнение характеристик некоторых полупроводниковых

материалов.

Для GaN нет подложек из того же материала. Эпитаксиальные слои

выращиваются из подложек сапфира и того же карбида кремния методом
гетероэпитаксии. В результате плотность дислокаций пленок получается
высокой. Дислокации в GaN расположены перпендикулярно и собираются в
21
кластеры. Выращиваемый слой имеет ячеистую (зернистую) структуру, что
приводит к увеличению токов утечки p-n структур и их деградации с течением
времени. Все это затрудняет создание высоковольтных приборов на GaN. Да и
по остальным характеристикам GaN не сильно превосходит SiC. А низкое
время жизни носителей заряда и худшая теплопроводность вовсе делает SiC
более перспективным материалом для создания электронных приборов.
Но на основе гетеропереходов GaN/AlGaN есть возможность создания,
так называемых HEMT (High Electron Mobility Transistor/транзистор с высокой
подвижностью электронов) транзисторов, превосходящих по параметрам
транзисторы на основе объемного SiC. Поэтому сейчас трудно сказать какой из
материалов выйдет в лидеры. Возможно, это будет их комбинация, так как
лучшие HEMT транзисторы на основе GaN/AlGaN выражены на подложке из
SiC.

4.3. Диоды на основе SiC и GaN.

Карбид кремния – материал с потрясающими характеристиками, но почему
его применение началось только недавно? В середине 90-х казалось, что
первым промышленно выпускаемым SiC-прибором будет выпрямительный
диод. Высокие рабочие температуры, низкий ток утечки, большое
быстродействие – все это обещало существенную экономию при замене SiC
диодов кремниевыми.
Однако оказалось, что характеристики SiC диодов ухудшаются с
течением времени и выражаются в увеличении токов утечки, снижении
пробивного напряжения и увеличении прямого сопротивления. Исследования
показали, что причина деградации – образование в пленках 4H- и 6H – SiC
прослоек кубического SiC при протекании прямого тока. Это обусловлено тем,
что энергия выделяемая при безызлучательной электронно-дырочной пары в
SiC достаточна для преодоления атомом барьера, препятствующего его
смещению в другое положение. Зародышем таких дефектов являются
дислокации в объеме эпитаксиального слоя или на границе слой-подложка. Под
22
действием прямого тока размеры дефектов быстро увеличиваются параллельно
кристаллической оси углерода и при достижении границы p-n перехода
наступает полная деградация прибора.
Первым промышленно выпускаемым прибором на основе SiC были
светодиоды. При этом одна и та же технология изготовления светодиодов на
основе разных политипов позволяла получить максимум излучения при
различных значениях энергии. В определенной степени спектральное
положение максимума зависело от легирования. Так, легирование 6H-SiC
бором позволяло получить желтый цвет электролюминесценции. Собственный
структурный дефект – зеленый и так далее. По мере совершенствования
качества и чистоты материала остался только синий пик люминесценции, и в
80-е годы основанное внимание уделялось созданию синих SiC диодов.
Интенсивность была слабой, но других светодиодов такого свечения не было.
После разработки технологии p-n структур на GaN и появления
светодиодов и лазеров на их основе нитрид галлия оказался вне конкуренции по
оптоэлектронным устройствам. Единственными оптоэлектронными приборами
на основе SiC остались УФ-фотодетекторы. Благодаря большой ширине
запрещенной зоны SiC почти не фоточувствителен в видимой области спектра и
к тому же практически не деградирует с течением времени.
Проблема образования кубических дефектов не коснулась диодов
Шоттки и полевых транзисторов, поскольку в них отсутствует электронно-
дырочная рекомбинация. В итоге вторым промышленно выпускаемым
прибором оказался диод Шоттки. Но созданию достаточно мощных проборов
этого типа помешали дефекты, в этот раз подложки. В первую очередь
присутствие в подложках так называемых «микротрубок». От их плотности
зависело качество прибора и до создания качественных подложек создание
качественных приборов было невозможно.
На сегодняшний день аналогов высоковольтным диодам Шоттки из
карбида кремния просто нет. Наибольших успехов в этом достигла
Американская компания, занимающаяся выпуском преимущественно силовой
23
электроники, “Cree”. Рассмотрим один из продуктов, C3D04060E, диод
Шоттки. В корпусе TO-252-2 помещается барьер Шоттки с напряжением
пробоя 600 вольт, средним прямым током 13,5A, с током утечки 50 мкА при
600В и рабочими температурами от -55 до + 175 oC. И это – коммерчески
доступный продукт, выпускаемый промышленно с 2009 года. На данный
момент существуют экспериментальные диоды с напряжениями выше 1200 В и
силой тока выше 150 A.
В общем, светодиоды на основе нитрида галлия полностью забрали себе
нишу оптоэлектроники у карбида кремния, а карбид кремния применяется для
производства, в основном, силовых диодов Шоттки. Улучшение качества
подложек и устранение кубических дефектов позволит расширить
номенклатуру диодов из карбида кремния в будущем.

24
Рисунок 10. График зависимости тока утечки IR при обратном напряжении
VR для температур корпуса TJ у диода Шоттки C3D04060E.

25
4.4. Транзисторы на основе SiC и GaN.
С серийным производством силовых транзисторов на основе SiC обстоит
хуже, чем с диодами и другими компонентами. На данный момент с начала
2000 годов, то есть, с начала производства транзисторов на основе SiC,
промышленные транзисторы прошли три поколения, и только сейчас
переходят в эпоху четвертого поколения. Основной проблемой силовых
транзисторов на основе SiC является высокое напряжение драйвера, то есть
передачи управляющего сигнала на контакт Базы или «Gate» для мосфета.
Это создает необходимость использования сложных блоков питания для
таких транзисторов и что еще хуже – требует создания драйвера к ним,
устройства управляющего сигналом транзистора. Этот драйвер, как правило,
оказывается дороже самого транзистора. Третье поколение находится на
напряжении управляющего сигнала порядка -5v +25V для закрытия и
открытия. Четвертое, по некоторым заявлениям, которые возможно лишь
являются громкой рекламой, 0V и +12V для закрытия и открытия
соответственно. Все это приводит к тому, что легче собрать подходящую
схему из кремниевых транзисторов, чем использовать транзисторы на
карбиде кремния в силовой электронике.
Силовые транзисторы на Нитриде Галлия имеют диапазон
рекомендуемых напряжений драйвера от 0 до 6 вольт, но сложность
изготовления и отсутствие собственной подложки в тандеме с худшей чем у
карбида кремния теплопроводностью все еще уступают даже обычному
кремнию.
Свое признание транзисторы на карбиде кремния и нитриде галлия нашли
в СВЧ – электронике. Мощные полевые СВЧ-транзисторы на SiCи GaN не
заменимы в электротехнике. Во-первых, сопротивление открытого канала
GaN-транзистора является чрезвычайно низким, что приводит к
значительному уменьшению статических потерь проводимости во
включенном состоянии. Во-вторых, структура GaN-ключа обеспечивает
минимальную входную емкость, что позволяет добиваться высокой скорости
26
переключений. В результате нитрид-галлиевые транзисторы способны
коммутировать напряжения в сотни вольт с длительностью переходных
процессов в наносекундном диапазоне. Это делает их идеальным выбором
для построения мощных импульсных источников питания с большими
выходными токами и рабочими частотами до нескольких сотен мегагерц.
Кроме того, увеличение частоты коммутации может (потенциально)
привести к росту эффективности и к уменьшению номиналов емкостей и
индуктивностей выходных фильтров, благодаря чему удастся получать
компактные решения с минимальными габаритными размерами. Что крайне
важно, будущее радарных систем в наше время лежит на плечах нитрида
галлия, так как на нам основаны радары АФаР – с активно фазовой
решеткой.
У карбида кремния похожая ситуация, с разницей в сторону увеличения
рабочего напряжения и уменьшения частоты. Также высокая
теплопроводность решает проблему отвода тепла из микроскопических
структур. А характеристики GaN и SiC делает транзисторы на их основе
устойчивыми к суровым условиям использования.
Транзисторы на основе карбида кремния и нитрида галлия нашли свое
применение в СВЧ электронике, и в первую очередь, в электродвигателях.
Перспективным направлением развития транзисторов на основе SiC и GaN
является силовая электроника, которая пока что столкнулась с трудностями.
Предположительные пути решения на данный момент теоретически
находятся в производстве n-p структур GaN на подложках из SiC.

27
 ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Не только диоды и транзисторы на основе SiC и GaN нашли свое

применение во всех областях промышленности. Карбид кремния вовсе является
компромиссной заменой алмазу во многих ситуациях, например абразивах и
корпусах. Это давно исследованный элемент, сложность использования
которого заключается в трудности получения и обработки. В первую очередь –
из-за образования дефектов. Будущее карбида кремния и в первую очередь,
электроники на его основе, зависит от улучшения имеющихся, и возможно,
создания новых технологических процессов получения и обработки.
Увеличение доли карбида кремния на рынке говорит о успехах в этой области.
Нитрид галлия – куда более молодой материал, но уже нашедший свое
незаменимое применение в оптоэлектронике и СВЧ силовой электронике S-
диапазона и выше. Но сложности при формировании p-n структур и отсутствие
собственной подложки, а также малый для промышленности срок освоения
пока ограничивают применение этого материала.
Оба материала являются перспективными, в некоторых случаях уже
незаменимыми, а в других, способными заменить кремний и арсенид галлия.
Нам остается только работать над технологическими открытиями в сфере
обработки и применения этих материалов. Так как перспективность этих
материалов может сделать общедоступными многие типы электроники и сфер
деятельности для потребителей и промышленности.

28
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ:
1. В. С. Сорокин, Б. Л. Антипов, Н. П. Лазарева. – Материалы и элементы
электронной техники. Проводники, полупроводники, диэлектрики. –
Учебник, том 1, второе издание. – Издательство «Лань», 2015
2. В. С. Сорокин, Б. Л. Антипов, Н. П. Лазарева. – Материалы и элементы
электронной техники. – Учебник, том , второе издание. – Издательство
«Лань», 2015
3. ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес (Электроника НТБ) 5/2006
ISSN 1992-4178
4. Acheson, G. (1893) U.S. Patent 492 767 «Production of artificial crystalline
carbonaceous material»
5. Остроумов А. Г., Рогачев А.А. – Физика. Проблемы, история, люди. –
Ленинград: Наука, 1986.
6. Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Киселев В.С., Конакова Р.В.,
Лебедев А.А., Миленин В.В., Охрименко О.Б., поляков В.В., Светличный
А.М., Чередниченко Д.И. – Карбид Кремния: Технология, свойства,
применение. – ИСМА, 2010 г.
7. Туркин Андрей - Обзор развития технологии полупроводниковых
гетероструктур на основе нитрида галлия (GaN). – Полупроводниковая
светотехника № 6(14)’2011
8. Д.Н. Черепанова, А.П. Ильин -Проблемы высокотемпературного синтеза
композита, содержащего Нитрид галлия. – Конференция национального
Томского Политехнического Университета (ТПУ). С. 342-343, 2017 г.
9. Cree, Inc. – C3D0406E Rev. B Datasheet. – 2009 г.

29